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【报告】2025中国存储模组上市公司研究报告；

2025-07-26 / 阅读约41分钟

来源：集微网

【报告】2025中国存储模组上市公司研究报告；

1.2025中国存储模组上市公司研究报告 | 2025集微半导体大会；

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1.2025中国存储模组上市公司研究报告 | 2025集微半导体大会；

7月3日—5日，2025第九届集微半导体大会在上海张江科学会堂隆重举办。峰会期间，爱集微发布了22份细分行业深度研究报告，包括晶圆代工、封装测试、前道设备、后道设备、硅片、电子化学品、高端通用计算芯片等覆盖设备材料、设计、制造、封测全产业链。报告基于海量数据与量化分析，旨在为投资机构、企业及政策制定者提供精准的决策参考。

其中，《2025中国存储模组上市公司研究报告》聚焦全球半导体存储模组行业发展态势及中国上市公司企业表现，系统呈现了行业核心数据与发展态势，涵盖行业整体表现、市场规模、头部企业运营数据及未来趋势等核心内容。

中国存储模组市场在过往数年展现出强劲的增长态势，从2019年的约2200亿元攀升至2023年的超3500亿元，期间年复合增长率（CAGR）约为12% 。步入2024年，这一市场延续了增长的步伐，并且在诸多因素的推动下，呈现出更为多元的发展格局，表现显著高于全球均值。在产品类别上，中国大陆地区上市公司中，江波龙、德明利与佰维存储在客户和产品类别等方面较为接近，香农芯创也计划布局存储模组业务；中国台湾地区上市公司中，威刚、创见信息主要经营存储模组类产品的销售，与佰维存储产品类似，但缺少芯片类产品；群联电子经营主控芯片、嵌入式存储芯片及存储模组类产品的销售。在经营模式上，佰维存储自建封测制造产能，而上述同行业公司主要依托委外代工。在嵌入式存储领域，佰维存储是国内市场份额前列的自主品牌企业。

以下是报告内容精选：

市场规模与趋势

根据TrendForce数据，2022年全球内存模组供应商主要来自美国、中国大陆以及中国台湾，其中金士顿以78.12%的占比位列第一，海外龙头模组厂商地位稳固，中国大陆厂商记忆科技、嘉合劲威、金泰克分别以3.78%、2.88%、2.33%的市场份额位列第2、4、5位，合计市场份额为8.99%。2022年全球固态硬盘市场中，金士顿以28%的占比列第一，中国大陆厂商雷克沙（江波龙收购）、金泰克、朗科、七彩虹市占率分别为8%、8%、6%、5%，合计达27%。中国是全球最大的半导体市场之一，国产替代空间广阔，随着存储芯片逐渐国产化替代进程，国内存储模组厂商有望持续提升市场份额。

据TrendForce数据显示，全球存储模组市场规模从2019年约800亿美元攀升至2021年峰值近1500亿美元，2022年深度回调至约1100亿美元（需求疲软+库存高企），2023年触底反弹至约1200亿美元。未来五年，存储模组行业的CAGR将回升至15%-20%，核心驱动力来源于四个方面：1)AI服务器（高带宽HBM需求爆发，TrendForce预计2024年HBM市场增速超200%）；2)数据中心升级（DDR5/LPDDR5渗透率提升）；3)智能汽车存储容量倍增（自动驾驶等级提升）；4)PC/手机换机潮（Win11+AI功能普及）。

据TrendForce集邦咨询研究显示，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌八季，至2023年第四季起涨。NAND Flash方面，合约价自2022年第三季开始下跌，连跌四季，至2023年第三季起涨。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

2024Q1：2024年针对第一季价格趋势，TrendForce集邦咨询维持先前预测，DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND Flash则是18-23%；

2024Q2：虽然目前市场对2024Q2整体需求看法仍属保守，但DRAM与NAND Flash供应商已分别在2023Q4以及2024Q1调升产能利用率，NAND Flash下游采购方也将在2024Q1陆续完成库存回补。因此，DRAM、NAND Flash在2024Q2合约价季涨幅皆收敛至3~8%；

2024Q3：进入传统旺季，需求端预期来自北美云端服务厂商（CSP）的补货动能较强，在预期DRAM及NAND Flash产能利用率均尚未恢复至满载的前提下，两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。其中，DRAM方面，因DDR5及HBM渗透率提升，受益于平均单价提高，DRAM季度涨幅有望持续扩大；

2024Q4：第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%：DRAM合约价涨幅扩大的原因是来自DDR5与HBM产品市场渗透率上升，若仅观察单一产品，例如DDR5仍可能出现季跌，这意味着2024年度的DRAM合约价上涨并非所有颗粒类别全面上扬。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。

