1.思特威重磅推出首款2亿像素CIS，SCC80XS加速移动影像迈入超高清时代

2.芯旺微电子携SMC6008AF与SRT1200亮相汽车工程学会年会，双芯突破彰显车规布局实力 

3.特朗普出狠招？美拟禁售软件产品给中国从笔电到喷射引擎全入列

4.商务部关于发放相关模拟芯片反倾销案调查问卷的通知

5.苹果新款Vision Pro头显产地转向越南，持续推进供应链多元化策略

6.中美日刻蚀设备技术路线与未来格局研判，从单项突破到平台布局

7.邀请函｜10月30日，诚邀参加“走进海门”系列招商活动之西安站 

1.思特威重磅推出首款2亿像素CIS，SCC80XS加速移动影像迈入超高清时代

在消费者对手机影像品质需求持续升级、全球CIS市场稳步增长的行业背景下，2亿像素传感器正凭借其无与伦比的细节捕捉能力，成为引领下一代移动影像革命的关键力量。但CIS像素越高，清晰度、色彩还原、噪声抑制、低照度成像、功耗等性能指标都面临着更大的挑战。

思特威作为深耕CMOS图像传感器领域的高新技术企业，于近日推出首款2亿像素大靶面手机图像传感器SCC80XS。消息一出就受到了市场的广泛关注。

为了解决超高像素CIS面临的各种挑战，思特威通过系列重大技术突破，系统性地解决了高分辨率小像素传感器在低噪声、高色彩还原度、高感度、低功耗、宽动态范围等方面的固有挑战，为旗舰手机影像能力树立了新的标杆。

技术跨越与产业影响：从5000万到2亿像素的思特威路径

思特威SCC80XS的推出，是其践行“研发一代、量产一代、预研一代”产品开发理念的集中体现，公司也成功实现了从5000万像素到2亿像素的技术跨越。

从参数看，SCC80XS是一款采用Stacked BSI工艺和COB/RW封装的高性能图像传感器，具备2亿像素的高分辨率，光学尺寸为1/1.28英寸，像素尺寸为0.61μm，感光度达到527mV/ux*s，并支持10fps的帧率输出。

通过整合SFCPixel®-SL、Narrow BDTI™、Low-n Grid、PixGain HDR®等多项自研核心技术，并依托先进的22nm Stack工艺与SmartClarity®-SL Pro技术平台，SCC80XS在低噪声、高色彩还原度、高感度、低功耗和宽动态范围等关键性能上均达到了行业领先水平。这不仅是单一技术的胜利，更是思特威在像素设计、工艺制程和系统架构上进行全链路创新的成果，证明了其已具备在高端手机CIS市场与国际巨头同台竞技的强大实力。

尤为值得一提的是，思特威关于SCC80XS的关键技术论文已于2025年10月中旬被ISSCC收录，这一全球半导体设计领域最高级别的学术认可，充分印证了SCC80XS所采用的技术方案具有显著的前沿性和创新价值。

接下来，随着SCC80XS在2026年第一季度实现量产，它必将有力赋能下一代旗舰智能手机，推动移动影像进入2亿像素超高清时代，同时也将思特威的品牌与技术影响力提升至一个新的高度。

下文将着重分析思特威SCC80XS采用到的系列创新技术与方案。

SFCPixel®-SL技术：以超低噪声重塑夜景画质标杆

CIS图像传感器的噪声是决定手机影像质量的核心因素之一，它直接影响了画面的纯净度、色彩真实度和细节表现，尤其是在暗光环境下拍摄时，噪声抑制不当，画面会显得“脏”且不干净。

为此，思特威SCC80XS采用了创新的SFCPixel®-SL技术，该技术能够显著降低传感器的读取噪声，根据厂家披露，在200MP及50MP模式下，SCC80XS读取噪声仅约0.7e⁻，与行业同规格产品相比，噪声降低了约47%；在12.5MP模式下，SCC80XS读取噪声仅约1.2e⁻，噪声降低了约28%。

