据报道，三星电子正在加大对极紫外（EUV）光刻设备的投资，计划为其存储部门新增五套设备，同时为其晶圆代工部门新增两套高数值孔径（High NA）EUV设备。随着DRAM和高带宽存储器（HBM）制造商竞相扩大下一代产能，此举将使三星在预期的存储超级周期中占据优势。

据报道，三星计划为其存储业务部署五套新的EUV设备，打造专用生产线，旨在提高效率和工艺专注度。此项投资与其近期在晶圆代工业务中扩充High NA EUV设备规模的举措相呼应，这一协同举措凸显了三星在存储和逻辑制造领域的双轨战略。

业内人士指出，三星位于平泽的晶圆代工厂和存储生产线此前曾共用EUV设备。新计划赋予存储部门五套专用系统的独家使用权。同时，两套High NA EUV设备将用于2nm生产，其中一套将部署在华城厂区，另一套则可能部署在得克萨斯州泰勒晶圆厂，具体取决于北美主要客户的新订单。

行业数据显示，一套标准EUV设备的成本约为3000亿韩元（约合人民币15亿元），而一套High NA EUV设备的成本约为5500亿韩元（约合人民币28亿元）。因此，三星在EUV方面的总支出约为2.6万亿韩元。这项大胆的投资彰显了其紧跟SK海力士步伐的决心，后者也在2026年前提升EUV产能和DRAM产量。

三星最新的EUV扩张将增强传统DRAM和尖端HBM的生产，而HBM是人工智能（AI）推动的半导体军备竞赛中的关键前沿。

据报道，三星投资约1.1万亿韩元购买ASML最新的High NA EUV光刻机——Twinscan EXE:5200B，其中一台将于2025年底交付，另一台将于2026年初交付。这将是三星在华城进行有限的研发部署后，首次将High NA EUV光刻机用于全面生产。

与传统的EUV光刻机相比，下一代High NA EUV光刻机可提供1.7倍更精细的电路图案和2.9倍更高的晶体管密度。凭借40%的光学精度提升，它们能够生产出密度更高、更节能、性能更强大的芯片：这对于2nm代工工艺和先进的存储制造至关重要。

据报道，三星积极采用High NA EUV光刻机，标志着其在两年的克制之后，资本支出战略发生了决定性转变。三星抢在台积电之前获得这些工具，表明其对其制造实力重拾信心。台积电计划仅在其1.4nm节点上部署这些工具。英特尔和SK海力士也已引入High NA EUV技术，而三星在晶圆代工和存储部门的部署，凸显了其在逻辑和存储创新方面意义深远的协调努力。

预计三星将为2nm晶圆代工节点部署其High NA EUV光刻机，并可能服务于特斯拉价值22万亿韩元的AI6半导体项目等重要合同。在存储领域，同样的技术将支撑垂直通道晶体管（VCT）DRAM和第六代HBM4的开发。三星在HBM4 11Gbps数据速率方面处于领先地位。

10月14日，在圣何塞举行的半导体会议上，三星公布了其下一代HBM4E的计划，目标是实现每引脚13Gbps的数据速率。分析人士认为，该公司的综合推动措施（涵盖High NA EUV投资、独立存储生产线和HBM4E路线图）明确表明三星正准备全力以赴，引领即将到来的存储超级周期。