中国存储模组市场从2019年约2200亿元增至2023年超3500亿元，CAGR约12%，显著高于全球均值。在产品类别上，中国大陆地区上市公司中，江波龙、德明利与佰维存储在客户和产品类别等方面较为接近，香农芯创也计划布局存储模组业务；中国台湾地区上市公司中，威刚、创见信息主要经营存储模组类产品的销售，与佰维存储产品类似，但缺少芯片类产品；群联电子经营主控芯片、嵌入式存储芯片及存储模组类产品的销售。在经营模式上，佰维存储自建封测制造产能，而上述同行业公司主要依托委外代工。在嵌入式存储领域，佰维存储是国内市场份额前列的自主品牌企业。根据中国闪存市场调研数据，佰维存储eMMC及UFS在全球市场占有率达到2.4%，排名全球第8，国内第2。

市场动态分析

在半导体存储模组行业，近一年来产品价格波动呈现出复杂态势。以 NAND Flash 模组为例，自 2023 年下半年起市场回暖，但过程波折。2023 年 7 月 NAND Flash 价格触底反弹，原厂通过扩大减产推动价格回升，9 月下游补库存，SSD 模组出货量回升带动 NAND Flash 涨价，11 月迎来量价齐升（TrendForce 数据）。进入 2024 年，1 - 4 月 AI 服务器用 NAND Flash 需求大增，各容量规格缺货，报价持续上涨，如西部数据、三星等纷纷发出涨价通知。然而，手机和 PC 应用的 NAND Flash 需求增量较小，且从 2023 年第四季度开始，PC 和智能手机客户的 NAND Flash 库存攀升，导致 Client SSD、eMMC、UFS 等产品价格虽从低点反弹超 60%，但 2024 年第一季度因市场需求未跟上供应增长，涨价势头减弱，部分厂商甚至降价抢单。

在需求端，2024 年，随着 5G 技术的深度普及以及物联网、人工智能等新兴产业的蓬勃发展，对存储模组的需求呈现爆发式增长。就拿企业级市场来说，数据中心的大规模扩建以及云计算服务的日益普及，促使对高性能、大容量存储模组的需求急剧上升。国际数据公司（IDC）数据显示，2024 年中国企业级固态硬盘市场规模达到 62.5 亿美元，与 2023 年相比增长 187.9% 。企业级 NVMe SSD（固态硬盘）作为数据中心、云计算、人工智能和高性能计算等领域的关键存储设备，2023 年中国市场需求量约为 150 万块，市场规模达到 200 亿元人民币；到了 2024 年，需求量预计增长至 200 万块，市场规模有望突破 250 亿元人民币。这一增长趋势主要源于云计算和 AI 服务提供商（如阿里云、腾讯云）对高性能存储的强烈需求，以及从 SATA/SAS 到 NVMe 的技术升级趋势。

在消费级市场，智能手机、PC 等终端产品的更新换代，对存储模组的性能和容量提出了更高要求。全球智能手机市场自 2023Q3 起出现回暖趋势，2023Q3 - 2024Q1 全球单季度智能手机出货连续三季同比实现增长，为 2021 年以来首次。TechInsights 无线智能手机战略高级总监表示，2024 年全球智能手机出货量预计将实现 3% 的年增长率。同时，单机搭载容量方面，TrendForce 预测 2024 年单机搭载容量有望成长 7.9% 。在 PC 领域，据 TechInsight 预测，全球笔电市场在 2024 年迎来反弹，出货量同比增长 11% 。搭载 Intel 新 CPU Meteor Lake 的机种在 2024 年内实现量产，由于该平台仅支持 DDR5 与 LPDDR5，加速了 DDR5 超越 DDR4 成为市场主流，促进 PC 平均搭载容量持续提升。集邦咨询预测，2024 年 PC DRAM 平均搭载容量年成长率有望达 12.4% 。

从供给侧来看，国内存储模组厂商在技术研发和产能扩充方面持续发力。一些头部企业加大了对主控芯片研发、先进封装技术等方面的投入，提升了产品的竞争力。2024 年，国产存储模组在市场中的份额逐步扩大。以内存模组中的 DDR5 为例，它作为新一代的高性能内存技术，主要用于服务器、数据中心和高端 PC 市场。2023 年中国 DDR5 内存模组的市场需求量约为 3 亿 GB，市场规模达到 300 亿元人民币；预计 2024 年需求量将增长至 4 亿 GB，市场规模有望突破 400 亿元人民币。随着 DDR5 技术的进一步普及，预计到 2025 年，中国市场的 DDR5 内存模组需求量将达到 5 亿 GB，市场规模接近 500 亿元人民币。在 2024 年，DDR5 在中国内存模组市场的占比约为 30% - 40%，到 2025 年预计占比将提升至 50% - 60% 。这一变化不仅反映了市场对高性能内存技术的认可，也体现了国内厂商在技术追赶和市场拓展方面的成果。

