胜科纳米6项研究成果亮相ICEPT 2025,SOP湿气渗透研究获邀大会报告
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来源:集微网
2025年8月5日,第26届电子封装技术国际会议(ICEPT 2025)盛大开幕。胜科纳米研发团队表现亮眼,6篇被录用论文悉数亮相,其中 5 篇论文以海报形式展示,另有1篇论文成果《Comparison of moisture penetration speed in two types of SOP》获邀于8月7日进行口头报告。

2025年8月5日,第26届电子封装技术国际会议(ICEPT 2025)盛大开幕。胜科纳米研发团队表现亮眼,6篇被录用论文悉数亮相,其中 5 篇论文以海报形式展示,另有1篇论文成果《Comparison of moisture penetration speed in two types of SOP》获邀于8月7日进行口头报告。

关于ICEPT

第26届电子封装技术国际会议(ICEPT 2025)于2025年8月5-7日在上海举行。作为亚洲地区规模最大、最具影响力的封装技术会议,ICEPT已成功召开二十五届,吸引大批国内外高校、研究机构、电子封装产业相关厂商以及来自近20个国家和地区,超过800位知名专家、学者和企业界人士踊跃参与。

高温高湿条件下,封装材料的湿气渗透会导致器件腐蚀、分层甚至失效,严重影响产品寿命。针对这一问题,Lois博士在8月7日的精彩报告中,详细介绍了胜科纳米在SOP封装湿气渗透研究的最新发现。该研究聚焦于两种类型 SOP的湿气渗透速度比较,通过科学的实验设计和精准的检测分析,深入探究了两种 SOP在湿气渗透速率上的差异及背后的原因,为优化封装设计、提升器件可靠性提供了量化依据。报告结束后,多位与会专家就研究方法和实际应用与胜科纳米技术专家团队进行了深入交流。

胜科纳米 专家报告环节

除口头报告外,同期展示的5篇论文海报,主题涵盖硅晶体缺陷表征、BGA焊点失效分析、TOF-SIMS指纹技术、光刻胶薄膜污染及晶圆精密切割技术,吸引了众多与会专家的驻足讨论,进一步扩大了公司研究成果的影响力。

胜科纳米论文海报

从材料缺陷表征到系统级失效分析,胜科纳米此次展示的研究成果贯穿半导体芯片失效分析全链条,集中体现了公司在半导体分析检测领域的深厚积淀与持续创新能力。

作为半导体分析检测领域的专业机构,胜科纳米将继续加大前沿研究投入,积极参与国际学术交流,以创新分析检测技术助推芯片封装制造升级,为全球半导体产业高质量发展贡献力量。

6篇论文的作者和题目为:

1. Lois Liao, Zuohuan Yu, Guoshun Wu, Xi Zhang, Lei Zhu, Younan Hua and Xiaomin Li. Comparison of moisture penetration speed in two types of SOP. Paper ID: 09.

2. Younan Hua, Lois Liao and Xiaomin Li. Studies of Silicon Crystalline Defects Delineation Method and Application in Failure Analysis. Paper ID: 12.

3. Lei Zhu, Ke Xu, Eric Lau, Wen Li, Younan Hua, Yanfei Zhao, Xiaodan Luo and Xiaomin Li. Failure Analysis of BGA Dewetting by X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Paper ID: 41.

4. Younan Hua. PDMS Fingerprint of TOF-SIMS Techniques and Applications in Failure Analysis. Paper ID: 45.

5. Yanfei Zhao, Zhiyuan Wang, Tuanqiao Hu, Lei Zhu and Xiaomin Li, Failure Analysis of Surface Contamination on Pellicle Film used in Photolithography. Paper ID: 145.

6. Xiaodan Luo, Yifeng Li, Younan Hua and Xiaomin Li. Precision Dicing Sample Preparation Technique and Application in Failure Analysis of Wafer Fabrication. Paper ID: 358.