这种显著的噪声抑制能力，使得SCC80XS能够在各种光照条件下，尤其是光线微弱的夜景环境中，输出噪点更少、画质更纯净、质感更出色的图像，轻松驾驭超清夜景拍摄。

据了解，SFCPixel®-SL技术是对思特威上一代SFCPixel®技术的升级，能够更高效地将光生电子转换为可读取的电压信号，带来的降噪效果也更强，是思特威冲击高端手机CIS市场的“杀手锏”之一，直接解决了高分辨率小像素尺寸传感器面临的噪声挑战，使得其2亿像素传感器SCC80XS在画质上，尤其是暗光画质上，具备了行业领先的竞争实力。

事实上，噪声抑制能力强，不仅能给手机带来的干净信号，还获得更宽广的动态范围和更可用的高感画质，为高动态范围和高ISO拍摄奠定基础。

Narrow BDTI™结构：突破小像素色彩还原瓶颈

低噪声同样对高色彩还原度起到积极作用。在此基础上，为满足高端行业应用的极致要求，思特威专门开发了全新Narrow BDTI（NBDTI™），并在SCC80XS上首次应用。

Narrow BDTI是一项专注于提升小像素尺寸图像传感器色彩表现和光学性能的关键前沿技术，能够通过先进的半导体制造工艺，制造出宽度更窄、更精密、更陡峭的像素隔离槽，从而有效地“锁住”进入本像素的光线，防止光线串扰，是传感器能还原出更准确、更鲜艳、更饱和色彩的关键。

思特威SCC80XS在0.61μm这一业界顶尖的小像素尺寸上，依然实现了高色彩还原和高感光度，Narrow BDTI技术对构建SCC80XS强大的技术护城河和市场竞争力功不可没。

Low-n Grid光学技术：实现80%峰值量子效率的高感光突破

Low-n Grid光学结构技术也是思特威SCC80XS打破物理极限的关键技术。

由于SCC80XS像素尺寸微缩到0.61μm的极小程度，传感器容易面临开口率下降的挑战，即感光度下降。为此，思特威引入了Low-n Grid光学结构技术，通过使用折射率更低的创新材料，将SCC80XS的峰值量子效率提高到行业领先的80%，显著改善了暗光成像效果。

需指出的是，Low-n Grid技术不是独立存在，其与Narrow BDTI相辅相成。Narrow BDTI主要解决“电学串扰”（色彩纯度），而Low-n Grid主要解决“光学损失”（感光度），两者结合，共同确保了小像素在接收光信号时既“量足”又“质纯”，是实现高性能小像素设计的完美技术组合，是SCC80XS实现关键技术突破的重要支柱之一。

全链路低功耗设计：基于22nm Stack工艺的系统性能效优化

当前手机CIS的功耗表现，已经成为各大厂商技术竞争的核心焦点之一。先进的制程工艺和创新的低功耗设计是降低功耗的关键。

SCC80XS通过先进的工艺平台和多项技术优化，实现了显著的功耗降低，其基于SmartClarity®-SL Pro技术平台与22nm Stack先进工艺制程，成为实现超低功耗的底层架构和制程保障。

在实际应用中，SmartClarity®-SL Pro给用户技术带来的直接价值是，一方面，有效减少手机在进行高清视频录制等高负载任务时的设备发热，保障了长时间、稳定的拍摄性能，避免因过热导致卡顿或关机；另一方面，显著降低了影像系统对手机电量的消耗，从而提升了整机的续航能力。

需指出的是，SCC80XS的低功耗表现，并非单一技术就能实现，而是从工艺（22nm）、像素（SFCPixel-SL）、光学（NBDTI/Low-n Grid）到电路设计（PixGain HDR等） 的全链路创新，系统性解决了高分辨率、小像素尺寸传感器在噪声、色彩、感光和功耗上的固有矛盾，是思特威实现了从5000万像素到2亿像素的跨越，并在读取噪声、量子效率等关键指标上达到了行业领先水平的重要支撑。

而SmartClarity®-SL Pro则是思特威实现低功耗的“技术引擎”，SCC80XS的成功，也充分验证了这一平台的前沿性和成熟度。

PixGain HDR®方案：支持4K 120fps的85dB超动态范围

思特威SCC80XS的宽动态特性主要由其搭载的PixGain HDR®技术实现，并达到了行业领先的水平。

实际应用中，人们常会遇到逆光、室内窗外强光、明暗交织等明暗对比鲜明的场景，传统传感器在面对这些场景时，要么亮部过曝变成一片白，要么暗部欠曝变成一片黑，丢失大量细节。