在价格方面，2023H2 以来，随着行业供需格局的逐渐改善，DRAM/NAND 价格指数已出现明显复苏，分别从低点反弹25.90%/82.85%（截至2024/7/2）。进入 2024 年，虽然存储晶圆价格存在一定波动，但整体上，随着市场需求的增长以及厂商产能的合理调控，存储模组价格在相对稳定中呈现出因产品性能和应用场景而异的差异化走势。高性能、大容量的企业级存储模组价格较为坚挺，而消费级存储模组价格则在竞争和技术进步的双重作用下，保持着一定的性价比优势。

综合以上因素，2024年中国存储模组市场规模持续扩张，预计全年市场规模有望达到4000亿元以上，增长率高于过往数年平均水平，达到15%左右。这一增长不仅得益于传统应用领域的需求复苏，更得益于新兴技术和产业带来的新机遇。然而，市场也面临着诸如国际竞争加剧、技术迭代加速等挑战，国内存储模组厂商需不断提升技术创新能力，优化产品结构，加强产业链协作，以在全球市场竞争中占据更有利的地位，实现市场规模的持续稳健增长。

中国半导体上市公司数据方面，《报告》以江波龙、佰维存储、香农芯创、德名利等7家上市企业为样本，单独拆分了每家公司存储模组业务的财务数据，构建了全方位对标体系。

报告显示，2024年，模组行业上市公司总收入309.31亿元，同比增长86.46%，毛利率约17.75%，研发占比为4.26%。股价方面，行业全年震荡调整，年末较年初上涨4.58%。

以下是报告内容精选：

财务数据分析

（1）整体财务表现对比：

注：本表中“营业收入”、“毛利”为该公司存储模组产品的营业收入与毛利。

2024年，模组行业上市公司总收入为309.31亿元，同比增长86.46%（中位数）；毛利润为56.29亿元，毛率为17.75%（中位数），研发占比为4.26%（中位数）。

从营收表现来看，营业总收入前三分别是：江波龙（174.64亿元）、佰维存储（66.95亿元）、德明利（47.73亿元）。

营收同比增长前三的企业分别是：前三名：香农芯创（210615%）、万润科技（302%）、德明利（168.74%）。

从毛利润表现上来看，盈利前三名的企业分别是：江波龙（33.27亿元）、佰维存储（12.18亿元）、德明利（8.47亿元）。

从毛利率来看，前三名的企业是同有科技（41.61%）、江波龙（19.05%）、佰维存储（18.19%）。

从研发费用占比来看，前三名的企业是同有科技（20.91%）、佰维存储（6.68%）、江波龙（5.21%）。

（2）营运能力对比：

从营业周期来看，营业周期最长的三家是同有科技（448.16天）、德明利（322.93天）、佰维存储（271.40天）；营业周期最短的三家是香农芯创（45.84天）、万润科技（146.75天）、朗科科技（152.34天）。

从存货周转天数来看，存货周转天数最长的三家是德明利（1482.70天）、佰维存储（886.48天）、同有科技（768.74天）；存货周转天数最短的三家是香农科技（274.73天）、万润科技（301.26天）、朗科科技（382.86天）。

从应收账款周转天数来看，应收账款周转天数最长的三家是同有科技（295.35天）、万润科技（262.31天）、朗科科技（193.00天）；应收账款周转天数最短的三家是香农芯创（49.98天）、江波龙（56.44天）、德明利（59.19天）。

从应付账款周转天数来看，应付账款周转天数最长的三家是同有科技（336.89天）、万润科技（288.89天）、德明利（218.61天）；应付账款周转天数最短的三家是香农芯创（100.56天）、江波龙（118.38天）、朗科科技（125.42天）。

股价表现

2024年，存储模组行业股价表现震荡调整，年末相比年初上涨4.58%，振幅75.79%，最大回撤-40.47%。以1000点为基准价，最高价1206.71（10月11日），最低价552.56（2月8日）。

从个股来看，2024年末，市值最高的是江波龙（357.74亿元）。之后依次是佰维存储（267.24亿元）、香农芯创（130.36亿元）、德明利（129.70亿元）、万润科技（102.54亿元）、同有科技（75.53亿元）、朗科科技（46.29亿元）。

相比2024年初，涨幅最高的是德明利（19.6%）、同有科技（16.4%）；跌幅最大的是朗科科技（-34.0%）、香农芯创（-15.2%）。

从市盈率来看，除了朗科科技和同有科技两个亏损的企业，截至2024年末市盈率最高的是万润科技（807.2）、其次是佰维存储（304.48）。

另外，报告还单独详细解析了7家上市公司2024年各自业绩表现。

2.2025 中国存储芯片行业上市公司研究报告 | 2025集微半导体大会；

其中，《2025 中国存储芯片行业上市公司研究报告》聚焦全球半导体存储芯片行业发展态势及中国上市公司企业表现，系统呈现了行业核心数据与发展态势，涵盖行业整体表现、市场规模、头部企业运营数据及未来趋势等核心内容。

