1.三星HBM4芯片冲刺英伟达认证，12月见分晓；

2.三星2026年盈利或破百万亿韩元大关，2nm芯片成关键驱动力；

3.得一微荣获中汽协2025中国汽车芯片创新成果奖，以AI存力加速推进国产化；

4.韩国半导体11月出口额达172.6亿美元，创单月历史最高记录；

5.SK海力士计划2026年扩充非HBM通用DRAM产能；

6.孙正义称“哭着”卖出英伟达股票，只是更需要资金投资AI

1.三星HBM4芯片冲刺英伟达认证，12月见分晓

三星电子与英伟达合作的HBM4内存芯片认证测试已接近尾声，预计12月公布的结果将标志着该公司近年来在高端内存市场取得最重大的复苏之一。与此同时，还有报道称，三星已对其内存研发部门进行重组，以稳定HBM的生产。

报道称，三星的HBM4评估已进入最后阶段，最早可能于2025年12月完成。初步评估结果显示，HBM4在速度、能效和可靠性方面均表现良好。

三星的HBM4样品已超过英伟达下一代GPU所需的11Gbps传输速率。这标志着三星在HBM3E周期中遭遇了逆转，当时由于良率和稳定性问题而落后于竞争对手。在HBM4阶段，三星通过将增强型1c级DRAM与4nm逻辑基片相结合，缩小与竞争对手的差距。这种配置对于应对超过11Gbps传输速率后出现的发热量和功耗急剧上升至关重要。

行业分析师表示，预计12月初公布的最终结果可能会重新平衡HBM市场格局。如果认证成功，三星的样品出货速度将加快，客户群体也将更加多元化，市场结构将转向更加均衡的两家供应商格局。

如果三星获得英伟达的批准，分析师认为这将是该公司多年来最强劲的反弹，并可能从2025年开始重塑内存市场格局。随着微软、Meta和谷歌等云服务提供商锁定2025年和2026年的HBM供应，采购模式正从短期周期转向基于成熟制造可靠性的长期合同。

英伟达也在寻求避免过度依赖单一内存供应商。三星HBM4的强劲表现将有助于其供应商多元化战略。

HBM4对工程技术提出了极高的要求，包括精确的TSV对准、成熟的DRAM工艺以及在11Gbps以上速率下严格的散热和电源管理控制。虽然三星被认为在这些领域已经取得稳定的研发成果，但早期量产的良率仍然是最大的不确定因素。

业内人士警告称，如果测试结果不尽如人意，竞争对手可能会进一步巩固其领先地位。HBM4被认为是行业内“最关键的战场”，明年的市场格局将很大程度上取决于英伟达的决定。

三星已成立整合的内存研发部门，并将HBM研发团队划归其设计部门。此次重组由三星副总裁兼DRAM产品与技术团队负责人Hwang Sang-joon领导，推翻了2024年为解决良率问题而将HBM团队剥离的决定。

三星用于HBM4的1c级DRAM近期良率已达到70%左右，这增强了三星内部对HBM相关研发和制造趋于稳定的信心。

三星计划通过将更先进的DRAM工艺与下一代芯片技术相结合，推进其在HBM4、HBM4E以及未来HBM5领域的研发路线图。行业分析师表示，英伟达的最终认证结果将在很大程度上决定三星从2025年起的竞争力，以及HBM市场是否会转变为稳定的双供应商结构。

2.三星2026年盈利或破百万亿韩元大关，2nm芯片成关键驱动力

据韩国Kiwoon证券的一位资深研究员估计，三星电子明年的运营利润有望达到90-100万亿韩元（约合620亿至690亿美元）。

此前有报道称，三星计划在2027年使其代工业务实现盈利，这意味着提升2纳米GAA（环绕栅极）工艺的良率成为其首要任务。三星的首个基于该工艺的芯片组——Exynos 2600，将在Galaxy S26系列中首次亮相，其表现将成为三星的一次重要考验。

