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英飞凌成功制造全球首个 300mm 碳化硅功率器件晶圆
4 小时前
英飞凌宣布，其奥地利菲拉赫晶圆厂依托现有硅半导体制造设备，率先在全规模半导体晶圆厂环境中将300毫米碳化硅晶圆加工为功率半导体器件，展现了大尺寸碳化硅晶圆的商业化潜力。公司将联合客户与合作伙伴规划12英寸碳化硅技术及量产时机，并推进200毫米碳化硅制造路线图。此外，英飞凌在德国德累斯顿工厂验证了冷分片技术在12英寸碳化硅上的可行性，该工艺可提升晶锭到晶圆的加工效率并减少损耗。