从近五年数据看，2019年受贸易摩擦及价格战影响，全球存储芯片市场规模同比下滑32.66%至1064亿美元，随后在5G商用、数据中心扩容及消费电子升级驱动下，2020-2023年市场规模年复合增长率达13.2%，其中2021年增速高达30.5%，2022年因PC及智能手机需求疲软增速放缓至9.7%，2023年在AI服务器、汽车电子等新兴需求拉动下重回增长轨道。展望未来，WSTS预计2030年全球存储芯片市场规模将达2148.9亿美元，2023-2030年CARG为8.8%。

以下是报告内容精选：

市场规模与趋势

根据世界半导体贸易统计协会（WSTS）预测数据，2023 年全球存储芯片市场规模达到 1675 亿美元，较 2022 年的 1392 亿美元同比增长 20.3%，市场在经历 2021-2022 年供应链波动与需求调整后显著回暖。从近五年数据看，2019 年受贸易摩擦及价格战影响，全球存储芯片市场规模同比下滑 32.66% 至 1064 亿美元，随后在 5G 商用、数据中心扩容及消费电子升级驱动下，2020-2023 年市场规模年复合增长率达 13.2%，其中 2021 年增速高达 30.5%，2022 年因 PC 及智能手机需求疲软增速放缓至 9.7%，2023 年在 AI 服务器、汽车电子等新兴需求拉动下重回增长轨道。

展望未来，WSTS 预计 2030 年全球存储芯片市场规模将达 2148.9 亿美元，2023-2030 年 CARG 为 8.8%，增长动力主要来自三大领域：一是 AI 算力需求爆发，据 Yole 数据，2023 年全球 AI 服务器存储芯片市场规模已超 200 亿美元，HBM 等高带宽内存需求年增速超 50%，预计到 2030 年 AI 相关存储占比将提升至 30%；二是智能汽车渗透率提升，每辆 L4 级自动驾驶汽车存储容量需求超 1TB，2023 年车载存储市场规模约 150 亿美元，2030 年有望突破 500 亿美元；三是 3D NAND 与 DRAM 技术迭代，三星、美光等企业已量产 230 层以上 3D NAND，DDR5 渗透率从 2023 年的 15% 提升至 2030 年的 70%，技术升级推动单芯片价值量增长。

2023年中国存储芯片市场规模达6492亿元（约942亿美元），占全球市场份额 56.2%，是全球最大消费市场。近五年国内市场规模从 2019 年的 4800 亿元增长至 2023 年的 6492 亿元，CARG 为 8.0%，虽低于全球同期增速，但在智能手机、PC 等传统需求疲软背景下，智能家电（2023 年出货量超 2 亿台）、工业物联网（连接数超 10 亿）等新兴领域支撑市场韧性。例如，长江存储 2023 年 64 层 3D NAND 出货量同比增长 120%，兆易创新 NOR Flash 在国内市场份额达 28%，本土企业正通过技术突破抢占中低端市场。

未来中国市场增长将呈现 “双轮驱动”：需求端，2025 年 5G 物联网终端连接数预计超 25 亿，带动嵌入式存储需求年增 20%；供给端，国家大基金三期已向存储芯片领域注资超 500 亿元，长江存储 128 层 3D NAND 产能爬坡至 5 万片 / 月，长鑫存储 DDR5 产能 2025 年有望达 10 万片 / 月，预计 2030 年中国存储芯片市场规模将达 1.2 万亿元，2023-2030 年 CARG 为 8.5%，略低于全球但本土企业市占率将从 2023 年的 15% 提升至 30%。

在竞争格局层面，存储芯片市场呈现高度集中态势，全球主要份额长期由海外头部厂商垄断。具体来看，DRAM 领域呈现显著的寡头垄断格局，三星、SK 海力士与美光三大企业占据绝对主导地位。2023 年数据显示，三家企业的市场份额分别达到 41.4%、31.7% 和 22.9%，竞争格局长期保持稳定。此外，南亚科技和华邦电子的市场占比分别为 1.9% 和 0.9%。国内DRAM厂商则包括兆易创新、北京君正、东芯股份、长鑫存储、紫光国微、福建晋华等企业。

而在 NAND Flash 全球市场中，2023 年前三大企业同样表现突出，三星、SK 海力士、铠侠的市场份额合计高达 69.1%，分别为 32.7%、18.4%、18.0%。西部数据与美光的市场份额也分别达到 14.9%、10.8%。国内 Nand 厂商主要有长江存储、东芯股份、江波龙等企业。

