1.华天慧创“一种超薄晶圆片持取装置”专利获授权

2.智芯微“一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构”专利公布

3.康芯威“一种存储芯片的测试方法及测试装置”专利获授权

4.超威半导体“用于多个管芯的测试数据的片上分配”专利公布

5.北京大学电子学院郭弘课题组在量子磁传感领域取得重要进展

1.华天慧创“一种超薄晶圆片持取装置”专利获授权

天眼查显示，华天慧创科技（西安）有限公司近日取得一项名为“一种超薄晶圆片持取装置”的专利，授权公告号为CN221659037U，授权公告日为2024年9月6日，申请日为2024年1月19日。

本实用新型涉及超薄晶片检验设备领域，尤其涉及一种超薄晶圆片持取装置，包括第一夹板、第二夹板和扭簧连接结构，第一夹板和第二夹板对称设置，第一夹板和第二夹板之间通过扭簧连接结构进行二者之间的转动连接；第一夹板和第二夹板均包括夹持端和施力端，夹持端在扭簧连接结构的作用下相互抵紧以实现超薄晶圆片的夹紧，施力端分别独立以便施力；在夹持端，第一夹板和第二夹板相对的一侧设置有夹齿，相对的两个夹齿将超薄晶圆片夹紧；夹齿上设置有柔性垫片。本实用新型通过设置扭簧连接结构设置的第一夹板和第二夹板，取代原始手动持取碎片，将持取碎片的破碎率控制在1％左右，有助于降低产品破损率，提升良率，降低生产成本。

2.智芯微“一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构”专利公布

天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司“一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118610263A。

本发明公开一种主从栅极和分裂场板结构的LDMOS器件结构。本发明包括衬底区、沟道区、漂移区、主栅极结构、从栅极结构和分裂场板结构。所述从栅极结构位于所述漂移区表面，用于漂移区域的沟道调节；所述场板结构有多个，均位于所述漂移区表面，且在从栅极结构与漏区之间，用于优化漂移区的电场分布，减少局部电场集中。本发明通过在常规栅极旁增加了一个尺寸更小的栅极，并额外添加电压，以期望能够实现更好的LDMOS器件电学性能。本发明通过添加分列式的多个浮动场板，将浮动场板放置在漂移区域的顶部，可以帮助优化漂移区的电场分布，减小电场峰值强度，降低边缘效应，从而提高器件的性能和稳定性。

3.康芯威“一种存储芯片的测试方法及测试装置”专利获授权

天眼查显示，合肥康芯威存储技术有限公司近日取得一项名为“一种存储芯片的测试方法及测试装置”的专利，授权公告号为CN118471309B，授权公告日为2024年9月6日，申请日为2024年7月3日。

本发明提供一种存储芯片的测试方法及测试装置，属于存储技术领域。所述存储芯片的测试方法包括以下步骤：对主机上电并开机，并向存储芯片发送初始化指令；存储芯片接收到初始化指令后，第一计时器开始计时，并对存储芯片进行初始化；存储芯片完成初始化后；当第一计时器的时间到达预设时间，向主机发送反馈信息；若主机接收到反馈信息的时间未超过上电时间，则主机正常开机，之后对主机下电；存储芯片依据主机的下电次数更新预设时间；重新对主机上电，直至主机接收到反馈信息的时间超过上电时间，并获取上个循环中的预设时间作为存储芯片的最大上电时间。通过本发明提供的存储芯片的测试方法及测试装置，可自动获取存储芯片的最大上电时间。

4.超威半导体“用于多个管芯的测试数据的片上分配”专利公布

天眼查显示，超威半导体产品（中国）有限公司“用于多个管芯的测试数据的片上分配”专利公布，申请公布日为2024年9月6日，申请公布号为CN118613730A。

一种多管芯集成电路[102]使用片上测试分配模块将测试数据[105]分配给不同的管芯，诸如处理器小芯片104,106,108,110]。该测试分配模块经由一个或多个集成电路引脚[112]从外部源[115]接收测试输入数据[220]，并且将该测试输入数据分配给不同的管芯，使得不同的管芯能够同时将该测试数据应用于一个或多个电路。基于该测试输入数据的应用，不同的管芯同时生成对应的测试结果[325]，该测试结果用于识别并解决管芯处的设计或操作错误。

5.北京大学电子学院郭弘课题组在量子磁传感领域取得重要进展

磁场探测是量子传感领域的关键技术，具有广泛的应用潜力和重要的战略价值。在工业领域，磁场测量可实现基于电磁感应的无损探伤，在不影响检测对象的前提下，对材料、零件、设备中的缺陷进行定位和定量检测，避免隐藏缺陷可能会构成重大的安全风险，保障工业生产的安全。在生物医疗领域，磁场探测可用于核磁共振信号的检测，提升核磁共振成像的分辨率和检测精度，为医学影像技术的进步提供新的途径。此外，在国防安全领域，磁场探测技术能够用于水下磁通信，大幅延长通信距离，提升隐蔽通信能力，基于磁场探测的核四极矩共振技术还可精准检测爆炸物、毒品等违禁物品，增强我国的安防和反恐能力。

传统的磁感应线圈式磁传感器在低频时受限于电磁感应定律，感应信号减小导致灵敏度降低。而原子磁传感器则不受限于电磁感应定律，在低频处能够突破磁感应线圈的热噪声极限，实现更高的灵敏度，同时其还具备小型化和可室温工作等优势。然而，射频原子磁传感器通常采用的磁共振方案需要施加偏置磁场以产生磁共振信号，这会导致原子自旋间的自旋交换碰撞弛豫成为限制射频原子磁传感器灵敏度进一步提升的主要难题。

近日，北京大学电子学院郭弘教授课题组提出了一种基于参数共振的新型射频原子磁传感器。该方案通过利用脉冲磁场对原子自旋进行调制产生参数共振现象，能够实现高灵敏度的射频磁场测量（如图1所示）。与传统的磁共振方案相比，参数共振方案无需施加额外的偏置磁场以产生与待测射频场共振的拉莫进动频率信号，从而避免了磁共振方案中由偏置磁场引起的自旋交换碰撞弛豫问题，解决了射频原子磁传感器中信号线宽展宽的问题。在相同的实验装置下，参数共振方案实现了一个数量级以上的磁传感器灵敏度的提升，在小型铷87原子中实现了噪声水平低至2 fT/Hz1/2的高灵敏度射频原子磁传感器（如图2所示）。这一研究成果为射频原子磁传感器的高灵敏度测量提供了新的技术途径，为磁场探测技术在工业检测、医疗成像和国防安全等领域提供了更为广阔的应用前景。