对此，思特威SCC80XS通过PixGain HDR® 高动态范围技术解决方案，实现了最高 85dB 的超高动态范围，能够完美应对大光比场景，同时，避免了被摄物体在多帧拍摄间移动导致的“鬼影”问题，让拍摄高速运动物体时的照片与视频画面清晰无拖尾。

不得不提的是，得益于高效的数据处理方式，PixGain HDR®能够支持 4K@120fps超高帧率视频及全焦段4K@60fps HDR视频拍摄，这是传统多帧合成HDR难以实现的高性能：一方面，使得画面明、暗景细节都能清晰展现；另一方面，做到超高帧率视频成像，满足高速运动场景流畅、无拖尾成像需求。

该技术的另一好处是，将大部分HDR合成工作在传感器端完成，减轻了手机主处理器的运算负担，从而有助于降低整体系统的功耗和发热。

结语

当移动影像进入超高像素应用时代，思特威以SCC80XS的硬核创新打破了“高像素与高性能不可兼得”的行业困局。从ISSCC收录的技术认可到全链路创新的性能突破，这款2亿像素传感器不仅是企业从5000万像素迈向2亿像素新高度的里程碑，更拓宽旗舰手机影像的技术边界。

随着2026年量产落地，它将为消费者带来超清夜景、精准色彩、持久续航与流畅动态捕捉的全维度升级，加速移动影像迈入2亿像素超高清时代。而思特威在技术研发中沉淀的平台能力与创新方法论，更将为全球CIS行业的技术迭代提供宝贵借鉴，持续赋能智能终端影像的进化之路。

2.芯旺微电子携SMC6008AF与SRT1200亮相汽车工程学会年会，双芯突破彰显车规布局实力

10月22日至24日，第三十二届中国汽车工程学会年会暨展览会盛大启幕，上海芯旺微电子技术股份有限公司（以下简称“芯旺微电子”）携KungFu车规芯片汽车五大域应用展产品精彩亮相，其中SMC6008AF底盘专用芯片与SRT1200无线射频芯片成为展会焦点，凭借卓越的性能与创新的技术，充分展现了芯旺微电子在车规芯片领域的深厚积淀与前瞻布局。

中国汽车工程学会副理事长、西安建筑科技大学校长、长安大学教授赵祥模，中国汽车工程学会人工智能分会主任委员、清华大学车辆与运载学院党委书记、长聘教授李升波，清华大学汽车产业与技术战略研究院院长助理刘宗巍，中国汽车工程学会副秘书长李顺虎，东风汽车采购管理部总经理徐斌，重庆长安汽车采购中心副总经理陈津，江汽集团采购中心副总经理魏沈平，同济大学汽车院长张立军等一行领导莅临芯旺微电子展台参观，了解全自主国产化车规芯片的发展现状与上车应用情况。

双雄亮剑：两款核心产品引领技术革新

作为保障车辆行驶安全的核心环节，底盘对芯片的集成度、可靠性与安全性有着极高要求，而SMC6008AF正是芯旺微电子针对这一需求推出的标杆产品，彻底填补了该领域国产化空白。除了底盘芯片，车载无线通信场景自主可控也备受市场关注，芯旺微电子顺势推出无线射频芯片SRT1200，支持以低功耗优势为车载钥匙、胎压监测等高频应用提供高效解决方案。

SMC6008AF：填补国产化空白的底盘“安全芯”

作为2025年上半年量产的底盘专用芯片，SMC6008AF堪称汽车底盘控制领域的突破性产品。该芯片高度集成数字阀驱动、高精度恒流阀驱动、泵电机预驱等多元功能模块，其内置的轮速传感器接口兼容标准I型双线制、智能II型双线制和III型VDA双线制三种数据输入，通用性极强。

在技术与应用创新方面，SMC6008AF实现了双重突破。技术层面，其一，超高集成度极大简化了外部元件配置，助力客户提升板级标准化水平，在降低方案成本的同时增强了系统可靠性；其二，丰富的内建自测试功能覆盖低压检测、温度报警、SPI错误检测等多个维度，实现全生命周期异常监测，为芯片安全运行筑牢防线。应用层面，该芯片作为首款底盘专用国产芯片，成功打破国外技术垄断与供应限制，已完成高附、低附试验并在品牌乘用车车型中量产交付，为汽车底盘系统自主可控提供了关键支撑。