市场动态分析

近一年来，存储芯片价格波动剧烈。2024 年初延续此前跌势，价格处于低位，自 2024 年 Q3 起触底反弹，进入上升通道，至 2025 年 Q2 部分产品价格涨幅明显。如 DRAM 合约价格在 2024 年 Q1 上涨 20%，NAND Flash 涨幅达 23%-28%，2025 年 4-5 月，三星、美光等厂商纷纷提价，三星 DDR4 上调 20%，DDR5 上调约 5% 。不同细分市场价格差异显著，HBM 因技术门槛高、供应有限，价格高昂且涨幅惊人，2024 年上半年狂涨 500% ，而成熟制程的 DDR4 和 LPDDR4X 产品价格压力大，2024 年下半年价格持续下滑。价格波动主要源于存储芯片强周期性，技术创新、产能变动及下游需求变化共同作用，当市场供过于求，价格下跌；减产及需求回升则推动价格上涨。

供给端方面，2023 - 2024 年存储原厂为应对库存积压、价格低迷，纷纷减产。铠侠、美光 2022 年 Q4 率先减产，三星 2023 年跟进，2023 年 9 月三星 NAND Flash 产量削减至总产能 50% 。进入 2025 年，因智能手机、笔记本电脑出货低迷，美光、三星、SK 海力士等再次减产，美光削减 NAND Flash 闪存产量，计划扩大至 30%，三星减产 15%-20% 。减产使市场供给收缩，库存水位下降，推动价格回升。

需求端方面，AI 应用爆发成为关键驱动力，2024 年第二季度全球服务器市场收入 454.22 亿美元，同比增长 35%，AI 服务器占比近 30% 。AI 手机 DRAM 配置提升至 16GB，AI PC 内存达 32GB，智能汽车引入开源大模型也提升存储需求，带动存储芯片需求增长。企业策略方面，头部企业通过调整产能、推出新技术产品（如 HBM），抢占市场份额，三星、SK 海力士等在企业级 SSD 市场表现积极，扩大市场份额，也影响了市场供需结构和价格走势。

中国半导体上市公司数据方面，《报告》以兆易创新、北京君正、复旦微电、东芯股份等7家上市企业为样本，单独拆分了每家公司存储芯片业务的财务数据，构建了全方位对标体系。

报告显示，2024年，存储芯片行业上市公司总收入150.42亿元，同比增长24.81%，毛利率约37.94%，研发占比为21.10%。股价方面，行业全年震荡调整，年末较年初上涨5.38%。

以下是报告内容精选：

财务数据分析

（1）整体财务表现对比：

注：本表中“营业收入”、“毛利”为该公司存储芯片产品的营业收入与毛利。

2024年，存储芯片行业上市公司存储芯片产品总收入约为150.42亿元，同比增长24.81%（中位数）；毛利润约为64.79亿元，毛利率平均值约为37.94%，研发占比平均值约为21.10%。

从营收表现来看，营业总收入前三的企业分别是兆易创新（51.94亿元）、复旦微电（34.60亿元）、北京君正（25.89亿元）。

营收同比增长前三的企业分别是：普冉股份（60.03%）、聚辰股份（46.17%）、兆易创新（27.39%）。

从毛利表现上来看，盈利前三名的企业分别是：兆易创新（20.91亿元）、复旦微电（19.83亿元）、北京君正（8.95亿元）。

从毛利率来看，前三名的企业是复旦微电（57.31%）、兆易创新（55.51%）、聚辰股份（54.81%）。

从研发费用占比来看，前三名的企业是东芯股份（33.27%）、恒烁股份（27.19%）、复旦微电（25.33%）。

（2）营运能力对比：

从营业周期来看，营业周期最长的三家是复旦微电（839.78天）、东芯股份（593.75天）、恒烁股份（462.95天）；营业周期最短的三家是兆易创新（179.71天）、聚辰股份（226.62天）、普冉股份（162.29天）。

从存货周转天数来看，存货周转天数最长的三家是复旦微电（718.28天）、东芯股份（539.25天）、北京君正（342.86天）；存货周转天数最短的三家是普冉股份（162.29天）、兆易创新（171.18天）、聚辰股份（181.50天）。

从应收账款周转天数来看，应收账款周转天数最长的三家是恒烁股份（126.66天）、复旦微电（121.50天）、普冉股份（68.95天）；应收账款周转天数最短的三家是兆易创新（7.98天）、北京君正（33.84天）、聚辰股份（45.12天）。

从应付账款周转天数来看，应付账款周转天数最长的三家是恒烁股份（67.10天）、普冉股份（60.69天）、北京君正（57.83天）；应付账款周转天数最短的三家是东芯股份（36.77天）、兆易创新（48.76天）、聚辰股份（50.58天）。

股价表现

2024年，存储芯片行业股价表现震荡调整，年末相比年初上涨5.38%，振幅62.42%，最大回撤-36.21%。以1000点为基准价，最高价1263.30（10月11日），最低价639.10（2月8日）。

