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台积电展望定制版 HBM4E 内存：N3P 制程基础裸片集成内存控制器
1 小时前
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来源：IT之家
台积电在2025年OIP生态系统论坛欧洲场分享对首代定制HBM内存看法，认为定制HBM将在HBM4E时代落地，称C-HBM4E。台积电将提供N3P先进制程基础裸片解决方案，能效提升至HBM3E的2倍左右，Vdd电压降至0.75V。
IT之家 11 月 28 日消息，参考德媒 Hardwareluxx 编辑 Andreas Schilling 在社交平台分享的图片，台积电在本月 25 日于荷兰阿姆斯特丹举行的 2025 年 OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场上分享了对首代定制 HBM 内存的看法。
与美光首席商务官 Sumit Sadana 的观点类似，台积电也认为定制 HBM 将在 HBM4E 时代正式落地，其对相关产品的称呼是 C-HBM4E。
台积电在 HBM4 时代提供了 2 种不同的 HBM Base Die（基础裸片）制程方案，分别是面向主流市场的 N12FFC+ 和追求更高性能的 N5。
而在 C-HBM4E 上，为向基础裸片集成 MC（内存控制器）以满足节省计算芯片面积等需求，台积电将提供 N3P 先进制程基础裸片解决方案，宣称可将能效提升至 HBM3E 基础裸片的 2 倍左右。同时 C-HBM4E 的 Vdd 电压将仅有 0.75V，较 HBM4 进一步降低。
