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传三星10nm级第六代DRAM良率大幅提升，计划今年内量产HBM4
7 小时前
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来源：集微网
随着下一代DRAM良率的显著提升，三星迅速转入大规模生产阶段，这一进展也被视为三星计划年内量产HBM4的积极信号。
三星电子正积极推进重夺DRAM市场领导地位的战略，此前由于在AI半导体高带宽内存(HBM)领域面临的挑战，该公司在第一季度失去了市场领先地位，被SK海力士超越。随着下一代DRAM良率的显著提升，三星迅速转入大规模生产阶段，这一进展也被视为三星计划年内量产HBM4的积极信号。
据业内消息人士透露，三星电子上个月在10nm级第六代DRAM晶圆性能测试中实现了50-70%的良率。与去年同一产品不到30%的良率相比，这标志着重大进步。这一改进的关键在于重新设计，三星研发团队实施了多项结构创新，以提高芯片效率和生产力。
值得一提的是，三星原计划是在去年年底开始量产10nm级第六代DRAM，但冒险重新设计了芯片，可能导致超过一年的延迟。据报道，目前三星正迅速投资建设量产线，采取提前准备生产线的策略，以便在今年内最终测试完成后立即投入生产。这次DRAM大规模生产预计将显著提升三星第六代HBM(HBM4)的竞争力。
此次三星投资目标平泽工厂4号DRAM生产线生产的产品将供应移动设备(LPDDR)和服务器应用，用于HBM4的10nm级第六代DRAM生产设施位于平泽工厂3号。
一位行业人士表示：“DRAM的核心——存储单元的核心结构，在移动/服务器DRAM和HBM之间非常相似，因此这将对HBM用DRAM的完成产生积极影响。” 基于此次DRAM的成功量产，三星可能会在平泽3号工厂进一步加大对HBM4工艺的投资。”