从个股来看，2024年末，市值最高的是兆易创新（709.28亿元），排列前五的还有北京君正（328.43亿元）、复旦微电（246.00亿元）、东芯股份（110.12亿元）、普冉股份（106.94亿元）。

相比2024年初，上涨的企业有普冉股份（44.84%）、兆易创新（15.60%）、北京君正（5.86%）；跌幅前三的企业分别是恒烁股份（-33.44%）、东芯股份（-27.68%）、聚辰股份（-4.11%）。

从市盈率来看，除了亏损企业，截至2024年末市盈率最高的是兆易创新（126.75）。

另外，报告还单独详细解析了7家上市公司2024年各自业绩表现。

3.聚焦前沿技术！贺利氏电子邀您共赴ICEPT 2025盛会！

全球电子封装界年度盛事——第26届电子封装技术国际会议 (ICEPT 2025)将于2025年8月5-7日（周二至周四）在上海隆重举行！作为兼具规模和影响力的封装技术盛会，ICEPT汇聚全球顶尖专家、学者及领军企业代表。今年预计将有来自20+国家与地区的超1000名精英齐聚一堂，共探电子封装设计、制造、测试、光电子、MEMS、系统级封装等领域的最新技术与趋势。

贺利氏电子重磅登场

揭秘SiC功率模块封装材料革新

演讲人

张靖博士贺利氏电子中国研发总监

2025年8月6日（周三）13:30-13:55

碳化硅（SiC）功率模块封装的先进材料解决方案

会场7 - 功率电子

张靖博士将在大会上分享贺利氏电子在碳化硅（SiC）功率模块材料技术的前沿突破，重点阐述无银AMB 2.0金属钎焊技术如何通过专利合金替代传统银焊料，在降低成本的同时，彻底解决银迁移问题，同时，演讲将揭示新型高性能烧结材料在实现高温稳定性和超高导热率方面的核心优势，以及DTS技术在优化铜层精度与散热性能上的新进展。这些技术的深度协同，正推动新能源汽车、光伏及储能系统的功率模块实现超高功率密度突破、高可靠性无故障运行等跨越性指标，为行业迈向高可靠、高效率的新能源时代提供系统级材料解决方案。

期待与您相聚ICEPT 2025上海！

贺利氏电子研发与技术团队已整装待发！

我们热切期待在会议期间：

◎ 聆听全球封装领域前沿见解

◎ 分享贺利氏最新材料解决方案与创新成果

◎ 面对面与您探讨行业挑战与合作机遇

4.觅睿：从开拓者到创新者，AOV技术进化之路；

在AOV技术发展版图中，觅睿与君正紧密携手，共同绘就了创新画卷。2024年，君正推出行业首颗AOV芯片T41，觅睿率先将其技术落地，成为该领域的开拓者。如今，随着君正T32VN规格的发布，觅睿基于此研发的第二代AOV产品震撼亮相，续写技术创新传奇。

从T41到T32：技术演进与传承

君正T41芯片开启了AOV技术新纪元，觅睿凭借卓越的市场洞察力和研发实力，迅速将其应用于产品，带来全新监控体验。历经一年市场打磨与技术沉淀，君正推出T32芯片。觅睿再次紧跟步伐，依托T41技术积累与市场反馈，精心打造基于T32的新一代AOV产品，实现技术的传承与创新。

第二代 AOV 产品：突破极限的技术集成

极致环境适应性，无惧极端挑战

无网、无电、无光、无温的极端环境，一直是监控设备面临的巨大挑战。而觅睿第二代 AOV 产品实现了环境适应性的全面升级。其低温电池管理系统，能够确保在极寒环境下正常充放电，让设备在恶劣的温度条件下依然稳定运行。无论是在偏远的山区、寒冷的极地，还是光线昏暗的地下室，都能提供可靠的监控服务。

免流切换，畅享便捷通信

4G 双卡免流且自动切换的功能，为用户带来了极大的便利。在无网环境下，设备能够自动选择信号更强的网络，确保数据传输的流畅性。同时，免流的特性也降低了用户的使用成本，让监控设备的运行更加经济实惠。

低功耗、高帧率，接近常电体验

AOV 功耗进一步降低，同时支持一秒多帧（AOV 4fps）的拍摄。这意味着在保证高画质监控的同时，大大延长了设备的续航时间。即使在无电环境下，也能长时间持续工作，更加接近常电设备的使用体验。

黑光全彩，告别黑白画面

黑光 0.01lux 全彩技术的应用，让设备在极低光照条件下也能呈现出清晰、鲜艳的彩色画面，彻底告别了传统监控设备在夜间只能拍摄黑白图像的局限。无论是夜晚的街道、停车场还是野外环境，都能提供丰富的色彩信息，为监控和识别提供了更有力的支持。