SRT1200：低功耗无线通信的“高效芯”

SRT1200是一款高度集成的低功耗超高频ASK/FSK射频接收器，采用32-Pin QFN封装，集成射频前端、数字基带两大核心模块，仅需少量片外元器件即可实现可靠无线通信。在功耗控制上，该芯片表现亮眼，低频带RX模式平均功耗12.42mA，21ms周期3通道轮询模式平均功耗低至1.8mA，典型关断模式下电流仅为0.7nA@3.3V和2.3nA@5V，尽显低功耗优势。其频带覆盖310MHz~318MHz、418MHz~477MHz、836MHz~956MHz等多个范围，支持五种Service配置，可通过SPI命令动态修改，最多实现15个通道的灵活轮询。

技术与应用创新上，SRT1200采用双正交混频和低中频架构，具备出色的镜像抑制能力，高精度SD-ADC在低链路增益下实现高灵敏度的同时，无需调节增益即可获得卓越抗阻塞性能。应用方面，该芯片在车载钥匙信号接收、胎压监测信号接收等领域应用广泛，目前已有样片在10家Tier 1企业进行验证测试，对标国际大厂产品，展现出强劲的市场竞争力。

从SMC6008AF在底盘领域打破国外垄断、筑牢安全防线，到SRT1200在无线通信场景以低功耗性能对标国际水准，两款产品分别在汽车“安全控制”与“高效连接”两大核心需求上实现突破，展现了芯旺微电子对车规芯片细分场景的精准把控。

精准落子：双产品布局凸显车规“价值”内核

芯旺微电子对SMC6008AF与SRT1200的战略布局，深刻诠释了其车规芯片领域的价值导向，从技术突破、供应链安全到产业赋能形成多维价值闭环。

在技术自主化价值层面，两款产品均突破关键技术瓶颈。SMC6008AF打破国外在底盘专用芯片领域的垄断，SRT1200在无线射频接收技术上实现国产化替代，助力我国汽车产业摆脱对国外芯片的依赖，夯实技术自主根基。

供应链安全价值方面，芯旺微电子依托全产业链国产化布局与虚拟IDM模式，为两款产品提供了稳定的产能保障。公司自建车规认证实验室与三温FT测试工厂，2024年将工厂面积从1500平米扩至5500平米，自建CNAS可靠性验证实验室，并与供应链保持十余年协同合作，构建起共生共赢的合作伙伴生态，确保产品稳定供应，应对行业供应链波动风险。

产业赋能价值上，两款产品精准匹配汽车产业需求。SMC6008AF优化底盘系统设计方案，降低车企研发与生产成本；SRT1200以低功耗、高可靠性满足车载无线通信场景需求，助力提升汽车智能化与安全性，推动汽车产业高质量发展。同时，芯旺微电子组建超30人的FAE现场支持服务团队，覆盖多个核心城市，为下游企业提供高效的售前售后服务，进一步强化产业服务价值。

全域覆盖：构建综合性车规芯片生态体系

两款明星产品的亮眼表现，仅是芯旺微电子综合性车规芯片布局的缩影。目前，芯旺微电子已构建起涵盖控制类、驱动类、通讯类三大核心品类的车规芯片产品矩阵，实现汽车应用全场景覆盖。

控制类芯片方面，拥有近百款产品型号，应用于超200款车型，代表产品KF32A158性能卓越，通过ASIL-B产品认证；驱动类芯片以SMC6008AF为代表，广泛应用于底盘刹车系统、空悬系统等领域，具备高集成度、配置灵活等优势；通讯类芯片则以SRT1200为核心，在车载钥匙、胎压监测等场景展现出优异的射频性能。

在具体应用场景中，芯旺微电子芯片全面渗透底盘系统、动力系统、车身系统、座舱系统、智驾系统五大核心领域，提供多元化产品选型。截至目前，芯旺微电子车规级MCU出货量超1.6亿颗，KungFu系列MCU出货量超10亿颗，在底盘转向和刹车等高安全系统应用中突破1000万颗，市场认可度持续攀升。

