追赶台积电,日本Rapidus计划2027年建设1.4nm晶圆厂
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来源:集微网
Rapidus计划2027财年建第二座工厂,2029年量产1.4nm芯片,缩小与台积电差距。首座工厂2027年量产2nm芯片。资金主要来自政府补贴,与IBM合作。全球芯片制造商竞相缩小电路宽度,Rapidus面临挑战。

Rapidus致力于将尖端半导体的生产带回日本,计划于2027财年启动第二座工厂的建设。该工厂计划最早于2029年开始生产1.4nm芯片——这是目前世界上最先进的芯片之一——这将缩小与全球最大芯片代工厂台积电(TSMC)的差距。

该项目预计耗资数万亿日元。日本政府将向该公司投资数千亿日元,其中一部分将用于研发。该项目有望成为振兴日本芯片产业的关键一步。

Rapidus位于千岁市的首座工厂计划于2027财年下半年开始量产2nm芯片。即便2nm芯片的量产尚未完全成熟,Rapidus也计划迅速推进第二座工厂的建设,该工厂除了生产1.4nm芯片外,可能还会生产1nm芯片。

日本政府补贴将构成大部分资金来源,其余资金将通过日本大型银行的贷款和私营企业的投资来筹集。这些贷款将由政府担保。预计第二座工厂的总投资将超过2万亿日元(约合人民币908亿元)。

从2026财年开始,该公司计划全面开展1.4nm芯片的研发工作,同时继续与IBM合作,后者为2nm芯片提供技术。该公司在7月份确认,其2nm芯片设备已投入使用,但尚未确定量产方案。Rapidus希望通过设定1.4nm以下制程节点的量产目标,来确保长期客户。

一般来说,纳米尺寸越小,性能和能效就越高。先进的1.4nm芯片有望成为数据中心、机器人、自动驾驶汽车和智能手机等高科技产品和应用的核心部件。

全球芯片制造商都在竞相缩小芯片的电路宽度。台积电计划2025年量产2nm芯片,并在2028年量产1.4nm芯片。三星电子计划在2027年量产1.4nm芯片。

日本Rapidus计划在2029年开始量产,并力求快速实现量产,以跟上竞争对手的步伐。然而,据报道,三星和英特尔在提高其尖端产品的良率方面遇到了困难,这意味着Rapidus也将面临着挑战。(校对/赵月)