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英飞凌将向奥地利工厂投资11亿欧元，目标量产300毫米晶圆氮化镓功率半导体
1 小时前
10月27日，英飞凌宣布将在欧洲建立全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓（GaN）功率半导体大规模生产基地。作为项目一部分，英飞凌计划到2034年向奥地利菲拉赫工厂的现有洁净室设施投资约11亿欧元，利用现有及升级后的基础设施扩大产能，该基地预计2027年底投产。