更值得关注的是，芯旺微电子通过全自研KungFu内核、全产业链国产化布局、自研开发工具链以及虚拟IDM模式，构建起全方位的技术与供应链保障体系，彻底摆脱内核授权限制，实现芯片设计、制造、测试等全流程自主可控。

当业内还在讨论如何迎接车规芯片国产化机遇时，芯旺微电子再次用SMC6008AF、SRT1200交出一份“缺什么、补什么”的答卷：以专用SoC技术创新切入，以系统级降本说服客户，以全栈国产化保驾护航。从无钥进入系统到底盘控制，芯旺微电子正在把一颗颗“价值型”车规芯片串成纵横五大域的KungFu生态，让“国产替代”走向“国产引领”。

3.特朗普出狠招？美拟禁售软件产品给中国从笔电到喷射引擎全入列

综合外媒周三(22 日) 报导，美国官员与知情人士透露，特朗普政府正考虑限制对中国出口大量由软件驱动的产品，从笔记本电脑到喷射引擎，以报复北京最新推出的稀土出口限制。

这项计划若实施，将兑现特朗普本月初的威胁，禁止含有美国软体或使用美国软件生产的产品出口到中国。

贝森特：所有选项都在考虑中

美国财长贝森特周三被问及对中国软件出口限制时回应：「所有选项都在考虑中，若实施出口管制，无论是软件、引擎或其他东西，都可能与G7 盟国协调。」

知情人士说，这项措施可能不会真正推进，但特朗普政府正考虑大幅升级与中国对抗，尽管政府内部有人倾向更温和做法。 「所有你能想到的东西都是用美国软体做的，」其中一位消息人士说，这凸显了拟议行动所涉及的范围之广。

美国股市周三闻讯一度扩大跌势，标普500 指数跌0.8%，那斯达克指数跌1.3%，随后跌幅收敛。

可能只是施压手段

消息人士称，政府官员可能宣布这项措施向中国施压，但不会真正实施。也有范围较窄的政策提案在讨论中。目前尚不清楚这项计画有多认真。对中国实施全面性技术限制可能扰乱全球贸易，尤其是科技产品，若全面实施也可能损害美国经济。

贝森特补充，美国高阶官员「怀抱善意」和「高度尊重」与中国政府展开谈判。

中国大使馆发言人没有对具体措施发表评论，但表示中国反对美国实施「单边主义和长臂管辖」，并誓言若美国继续走错误道路，将「坚决维护自身合法权益」。

白宫拒绝置评，而负责监管出口管制的商务部未回应置评请求。

特朗普态度反覆

尽管特朗普上任以来对中国征收一系列关税，但在出口限制上态度反覆。他曾对英伟达和AMD的AI芯片实施严格限制后又取消，5 月底对芯片设计软体等产品祭出新限制，7 月初也取消。

目前中国进口商品面临美国约55% 关税，若特朗普兑现威胁可能飙升至155%。但他威胁后态度似乎软化，10 月12 日发文称：「美国想帮助中国，而不是伤害它！！！」（钜亨网）

4.商务部关于发放相关模拟芯片反倾销案调查问卷的通知

10月22日，商务部贸易救济调查局发布《关于发放相关模拟芯片反倾销案调查问卷的通知》。

通知指出，2025年9月13日，中华人民共和国商务部发布2025年第27号公告，决定对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：85423990，该税则号项下其他产品不在本次调查范围之内。根据《中华人民共和国反倾销条例》有关规定，现就该反倾销案调查问卷发放相关工作通知。

通知表示，调查问卷分为三类：国外出口商或生产商问卷、中国国内生产者问卷和中国国内进口商问卷。各相关方需按照要求填写对应问卷，并在问卷发放之日起37日内提交完整准确的答卷。若在规定期限内未能按要求提供答卷，或存在《中华人民共和国反倾销条例》第二十一条规定的其他情况，调查机关将依据已获得的事实和可获得的最佳信息作出裁定。

