1.英特尔、AMD、TI等芯片巨头遭诉讼，涉嫌“无视”其芯片流入俄罗斯；

2.台积电日本第二工厂停工，或转向4纳米芯片生产以应对AI需求；

3.台积电11月营收3436.14亿元新台币，年增24.5%；

4.铠侠岩手县晶圆厂明年将生产332层NAND芯片，瞄准AI数据中心需求；

1.英特尔、AMD、TI等芯片巨头遭诉讼，涉嫌“无视”其芯片流入俄罗斯；

一系列诉讼指控微芯片制造商英特尔公司、AMD公司和德州仪器公司未能阻止其技术被用于俄罗斯制造的武器。

根据周三（12月10日）在得克萨斯州州法院提起的五起诉讼中的一起，这些公司以及巴菲特的伯克希尔·哈撒韦公司旗下的一家公司，被指控对第三方违反美国制裁向俄罗斯转售受限芯片的行为表现出“故意无视”。

“这些公司知道他们的芯片技术正在流入俄罗斯，”美国资深集体侵权诉讼律师Watts在华盛顿举行的新闻发布会上说。

英特尔发言人在一份声明中表示，该公司“不在俄罗斯开展业务，并在俄乌冲突后立即暂停了向俄罗斯和白俄罗斯客户的所有发货”。声明还指出，英特尔“严格遵守美国以及我们开展业务的每个市场的出口法律、制裁和法规，并要求我们的供应商、客户和分销商遵守同样的标准”。

德州仪器和AMD均未立即回应置评请求。此前，两家公司曾表示完全遵守制裁要求，在俄乌冲突后立即停止了在俄罗斯的业务，并制定了严格的政策来监督合规情况。（校对/赵月）

2.台积电日本第二工厂停工，或转向4纳米芯片生产以应对AI需求；

据报道，全球最大的芯片制造商台积电正在考虑利用其在日本的第二家工厂生产比原计划更先进的芯片，这反映了其评估市场对人工智能（AI）相关产品的需求变化。

据三位知情人士透露，向4纳米制程技术的潜在转型可能会导致该工厂的工期延误和设计变更。该工厂于10月下旬才开始建设，位于熊本县，与台积电在日本的首家工厂毗邻，计划于2027年投产。

台积电最初计划在第二家工厂生产6纳米和7纳米芯片。

日本新闻机构对比了11月至12月初施工现场的照片发现，熊本第二家工厂的建设已经暂停。上个月，包括起重机、挖掘机和打桩机在内的重型机械设备遍布工地。到12月初，几乎所有设备都已被清理干净。

一些供应商表示，他们被告知施工将会暂停，但台积电没有具体说明原因。

据三位知情人士透露，台积电仍将继续推迟在其位于熊本的现有工厂增设设备。该工厂生产用于工业、消费电子和汽车应用的成熟芯片。今年3月，有报道曾表示，台积电至少在2026年之前不会增设设备，但消息人士称，台积电现在已告知多家供应商，2026年全年无需为日本市场增设设备。该工厂目前生产40纳米和28纳米制程的芯片，以及稍先进的16纳米和12纳米制程芯片。

自台积电于2024年宣布第二座工厂计划以来，市场对6纳米和7纳米芯片的需求有所下降。该公司位于台中市的主要芯片工厂的产能利用率一直未能达到令人满意的水平，因为英伟达、苹果、谷歌和亚马逊等领先的芯片制造商都在转向更先进的芯片。

由于市场需求的变化，台积电暂停工厂建设并更改设计方案的情况并不罕见。该公司将其位于高雄市的芯片工厂的建设计划从成熟的6纳米和28纳米工艺改为采用最先进的2纳米技术。

除了可能采用4纳米制程工艺外，两位消息人士称，台积电还在考虑将其先进的芯片封装技术引入日本，因为该工艺对于制造人工智能芯片也至关重要。消息人士表示，所有计划尚未最终确定。（校对/赵月）

3.台积电11月营收3436.14亿元新台币，年增24.5%；

12月10日，台积电公布的财报显示，该公司11月合并营收3436.14亿元新台币，月减6.5%，年增24.5%；前11月合并营收3.47万亿元新台币，为同期最佳，年增32.8%。

业内人士分析，因客户群拉货高峰已过、CoWoS先进封装产能暂时没有再大举转换，原本即预估台积电11月及12月平均单月营收都可能较10月下滑，降至3090亿元新台币至,273亿元新台币，月减11%至18%不等。以昨天台积电公布的11月营收实绩来看，实际表现比预期好一些，研判应是来自高端智能手机与高性能计算（HPC）需求支撑。

此前台积电财务长黄仁昭在法说会上指出，台积电预估第四季度美元营收322亿~334亿美元，中间值328亿美元，约略季减1%，汇率假设新台币兑美元30.6，毛利率59%~61%，营益率49%~51%。

台积电董事长暨总裁魏哲家表示，从市场需求与台积电已宣布的第四季度展望来看，台积电将2025全年美元营收的全年增长幅度从上次7月预测接近30%，此次转为Mid-thirty（30%的中间值约34%~36%）。

在资本支出方面，黄仁昭说，台积电目前预估2025年资本支出区间400亿~420亿美元，从380亿~420亿美元区间收敛，资本支出高标不变，平均值410亿美元较先前平均400亿美元增加。（校对/张杰）

4.铠侠岩手县晶圆厂明年将生产332层NAND芯片，瞄准AI数据中心需求；

日本芯片制造商铠侠（Kioxia）计划2026年在岩手县晶圆厂开始生产新一代NAND闪存芯片。

这些改进型芯片旨在通过大幅提升长期数据存储容量，满足人工智能（AI）数据中心对海量计算的需求。该计划旨在创建高效的研发和生产系统，与铠侠三重县四日市工厂截然不同。

铠侠位于岩手县北上工厂的生产将采用公司“第十代”技术。通过将垂直堆叠的存储单元层数从第八代的218层增加到332层，铠侠将使单位面积的存储容量提高59%，数据传输速度提高33%。新一代芯片还降低了功耗。

此前有传言称，铠侠将在四日市工厂生产新型芯片，该公司一直在该工厂进行研发工作。但多位知情人士透露，生产工作实际上将在岩手县北上工厂进行。该公司没有扩建计划，将使用岩手县晶圆厂第二座厂房Fab2，该厂房已于9月投入运营。

铠侠采取双管齐下的战略，一方面开发和生产高性能、低成本的芯片，另一方面开发和生产层数更多的大容量芯片。

第十代存储芯片正是该公司计划生产的大容量产品。其双管齐下的战略将确保生产效率，四日市工厂将继续专注于高性能产品的生产，而需要大量资本投入以增加层数的大容量产品将在北上工厂生产。

四日市工厂的第九代高性能产品将于本财年末开始生产。铠侠预计其第九代芯片将主要用于智能手机。第九代芯片将保持与前代芯片相同的层数以降低成本，但采用更新的架构来提高数据处理速度和降低功耗。

这种新架构采用了一种技术，即生产两个独立的晶圆，一个包含存储单元，另一个包含用于读写数据的电路。然后将这两个基板直接键合在一起。这项技术自第八代芯片以来就已开始使用。传统的存储芯片是将存储单元和读写电路印刷在同一基板上。

北上工厂所在的岩手县南部正逐渐成为半导体制造中心。Tokyo Electron（TEL）11月在当地建成一座集生产和物流于一体的综合设施。包括富士金（Fujikin）和米兰普洛（Mirapro）在内的半导体设备零部件供应商也加大了在该地区的投入。（校对/赵月）