智能多类混检，精准捕捉目标

智能 4 类（人、机动车、火、非机动车）混检功能，大大提升了监控的智能化水平。设备能够准确识别不同类型的目标，并及时发出警报，有效预防潜在的安全隐患。最远 70 米超视距检测技术，更是能够捕捉到每一个目标，让监控范围得到了极大的扩展。

稳扎稳打，塑造可靠品质

从2024年的T41开拓者到如今T32创新者，觅睿始终秉持稳扎稳打的发展理念。对市场需求精准洞察，对产品质量严格把控，在技术创新与产品可靠性间寻求平衡。其勇于创新与技术深挖能力，让觅睿在AOV领域不断突破。未来，觅睿将与君正持续协作，推动AOV技术发展，为行业带来更多革新成果。

活动邀约：现场见证技术落地

技术创新需以场景验证。2025 年 8 月 27-29 日，深圳国际会展中心（宝安新馆）IOTE 第二十四届国际物联网展期间，觅睿将在 12 号馆 12B89 展位展示 AOV 技术在智慧城市、工业 4.0、智能家居等领域的落地成果。诚邀行业伙伴莅临，实地体验技术如何解决无电无网场景的监控痛点，共探数字化生态的创新可能。

从实验室到产业端，觅睿以 “技术沉淀 + 场景落地” 的双轮驱动，持续拓展 AOV 技术的应用边界 —— 这既是对创新的坚守，也是对行业需求的精准回应。

5.摩尔线程“AI工厂”：以系统级创新定义新一代AI基础设施；

2025年7月25日，上海——在世界人工智能大会（WAIC 2025）开幕前夕，摩尔线程以“算力进化，精度革命”为主题举办技术分享会，并创新性提出“AI工厂”理念。摩尔线程创始人兼CEO张建中在主题演讲中表示，为应对生成式AI爆发式增长下的大模型训练效率瓶颈，摩尔线程将通过系统级工程创新，构建新一代AI训练基础设施，致力于为AGI时代打造生产先进模型的“超级工厂”。

“AI工厂”：锻造先进模型的“超级工厂”

人工智能前沿模型的竞争正推动着AI智能水平的迅猛提升，全球科技巨头正以惊人的速度迭代模型。从GPT系列、Gemini到DeepSeek、QWen的快速更新，模型训练迭代时间已缩短至不足3个月，这种高频迭代不仅体现在大型语言模型（LLM）上，还同步扩展至多模态模型、语音模型、世界模型等前沿模型领域。这些模型在性能、效率和应用场景上实现的指数级突破，不仅推动了AI从专用领域向通用智能的跨越，其快速迭代的特性更对新一代高性能人工智能计算基础设施提出了迫切需求。

摩尔线程提出的“AI工厂”，如同芯片晶圆厂的制程升级，是一个系统性、全方位的变革，需要实现从底层芯片架构创新、到集群整体架构的优化，再到软件算法调优和资源调度系统的全面升级。这种全方位的基础设施变革，将推动AI训练从千卡级向万卡级乃至十万卡级规模演进，以系统级工程实现生产力和创新效率的飞跃。

这座“AI工厂”的智能“产能”，由五大核心要素共同决定，其效率公式可概括为：AI工厂生产效率 = 加速计算通用性 × 单芯片有效算力 × 单节点效率 × 集群效率 × 集群稳定性

摩尔线程以全功能GPU通用算力为基石，通过先进架构、芯片算力、单节点效率、集群效率优化与可靠性等协同跃升的深度技术创新，旨在将全功能GPU加速计算平台的强大潜能，转化为工程级的训练效率与可靠性保障。

五大核心技术：系统性提升AI训练效率

摩尔线程通过软硬深度协同的系统级创新，从五大核心技术构建“AI工厂”，致力于推动大模型训练效率实现质的飞跃。

技术一：全功能GPU，实现加速计算通用性

在AI基础设施建设中，计算功能的完备性与精度完整性是支撑多元场景的核心基石。摩尔线程以自主研发的全功能GPU为核心，构建了“功能完备”与“精度完整”的通用性底座，全面覆盖从AI训练、推理到科学计算的全场景需求。

s 创新突破：单芯片覆盖多场景。基于MUSA架构的突破性设计，摩尔线程的GPU单芯片即可集成AI计算加速、图形渲染、物理仿真及超高清视频编解码能力，充分适配AI训推、具身智能、AIGC等多样化应用场景。

s 精度标杆：性能跃升20%~30%。在计算精度方面，摩尔线程支持从FP64至INT8的完整精度谱系，并通过FP8混合精度技术，在主流前沿大模型训练中实现20%~30%的性能跃升，为国产GPU的算力效率树立行业标杆。

s 前瞻布局：推动AI基础设施进化。这一技术体系不仅满足大模型时代的高效计算需求，更为世界模型和新兴AI架构的演化提供前瞻性支撑，助力AI基础设施向高通用性、高精度方向持续升级。

