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日本Resonac成功开发300毫米SiC衬底

9 小时前

2026年9月，日本半导体材料企业Resonac Holdings宣布，成功开发出300毫米（12英寸）碳化硅（SiC）衬底，成为日本首家掌握该技术的公司。与当前主流的150毫米衬底相比，这种大尺寸衬底理论上可将单片集成电路产量提升至约4倍，有助于降低大规模生产成本，提高功率半导体能效。

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