此前在9月13日，商务部发布公告称决定自2025年9月13日起对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查。公告称，商务部于2025年7月23日收到江苏省半导体行业协会代表国内相关模拟芯片产业正式提交的反倾销调查申请，申请人请求对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。商务部依据《中华人民共和国反倾销条例》有关规定，对申请人资格、申请调查产品有关情况、中国同类产品有关情况、申请调查产品对国内产业影响、申请调查国家有关情况等进行了审查。根据上述审查结果，依据《中华人民共和国反倾销条例》第十六条的规定，商务部决定自2025年9月13日起对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查。本次调查通常应在2026年9月13日前结束，特殊情况下可延长6个月。

以下为通知原文：

关于发放相关模拟芯片反倾销案调查问卷的通知

各利害关系方：

2025年9月13日，中华人民共和国商务部发布2025年第27号公告，决定对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：85423990，该税则号项下其他产品不在本次调查范围之内。根据《中华人民共和国反倾销条例》有关规定，现就该反倾销案调查问卷发放的相关工作通知如下：

一、本案调查问卷分为国外出口商或生产商问卷、中国国内生产者问卷、中国国内进口商问卷三类（见附件）。有关答卷要求、提交方式及提交时限详见各问卷。

二、外国出口商或生产商应当按要求填写国外出口商或生产商调查问卷。国内生产者应当按照要求填写国内生产者调查问卷。国内进口商应当按照要求填写国内进口商调查问卷。

三、本通知发出之日即为问卷发放之日，相关利害关系方应按要求在问卷发放之日起37日之内如实填写，并提交完整准确的答卷。如在规定期限内未能按照问卷要求提供答卷，或存在《中华人民共和国反倾销条例》第二十一条规定的其他情况，调查机关可以根据已经获得的事实和可获得的最佳信息作出裁定。

四、请在商务部网站贸易救济调查局子网站贸易救济调查栏目（网址为

http://trb.mofcom.gov.cn）或中国贸易救济信息网（http://cacs.mofcom.gov.cn）下载问卷。相关利害关系方应通过“贸易救济调查信息化平台”（https://etrb.mofcom.gov.cn）提交答卷的电子版本，并根据调查机关的要求，同时提交答卷的纸质版本和光盘。电子版本和纸质版本内容应相同，格式应保持一致。相关利害关系方在本次问卷发放或答卷过程中如有疑问，可向调查机关咨询。

5.苹果新款Vision Pro头显产地转向越南，持续推进供应链多元化策略

苹果公司最新推出的Vision Pro头显在包装标签上显示，该产品已开始在越南组装。这一变化标志着苹果公司在其产品生产地方面的显著调整。

据悉，这款搭载全新M5处理器并配备更舒适头带的最新型号，将于本周三正式上市。而于2024年2月亮相、搭载M2处理器的原版Vision Pro，最初是在中国生产的。

尽管Vision Pro在苹果产品线中属于产量较低的产品，但此次产地变更凸显了苹果公司逐步减少对中国依赖的战略转向。尽管大部分iPhone仍在中国制造，但苹果已将大量面向美国市场的设备生产转移到其他国家。

苹果公司一直在艰难地平衡与中国的关系，同时应对美国总统特朗普实施的关税政策以及供应链多元化的现实需求。

今年早些时候，苹果公司将大部分面向美国市场的iPhone供应转移至印度，以规避针对中国制造商品的新关税。此外，苹果公司的大部分AirPods和Apple Watch已在越南生产，部分iPad和HomePod也在该国制造。

据报道，苹果公司即将推出的新款智能家居设备，包括智能显示屏、室内安全摄像头和桌面机器人，也将在越南生产。

不仅如此，苹果公司还逐步在泰国和马来西亚生产一些Mac型号。今年初，苹果公司与印度尼西亚政府达成协议，将在该国生产AirPods Max耳机的一些网状部件。

尽管完整Vision Pro产品的包装上标有“越南制造”标签，但购买新款双编织头带作为独立配件的客户发现，该配件仍在中国制造。原版Vision Pro由中国企业立讯精密生产，该公司也生产部分AirPods。

目前尚不清楚苹果公司是否将所有Vision Pro的生产都转移至越南，还是部分配置仍在中国的工厂组装。苹果公司通常会将其他设备的生产分散在多个国家，尽管这些产品的销量通常更高。

