台积电在美国启动先进封装（AP）建厂规画浮上台面，首座先进封装预计明年动工。据悉，已有承包业者开始招募CoWoS设备服务工程师，将派驻美国亚利桑那州。供应链透露，台积电美国先进封装会以SoIC（系统整合单芯片）、CoW（Chip on Wafer）为主，后段oS（on Substrate）预计将委由Amkor进行。

在AI需求强劲带动下，台积电加大对美投资，总金额高达1,650亿美元，规划兴建6座先进制程厂、2座先进封装厂及1座研发中心，其中首座晶圆代工厂已正式量产，良率与台湾本地厂并驾齐驱。

AMD执行长苏姿丰更透露，将于今年底收到首批由台积电美国厂生产的芯片。目前P2厂完成建设，P3厂也在如火如荼推进中。

台积电美国先进封装厂进度亦开始明朗，承包商已为未来CoWoS进机与机台维护业务进行准备。据悉，亚利桑那州AP1厂将与P3相连接，率先导入SoIC技术。半导体业者指出，SoIC是透过仲介层整合芯片，目前已应用于AMD的MI350产品，未来苹果M系列晶片亦将采用，提前导入SoIC旨在因应日益多元的客户需求。

IC设计业者分析指出，AMD下一代EPYC处理器「Venice」将采用台积电2nm制程，并搭配SoIC封装技术；英伟达（NVIDIA）预计明年推出的Rubin平台也将导入SoIC设计，其中GPU与I/O Die将分开制作，前者采N3P制程、后者则以N5B制程制造，透过SoIC封装整合2颗GPU与1颗I/O Die，以异质整合方式达成效能与成本兼顾。

至于CoWoS封装，将依客户需求区分为S／L／R版本，供应链指出，后段oS制程将委由外部封测厂负责，美国先进封装则专注于CoW段，不足部分再由中国台湾厂支援。不过包括先进封装在内的核心技术仍会优先于台湾量产，待成熟后再转移至美国，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）技术仍待观察其成熟度。

厂务业者表示，随着P3厂建设加速，美国AP1封装厂将紧接启动，预计于明年下半年动工，依照时程推估，相关机台最快将于2029年进行移机与安装。业界看好，SoIC堆叠所需之湿制程设备与CoWoS相似，弘塑、辛耘、万润等设备商有望同步受惠，抢攻下一波高阶封装商机。