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中国科学院半导体所研制出具有高隧穿电阻比的滑移铁电隧穿结
8 小时前
铁电隧穿结能通过铁电极化翻转调控隧穿电流，以紧凑的两端结构实现信息的非易失写入和非破坏性电阻读出，是高密度非易失存储与存内计算的重要候选器件。但在此类器件中，高隧穿电阻比与高循环耐久性难以同时实现。3R-MoS2和1T′-ReS2等新型二维滑移铁电体，依靠层间相对滑移实现极化翻转，可避免传统离子位移型铁电材料中的离子迁移和缺陷累积，抗疲劳能力超1011次循环。不过，其剩余极化强度比传统氧化物铁电体低2至3个数量级，难以在两端器件中产生足够强的电学读出信号。