此外，苹果公司还扩大了部分国内生产。苹果公司及其合作伙伴康宁公司宣布，计划在美国生产所有面向全球销售的iPhone和手表的盖板玻璃。尽管苹果公司短期内不太可能在美国本土生产其旗舰或复杂产品，但已在得克萨斯州组装了一些高端Mac Pro台式电脑。

6.中美日刻蚀设备技术路线与未来格局研判，从单项突破到平台布局

刻蚀技术作为半导体制造的核心工艺，承担着将光刻胶上的图形精确转移到晶圆表面薄膜的关键任务。随着芯片制程进入5nm、3nm及以下节点，以及FinFET、GAA等三维器件结构的普及，刻蚀技术的复杂性和重要性愈发凸显。在这一背景下，谁掌握了先进的刻蚀技术并构建了有效的专利壁垒，谁就能在全球半导体产业链中占据战略制高点。本文将从核心技术路径出发，系统分析中国、日本、美国三国在刻蚀设备领域的产业格局与专利布局。

从技术路径来看，刻蚀工艺主要分为湿法刻蚀与干法刻蚀两大路线。随着半导体制造向7nm及更先进节点发展，芯片集成度不断提高，器件结构日益复杂，对刻蚀工艺的精度、选择性和一致性提出了前所未有的要求。在这一趋势下，干法刻蚀凭借其卓越的技术适配性与工艺控制能力，已在逻辑芯片、存储芯片等高端制程中占据绝对主导地位，成为推动半导体技术迭代的关键工艺。

在全球竞争格局中，美国始终保持着刻蚀设备领域的技术引领者和专利主导者地位。应用材料（Applied Materials）和泛林集团（Lam Research）两大巨头已在美国、欧洲、中国、日本、韩国等核心半导体产区构建起规模庞大、质量顶尖的专利矩阵。应用材料在CCP与ICP两大技术路线上均展现出强劲实力，产品线覆盖全面，尤其在导体刻蚀与介质刻蚀领域保持领先；而泛林集团则在CCP技术领域，特别是高深宽比刻蚀方面具有绝对统治力，其设备已成为3D NAND制造过程中不可或缺的核心环节，堪称该领域的“命脉级”企业。

与此同时，日本东京电子（Tokyo Electron）作为全球第三大刻蚀设备供应商，在CCP和ICP领域都展现出强大的竞争力，特别是在介质刻蚀领域与美系企业并驾齐驱。与美国企业追求全面专利压制不同，东京电子的专利布局更注重深度，在其优势领域——如特定介质材料的刻蚀工艺、反应器内部件设计等方面构建了深厚而坚固的专利壁垒。这些专利与3D NAND、DRAM等具体器件制造工艺紧密结合，展现出极强的实用性。

相比之下，中国刻蚀设备产业的专利申请量近年来呈现爆发式增长，展现出强劲的发展势头。然而，在等离子体源基础原理、核心材料、关键子系统等方面的基础性、原创性专利仍然偏少，专利组合的深度和广度与美国相比存在显著差距。这种差距也体现在各家设备厂商的技术定位和市场策略上。

中国刻蚀设备企差异化发展格局

具体来看，中国刻蚀设备企业已形成差异化发展格局。中微公司作为技术突破的领军者，其CCP设备已实现对28纳米以上绝大部分应用的全面覆盖，并在28纳米及以下节点取得重要进展。在3D NAND芯片的高深宽比刻蚀和逻辑芯片的前端刻蚀方面，中微的技术已达到7nm、5nm等先进节点，被全球顶级芯片制造商所采用。然而，其平台化能力相对较弱，尚不能提供全流程解决方案。在ICP设备方面，中微的产品已进入逻辑、DRAM、3D NAND等50条客户生产线，在MEMS和先进封装的深硅刻蚀领域表现优异，但要进入最复杂的关键工艺步骤，仍需经历更严苛的验证周期。

