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汇顶科技“CMOS成像传感器及相关制造方法”专利获授权
8 小时前
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来源：集微网
深圳市汇顶科技取得CMOS成像传感器及相关制造方法专利，描述了鞍形栅极源极跟随器晶体管结构，包括三维几何形状沟道区、栅极氧化层及鞍形栅极结构。
天眼查显示，深圳市汇顶科技股份有限公司近日取得一项名为“CMOS成像传感器及相关制造方法”的专利，授权公告号为CN114649358B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2021年12月15日。
描述了一种CMOS成像传感器及相关制造方法。CMOS图像传感器像素的像素内电路系统内集成有鞍形栅极源极跟随器晶体管。鞍形栅极源极跟随器晶体管结构可以包括具有由沟槽在其轴向侧上限定的三维几何形状的沟道区。在沟道区的顶部和轴向侧上方形成栅极氧化层，并且在栅极氧化层上形成鞍形栅极结构。因此，鞍形栅极结构包括在沟道区的顶部上方延伸的座部，以及在沟道区的第一和第二轴向侧上方延伸的第一和第二防护部，使得第一和第二防护部被掩埋在半导体衬底的上表面的下方（例如，掩埋在侧隔离区中形成的沟槽中）。