扩大HBM4市场份额、提高NAND和DRAM的盈利能力，以及满足客户对2纳米GAA晶圆的需求，是三星实现明年创纪录运营利润的几大途径。Kiwoon证券的资深研究员Park Yoo-ak对三星在2026年登顶的预测最为乐观，他预计公司明年将实现100万亿韩元的运营利润。

据报道，Park Yoo-ak的预测基于HBM4市场份额的显著增长，以及通用DRAM价格56%的飙升。此外，由于NAND闪存价格的上涨，三星预计将迎来其收入的显著提升。

三星的2纳米GAA工艺目前已获得两家中国加密货币采矿设备制造商的订单，并与特斯拉签署了一项价值165亿美元的巨额合同，预计将提高其良率，从而帮助三星建立稳固的客户基础。

公司还向高通提供了基于2纳米GAA技术的Snapdragon 8 Elite Gen 5样品以供评估，但预计在明年的Snapdragon 8 Elite Gen 6发布时，三星的角色将更加突出。KB证券的研究员Kim Dong-won表示，韩国科技巨头部分成功源于谷歌TPU订单的增加。

据报道，Kim Dong-won还指出，扩大内存供应和得益于谷歌Gemini集成的Galaxy智能手机销量增加，将有利于三星的运营利润，预计营业利润将达到100万亿韩元，同比增长129%。

3.得一微荣获中汽协2025中国汽车芯片创新成果奖，以AI存力加速推进国产化

近日，中国汽车工业协会主办的2025中国汽车供应链大会在芜湖成功举办，现场揭晓了“2025中国汽车芯片创新成果奖”。得一微电子（YEESTOR）凭借其国产自主高可靠车规级eMMC存力芯片SGM8205J系列，再度斩获此项殊荣。这不仅是对得一微电子持续技术领先性与产品竞争力的认可，更彰显了公司在推动汽车芯片产业链安全、赋能汽车产业智能化升级中的核心价值。

作为国内领先的AI存力芯片设计企业，得一微电子始终致力于构建安全、可靠、高性能的存力基石，让每比特数据创造更多智能。本次获奖的SGM8205J系列车规存力芯片，采用得一微自研主控芯片和自主固件，搭载国内原厂NAND Flash颗粒，实现了从芯片设计、流片到封装测试的全链路国产化，为汽车存力芯片的技术自主性与供应链安全提供了坚实保障。

在性能与可靠性方面，SGM8205J芯片表现卓越，顺序读写性能皆超过300MB/s，支持P/E磨损次数≥100,000次，在可靠性、能效和环境适应性等关键指标上深度优化，充分满足数字仪表、T-Box、ADAS、智能座舱、车载娱乐系统等车载系统应用场景需求，为智能汽车的海量数据处理、实时决策提供强大的“AI存力”支撑。

基于强大的定制化服务能力，得一微电子正与多家主流整车厂及Tier1厂商紧密合作，精准对接需求，加速国产高性能存力芯片的规模化上车应用。未来，得一微电子将持续以创新的AI存力解决方案，为汽车产业的“新四化”浪潮夯实数据根基，助力中国汽车在全球赛道上行稳致远，驰骋未来。

4.韩国半导体11月出口额达172.6亿美元，创单月历史最高记录

据韩国产业通商部12月1日最新发布的出口数据，今年韩国出口在半导体“超级周期”的推动下，有望首次突破7000亿美元大关，达到历史新高。

数据显示，韩国11月出口额为610.4亿美元，同比增长8.4%。尽管11月的开工天数比去年减少一天，但日均出口额却增长了13.3%，创下历年11月最高纪录。

11月，韩国半导体出口额同比增长38.6%，达到172.6亿美元，创下月度最高纪录，并连续9个月保持增长态势。1至11月累计出口额已达1526亿美元，已超过去年全年1419亿美元的纪录。

全球范围内，人工智能（AI）和数据中心投资的扩大，带动了对高附加值存储芯片的旺盛需求，进而推高了存储芯片价格。市场普遍预期，半导体“超级周期”有望持续较长时间。

此外，汽车出口也表现亮眼。11月韩国汽车出口额同比增长13.7%，达到64.1亿美元。截至11月，累计出口额为660.4亿美元，距离年度最高纪录仅差48.3亿美元，提前锁定年度最佳表现。

