晶圆代工大厂联电近日宣布，推出全新的55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平台，旨在为下一代行动装置、消费性电子、车用与工业应用提供更高的电源效率与系统整合能力。

联电表示，该平台针对电子产品日益复杂的电源管理需求而设计，能够实现更小的晶片面积、更低的功耗以及卓越的抗杂讯表现，从而赋予电源电路设计更高的灵活度与可靠性。BCD技术能够在单一晶片上整合类比、数位与电力元件，广泛应用于电源管理与混合讯号IC。

此次推出的55奈米BCD平台提供多元化的电源IC应用解决方案，以满足不同应用领域对效能与可靠度的需求。具体包括：非磊晶（Non-EPI）制程，具备高性价比，为行动及消费性装置提供优异的电源效率与性能；磊晶（EPI）制程，符合最严格的车规AEC-Q100 Grade 0标准，支援高达150V操作电压，提升车用电子在极端环境下的可靠性；绝缘层上覆矽（SOI）制程，符合车规AEC-Q100 Grade 1标准，具备卓越的抗杂讯特性、高速运作与超低漏电性能，适合高阶车用与工业使用。

此外，该平台还整合了超厚金属层（UTM）、嵌入式快闪记忆体（eFlash）与电阻式随机存取记忆体（RRAM）等技术，进一步提升晶片效能与系统整合弹性。

联电技术研发副总经理徐世杰指出，55奈米BCD平台的推出是联电在BCD技术布局上的重要里程碑，进一步完善了公司的特殊制程产品组合，强化了在电源管理市场的竞争优势。尽管55奈米BCD制程已在市场上量产多年，联电此次推出的全新且全面的55奈米BCD解决方案，具备卓越的元件特性，将协助客户打造创新电源解决方案，应用范围涵盖智慧型手机、穿戴式装置、车用、智慧家庭与智慧工厂等领域。

联电已建构业界最完整且成熟的BCD技术组合，制程节点涵盖0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差异化的解决方案。凭借广泛的电压需求支持、丰富的IP资源与完善的设计支援，联电能够加速客户产品开发时程，强化在智慧电源与混合讯号市场的竞争力，持续与客户共同实现长期双赢成长。

值得一提的是，联电在BCD技术的持续投入和创新，不仅提升了自身在半导体市场的地位，也为全球电子产业的发展提供了强有力的技术支撑。随着电子产品对电源管理要求的不断提升，联电的55奈米BCD平台有望在多个应用领域发挥关键作用，推动行业技术的进一步进步。