1.华虹宏力“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布

2.龙芯中科“芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质”专利公布

3.鑫华半导体“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布

1.华虹宏力“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布

天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118563293A。

本发明提供一种减少炉管反应腔薄膜颗粒的方法，将一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第一反应气体，进行第一薄膜沉积，在硅片和炉管内壁生成一层第一薄膜；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第一薄膜的膜厚小于第一预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤；将另一批硅片载入炉管的反应腔中，通入第二反应气体，进行第二薄膜沉积，在炉管内壁的第一薄膜表面上以及硅片表面生成一层第二薄膜，第二薄膜的内应力与第一薄膜的内应力相反；反应完成后，将硅片移出反应腔；若累计第二薄膜的膜厚小于第二预设值，则继续执行该步骤，否则执行后续步骤。本发明可以降低成膜过程中的颗粒缺陷，提高产品的良率。

2.龙芯中科“芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质”专利公布

天眼查显示，龙芯中科技术股份有限公司“芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118567919A。

本发明实施例提供了一种芯片、芯片测试方法、电子设备以及存储介质，芯片包括第一模块以及第二模块，第一模块与第二模块通过待测接口相连接，第一模块以及第二模块位于不同的功能模块；待测接口为芯片中的任意两个功能模块之间的数据传输接口；第一模块以及第二模块分别用于生成相对应的第一测试信号以及第二测试信号；第一模块用于通过待测接口发送第一测试信号；第二模块用于通过待测接口接收待测信号，并基于待测信号以及第二测试信号生成检测结果。无需采用第三方测试设备，大大减少了测试成本。

3.鑫华半导体“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布

天眼查显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司“一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置”专利公布，申请公布日为2024年8月30日，申请公布号为CN118572061A。

本发明涉及电化学领域，具体涉及一种硅碳负极材料、制备方法及基于它的负极极片和电化学装置。其技术要点如下：多孔碳前驱体以及气相沉积多孔碳孔隙内的纳米硅颗粒；硅碳负极材料的XRD衍射图中，在2θ角为15°~40°范围内存在第一衍射峰，第一衍射峰的总面积为C；在2θ角为40°~60°范围内存在第二衍射峰，所述第二衍射峰的总面积为D，且0.65≤D/C≤0.95。本发明提供的硅碳负极材料及其制备方法，以及包含该材料的负极极片和电化学装置，通过制备工艺调整，限定扣式电池微分容差曲线的峰强比制备气相法硅碳负极材料，显著改善了电化学装置的能量密度以及循环性能。