其他领域如无线通信（增长1.6%）、生物技术（增长0.1%）、二次电池（增长2.2%）和计算机（增长4.0%）的出口也有所改善。

至此，韩国已连续6个月刷新月度出口纪录，今年1至11月的累计出口额达到6402亿美元，超过2022年的6287亿美元，时隔3年再次刷新历史最高纪录。

若12月出口额能维持去年同期的613亿美元水平，韩国全年出口额突破7000亿美元将毫无悬念。值得注意的是，韩国年出口额若达到7000亿美元，将与日本相当。根据韩国贸易协会整理的国际货币基金组织（IMF）统计数据，日本年出口额在2011年达到峰值8226亿美元后呈下降趋势，2024年为7075亿美元。

5.SK海力士计划2026年扩充非HBM通用DRAM产能

12月1日，据韩媒《朝鲜日报》报道，SK海力士明年在积极扩产HBM内存的同时，也将全力扩充非HBM通用DRAM内存的产能，并计划充分利用现有晶圆厂空间，以应对未来内存需求的持续增长。

报道称，SK海力士新增的HBM DRAM产能主要集中在本季度竣工投产的清州M15X晶圆厂，而通用DRAM的新产能则将来自公司现有工厂，包括清州M8、利川M10、利川M14和利川M16等生产基地。通过对现有产线进行调整和优化，公司希望在不大幅新增资本开支的前提下，实现整体产能结构的再平衡。

在这四座晶圆厂中，清州M8和利川M10属于相对老旧的厂区，SK海力士计划最大限度利用其空间，同时对利川M14进行制程升级改造，并启用利川M16的剩余产能。业内认为，这一策略有助于在维持HBM高增长的同时，保证通用DRAM在PC、服务器及移动设备等传统市场的稳定供给。

韩媒预计，SK海力士的通用DRAM产能在2026年有望扩大至每月7万片晶圆，部分业内消息人士则认为，通过进一步扩产，公司有机会提前实现月投片量达到10万片的中期目标。在AI相关应用带动整体存储需求上行的背景下，公司正试图在高附加值HBM与通用DRAM之间寻找新的产能平衡点。

公开资料显示，近年来SK海力士在HBM等高带宽存储领域持续加大投入，在AI服务器和高性能计算市场的份额快速提升，但同时仍需兼顾传统DRAM业务，以维护与PC、移动及部分企业级客户的长期合作关系。通过充分利用老旧厂房与升级产线，公司有望提升整体产能灵活性和成本效率。

分析人士指出，本轮扩产计划反映出存储厂商在AI时代的产能布局思路，既要抓住HBM带来的结构性机遇，又需防范单一产品线波动带来的经营风险。未来SK海力士通用DRAM扩产节奏仍将受到全球终端需求、价格周期以及竞争对手策略等多重因素影响，相关产能释放与盈利表现仍存在不确定性，市场参与者需保持审慎判断。

6.孙正义称“哭着”卖出英伟达股票，只是更需要资金投资AI

软银集团创始人孙正义日前表示，若公司拥有无限的资金来支持其在人工智能领域的下一轮投资，包括对OpenAI的大额押注，那么他本不会卖出英伟达的股份。这是孙正义首次就11月份软银意外披露的清仓英伟达之举置评。

他同时驳斥了关于人工智能投资泡沫的说法。他周一在东京的一个论坛上表示，软银那么做只是因为需要募集资本来为数据中心建设等项目供资。孙正义表示，“我一股也不想卖的，只是更需要资金来投资OpenAI和其他项目，我是哭着卖出英伟达股票的。”

孙正义表示，谈论人工智能投资泡沫的人“不够聪明”。他指出，如果人工智能长期来看能创造全球GDP的10%，那么即使累计投入数万亿美元，也完全值得。“泡沫在哪里？”他问道。