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三星半导体：CXL 3.1 CMM-D 内存、512TB 级 PCIe 6.0 固态硬盘明后年见
18 小时前
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来源：IT之家
三星电子副总裁称，新一代CXL内存模块、超大容量固态硬盘等AI存储产品将陆续登场，CXL 2.0 CMM已量产，CXL 3.1/PCIe 6.0计划2026年推出，还介绍了PCIe 6.0固态硬盘及第七代Z-NAND技术。
IT之家 9 月 29 日消息，三星电子副总裁 Kevin Yoon 在上周举行的 GMIF 2025 创新峰会上表示，该企业包括新一代 CXL 内存模块、超大容量固态硬盘在内的一系列 AI 存储产品将陆续登场。
Kevin Yoon 表示三星半导体目前已实现 CXL 2.0 CMM 内存模块的量产，而下一代的 CXL 3.1 / PCIe 6.0 CMM-D 解决方案计划在 2026 年推出。
而在 NAND 闪存领域，这位副总确认即将于 2026 年初推出的 PCIe 6.0 固态硬盘 PM1763 可在 25W 功耗下实现性能翻倍、能效提升 60%；对于超大容量领域，三星将在明后两年带来 256TB 级 (PCIe 5.0) 和 512TB 级 (PCIe 6.0) 的 EDSFF 1T 外形规格型号。
至于介乎传统 DRAM 和 NAND 之间的内存级存储品类，Kevin Yoon 表示三星电子正在研发第七代 Z-NAND 技术，面向 GIDS（GPU 主动直接存储）应用场景，可实现远超行业标准的吞吐量表现。
