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格罗方德取得台积电GaN技术授权 瞄准数据中心、工业与汽车市场
10 小时前
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来源：集微网
格罗方德与台积电签署技术授权协议，取得650V与80V氮化镓制程技术，加速推出新一代GaN电源元件，应用于数据中心、工业及汽车领域，计划2026年底投入生产。
格罗方德（GlobalFoundries) 周一(10 日) 宣布，已与台积电签署技术授权协议，取得650V 与80V 氮化镓(GaN) 制程技术，此举将协助格罗方德加速推出新一代GaN 电源元件，应用于数据中心、工业及汽车领域，并提供位于美国境内的GaN 产能，服务全球客户。
随着硅基CMOS 技术逐渐逼近效能极限，GaN 被视为满足高效率、高功率密度、小型化需求的关键。
格罗方德正布局完整GaN 产品线，涵盖650V 与80V 高效能制程，可支持电动车、数据中心、再生能源及快充等应用。
格罗方德表示，其GaN 解决方案针对高压环境设计，强调从制程、元件到应用整合的全方位可靠性。
格罗方德计划在旗下位于美国佛蒙特州伯灵顿的晶圆厂导入并认证台积电GaN 技术，借重当地在高压GaN-on-Silicon 技术上的经验，缩短量产时程。开发将于2026 年初展开，并预计当年底投入生产。
格罗方德电力事业资深副总裁Téa Williams 表示，技术授权显示公司致力于创新与差异化电源技术，GaN 导入将加速相关芯片开发，协助解决数据中心、汽车与工业场域等多项关键电力需求。
格罗方德为全球半导体制造企业，产品涵盖汽车、智能手机、物联网及通讯基础设施等市场，于美国、欧洲与亚洲设有生产据点，强调供应安全性、可靠度与永续性。