北方华创凭借其平台型企业的独特定位，形成了差异化竞争优势。该公司能够向晶圆厂提供“刻蚀+薄膜沉积+热处理+清洗”等多种设备的组合方案，这种一站式服务模式对快速扩建的国内晶圆厂具有强大吸引力。在技术层面，北方华创的CCP设备在8英寸产线的硅刻蚀、介质刻蚀应用中已占据主导地位，在12英寸产线也成功应用于硬掩模刻蚀、铝垫刻蚀等关键非核心步骤。值得注意的是，其ICP设备的发展势头更为强劲，市场认可度持续提升。然而，在最先进的逻辑芯片制造和128层以上3D NAND芯片的极高深宽比接触孔刻蚀等尖端应用领域，北方华创设备的技术成熟度、工艺均匀性和稳定性仍有提升空间，尚未进入全球顶尖芯片制造商的最先进量产线。

盛美上海则选择了特色化发展路径。其CCP设备主要聚焦于化合物半导体和先进封装领域，凭借在清洗设备领域的客户基础，提供刻蚀与清洗的组合工艺解决方案。尽管化合物半导体和先进封装的市场规模相对有限，但盛美上海的ICP设备通过集成独特的TEBO™刻蚀技术，实现了重要突破——其Ultra ECP MAP设备已进入一家全球顶级存储芯片制造商的生产线并用于量产。不过，该技术仍需在更多客户和更广泛产线上证明其长期稳定性和普适性。

此外，屹唐股份在成熟制程和特色工艺领域占据重要生态位。对于不需要最尖端性能的产线来说，屹唐的CCP和ICP设备提供了经过验证、稳定可靠的解决方案，且具备良好的性价比。其设备主要服务于8英寸及部分12英寸成熟制程，以及在功率半导体、MEMS、先进封装等特色工艺领域。然而，在性能参数上，其ICP设备仍难以与头部企业的产品正面竞争。

刻蚀设备核心演进方向

基于全球半导体技术发展趋势和各厂商的战略布局，刻蚀设备未来将向两个核心方向演进。

首先，平台化布局将成为必然选择。芯片制造商希望减少供应商数量、简化供应链管理，更倾向于能够提供“交钥匙”解决方案的合作伙伴。应用材料的“Endura”平台是这一趋势的典范，它将PVD、CVD、刻蚀、表面处理等工艺集成在单一真空环境中。在这一方向上，北方华创凭借其广泛的设备产品线天然具备平台化优势；中微公司也通过投资和合作，向“刻蚀+薄膜沉积”的复合目标迈进。未来，平台化将不再是“可选项”而是“必选项”，竞争将升级为平台与平台、生态系统与生态系统之间的较量。

其次，面对极致精度与新材料、新结构的挑战，原子级制造成为必然方向。随着芯片结构从纳米尺度走向原子尺度，从二维平面走向三维立体，从FinFET到GAA再到未来的CFET，这些变革对刻蚀技术提出了前所未有的要求。新型二维材料、金属栅、High-K介质等新材料的引入，要求刻蚀技术实现原子级的选择性。这意味着刻蚀设备将逐渐演变为能够进行“原子级手术”的精密仪器。

在这一趋势下，中微公司作为国内在尖端刻蚀技术研发上投入最大、进展最快的企业，正聚焦最具挑战性的技术难关。据了解，其CCP和ICP设备在5纳米、3纳米及以下工艺中，正在攻克高深宽比接触孔刻蚀、栅极刻蚀以及GAA结构中的纳米片沟道释放刻蚀等关键步骤。这些步骤要求刻蚀工艺具备极高的各向异性、原子级的选择比和极低的器件损伤。为此，中微已将原子层刻蚀（ALE）这一实现原子级精度去除的终极技术列为核心研发方向。

北方华创则采取了不同的技术策略，更注重发挥其平台化优势，在多个关键领域同步推进。虽然在最先进的7nm以下逻辑节点上可能稍显滞后，但该公司在功率半导体和MEMS传感器等特色工艺领域，其刻蚀设备的精度已达到国际先进水平。同时，北方华创也在积极研发ALE等先进技术，凭借其强大的资金实力和国家项目支持，确保在原子级制造这一长远技术方向上保持持续的研发投入和技术跟进。

总体而言，中国刻蚀设备产业正呈现出多元化、差异化的发展态势，在各细分领域都取得了显著进展。随着平台化布局和原子级制造两大趋势的深入推进，全球刻蚀设备市场的竞争格局将持续演变，而中国企业的技术突破和战略选择将在这一过程中扮演越来越重要的角色。

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