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臻驱科技“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”专利获授权
9 小时前
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来源：集微网
臻驱科技取得带镂空结构双面散热功率半导体模块专利，包括上下衬底、直流正负极端子、上桥臂和下桥臂芯片，上衬底与下桥臂芯片对应位置为镂空区域。
天眼查显示，臻驱科技（上海）股份有限公司近日取得一项名为“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”的专利，授权公告号为CN115547954B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年10月20日。
本发明提供了一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块，包括上衬底和下衬底，下衬底上设有直流正极端子，上衬底上设有直流负极端子，直流正极端子与直流负极端子叠合设置；下衬底上设有若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片，若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片之间设有第一垫块，第一垫块同时连接上衬底和下衬底；上衬底包括上表面金属层、绝缘介质层和下表面金属层，上衬底与下桥臂芯片相对应的位置为镂空区域，镂空区域仅包括下表面金属层；镂空区域贯穿上衬底一端的边缘。