技术二：自研MUSA架构，提升芯片有效算力

强大的芯片有效算力是驱动“AI工厂”高效运转的核心动力。摩尔线程基于自研MUSA架构，通过计算、内存、通信三重突破，显著提升单GPU运算效率。

s 创新架构突破传统限制：摩尔线程采用创新的多引擎、可伸缩GPU架构，通过硬件资源池化及动态资源调度技术，构建了全局共享的计算、内存与通信资源池。这一设计不仅突破了传统GPU功能单一的限制，还在保障通用性的同时显著提升了资源利用率。其参数化配置可伸缩架构允许面向目标市场快速裁剪出优化的芯片配置，大幅降低了新品芯片的开发成本。

s 计算性能显著提升：在计算层面，摩尔线程的AI加速系统（TCE/TME）全面支持INT8/FP8/FP16/BF16/TF32等多种混合精度计算。作为国内首批实现FP8算力量产的GPU厂商，其FP8技术通过快速格式转换、动态范围智能适配和高精度累加器等创新设计，在保证计算精度的同时，将Transformer计算性能提升约30%。

s 内存与通信效率全面优化：内存系统方面，通过多精度近存规约引擎、低延迟Scale-Up、通算并行资源隔离等技术，实现了50%的带宽节省和60%的延迟降低。在通信和互联领域，独创的ACE异步通信引擎减少了15%的计算资源损耗，MTLink2.0互联技术提供了高出国内行业平均水平60%的带宽，为大规模集群部署奠定了坚实基础。

技术三：MUSA全栈系统软件，提升单节点计算效率

当AI算力竞争进入深水区，摩尔线程通过MUSA全栈系统软件实现关键技术突破，推动AI工厂从单点创新转向系统级效能提升。其核心创新包括：

s 任务调度优化：核函数启动时间缩短50%；

s 极致性能算子库：GEMM算子算力利用率达98%，Flash Attention 算子算力利用率突破95%；

s 通信效能跃升：MCCL通信库实现RDMA网络97%带宽利用率；基于异步通信引擎优化计算通信并行，集群性能提升10%；

s 低精度计算效率革新：FP8优化与重计算技术显著降低训练开销；

s 开发生态完善：基于Triton-MUSA编译器 + MUSA Graph 实现DeepSeek R1推理加速1.5倍，全面兼容Triton等主流框架。

技术四：自研KUAE大规模集群，优化集群效率

当单节点效率达到新高度，如何实现大规模集群的高效协作成为新的挑战。摩尔线程自研KUAE计算集群通过5D大规模分布式并行计算技术，实现上千节点的高效协作，推动AI基础设施从单点优化迈向系统工程级突破。

s 创新5D并行训练：摩尔线程整合数据、模型、张量、流水线和专家并行技术，全面支持Transformer等主流架构，显著提升大规模集群训练效率。

s 性能仿真与优化：自主研发的Simumax工具面向超大规模集群自动搜索最优并行策略，精准模拟FP8混合精度训练与算子融合，为DeepSeek等模型缩短训练周期提供科学依据。

s 秒级备份恢复：针对大模型稳定性难题，创新CheckPoint加速方案利用RDMA技术，将百GB级备份恢复时间从数分钟压缩至1秒，提升GPU有效算力利用率。

技术五：零中断容错技术，提升集群的稳定性和可靠性

在构建高效集群的基础上，稳定可靠的运行环境是“AI工厂”持续产出的保障。

特别在万卡级AI集群中，硬件故障导致的训练中断会严重浪费算力。摩尔线程创新推出零中断容错技术，故障发生时仅隔离受影响节点组，其余节点继续训练，备机无缝接入，全程无中断。这一方案使KUAE集群有效训练时间占比超99%，大幅降低恢复开销。

同时，KUAE集群通过多维度训练洞察体系实现动态监测与智能诊断，异常处理效率提升50%；结合集群巡检与起飞检查，训练成功率提高10%，为大规模AI训练提供稳定保障。

从训练到验证：构建完整闭环

摩尔线程以打造先进的“AI工厂”为目标，凭借全功能GPU的通用计算能力、创新的MUSA架构、优化的MUSA软件栈、自研的KUAE集群以及零中断容错技术这五大核心要素，构建起高效的“AI工厂”，为AI大模型训练提供了强大而可靠的基础设施支持。

完善的“AI工厂”不仅需要高效训练大模型，还需具备推理验证能力。摩尔线程基于自研MUSA技术栈，构建覆盖LLM、视觉、生成类模型的全流程推理解决方案，实现“训练-验证-部署”的无缝衔接。其MT Transformer自研推理引擎、TensorX自研推理引擎和vLLM-MUSA推理框架，为模型验证和部署提供极致性能支持。