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消息称铠侠计划 2026 年量产下代 BiCS10 332L NAND 闪存
1 天前
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来源：IT之家
KIOXIA铠侠计划2026年量产下代BiCS10 3D NAND闪存，采用332层堆叠技术，位密度提升59%。同时，2025财年末将量产BiCS9 NAND，面向智能手机等需求。
IT之家 12 月 11 日消息，《日经亚洲》早些时候报道称，KIOXIA 铠侠计划 2026 年启动下代 BiCS10 3D NAND 闪存的量产，支持大容量企业级固态硬盘的需求。
铠侠的 BiCS10 采用 332 层堆叠技术，支持 4.8Gbps 的 I/O 接口速率，位密度相较现有的 BiCS8 提升 59%。报道指出，BiCS8 的量产晶圆厂将是岩手县北上市新落成的 Fab 2。
与此同时，铠侠也将在 2025 财年末开始量产 BiCS9 NAND，该序列则是在现有 BiCS5、BiCS8 存储阵列的基础上利用 CBA 技术从外围电路端进一步提升性能。BiCS9 将使用三重县四日市工厂，主要面向智能手机等需求。
