SK 海力士携手东进半导体，开展EUV光刻胶研发

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来源：集微网

SK海力士携手东进半导体研发高性能EUV光刻胶，替代日本进口，满足DRAM芯片中EUV光刻层需求增长，不同世代DRAM的EUV光刻层数量递增。

据报道，SK 海力士携手东进半导体，开展高性能 EUV 光刻胶的联合研发，将替代此前由日本 JSR、东京应化工业（TOK）等企业供应的 EUV 光刻胶，同时要开发出性能超越现有产品的新型材料。

2023 年，SK 海力士曾通过旗下子公司 SK Materials Performance 实现了 EUV 光刻胶的国产化，但彼时量产的产品为低规格型号。用于核心半导体层的高性能 EUV 光刻胶，长期以来 100% 依赖日本进口。

SK 海力士推进 EUV 光刻胶研发，一方面是为了最大化利用单台价值 2000 亿韩元的 EUV 光刻设备，另一方面是为了应对 DRAM 芯片中 EUV 光刻层需求的快速增长。

随着 DRAM 芯片中 EUV 工艺的应用占比持续提升，光刻胶的研发必要性愈发凸显。不同世代 DRAM 的 EUV 光刻层数量呈递增趋势：10 纳米级 4 代（1a）为 1 层、5 代（1b）为 3 层、6 代（1c）为 5 层、7 代（1d）则达 7 层，10 纳米以下制程产品的 EUV 光刻层数量预计还将进一步增加。