1.机构：一季度DDR4价格涨幅或达五成，NOR Flash将涨30%；

2.三星拟关停一座8英寸晶圆厂，专注12英寸晶圆高附加值领域；

3.传三星电子2nm良率已提升至50%，计划2027年前实现晶圆代工业务盈利；

4.美光纽约州1000亿美元晶圆厂动工奠基，美商务部长：不在美国投资或面临100%关税；

1.机构：一季度DDR4价格涨幅或达五成，NOR Flash将涨30%；

据摩根士丹利研究报告指出，传统存储芯片供需缺口正持续扩大，2025 年二季度至 2026 年行业将迎来新一波超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash 及 SLC/MLC NAND 等产品供应紧张态势加剧，市场暂无悲观理由。

报告指出，先进制程存储产品（如 DDR5、HBM）产能需求强劲，挤压了成熟制程产能分配。2026 年 1 月，头部企业对 DDR4 采购态度积极，受供应限制，其一季度价格涨幅可能达 50%，涨势将延续至二季度；而产能向 DDR4 转移，也导致高密度 DDR3 严重短缺，带动相关供应商业绩增长。

闪存芯片领域，NOR Flash 一季度报价预计上涨 20%-30%，涨价趋势或延续至 2026 年下半年；常规 NAND Flash 供应大幅缩减，MLC 与 SLC NAND 一季度价格涨幅将超 50%，高密度 SLC NAND 价格涨势也将在同期跟进。

此外，部分成熟制程存储供应商正加速转型，抢抓 HBM 与先进封装技术的发展红利。例如力积电 P5 晶圆厂凭借充足的 WoW（晶圆堆叠）和混合键合产能，将在 HBM4e 标准中发挥关键作用；爱普（AP Memory）则有望依托美国客户对 CoWoS-S 技术的需求，推动硅电容（IPD）业务在 2026 年实现强劲增长等。

2.三星拟关停一座8英寸晶圆厂，专注12英寸晶圆高附加值领域；

据报道，三星电子计划于今年下半年关闭器兴园区的 8 英寸晶圆代工厂 S7，将资源集中投向利润更高的 12 英寸先进芯片制造产线。

目前，三星S7 工厂月产能约 5 万片，关停后三星 8 英寸晶圆总月产能将从 25 万片降至 20 万片以下；同园区 S6、S8 工厂虽维持运营，但三星整体 8 英寸产线开工率已仅 70% 左右。随着 CMOS 图像传感器、显示驱动芯片等核心产品向 12 英寸产线迁移，8 英寸工厂面临订单流失、维护成本高企、客户基础萎缩等多重压力。分析指出，在量产规模与客户数量均落后于台积电等对手的情况下，三星三座 8 英寸工厂的布局已显冗余。

这一产能调整并非个例。TrendForce 数据显示，2026 年全球 8 英寸晶圆厂总产能预计同比下降 2.4%；台积电自 2025 年起亦启动 8 英寸产能削减计划，部分工厂拟于 2027 年全面退出。但 8 英寸晶圆市场呈现 “产能收缩、需求旺盛” 的供需错配格局。在 AI 服务器需求爆发的拉动下，电源管理 IC、模拟芯片、功率器件等依赖 8 英寸成熟制程的产品需求激增。

TrendForce 预测，2026 年全球 8 英寸晶圆厂平均开工率将升至 85%–90%，部分代工厂代工价格或上调 5%–20%，成熟制程的稀缺价值凸显。

对三星而言，关闭 S7 是其代工业务战略转型的关键举措。面对台积电在先进制程的领先优势，三星正聚焦 12 英寸 GAA 晶体管、HBM 配套逻辑芯片、车规级 MCU 等高附加值领域，通过剥离低效资产提升业务毛利率与资本回报率。

此轮产能调整中，韩国本土代工厂 DB Hitek 被视为最大潜在受益者。该公司主攻 BCD 高压模拟工艺，专注小批量、多品种的电源管理 IC 与显示驱动芯片生产，当前已处于产能满载、订单积压状态。随着三星、台积电逐步退出部分 8 英寸产能，其原有客户或将转向 DB Hitek 寻求替代方案。

目前全球 8 英寸代工市场的竞争格局已发生重构，中国台湾联电、先锋国际半导体，中国大陆中芯国际，以色列塔芯半导体等企业均占据一席之地。中芯国际凭借极具竞争力的价格和快速响应能力，订单量持续增长。

3.传三星电子2nm良率已提升至50%，计划2027年前实现晶圆代工业务盈利；

据报道，三星电子第一代2nm GAA制程（SF2）良率已稳定在50%，该数据也通过其量产的Exynos 2600处理器得到印证。据悉，三星于2025年9月启动Exynos 2600量产，初期无致命缺陷，良率表现较前代3nm制程显著提升——后者推出后长期未能突破30%良率，直接导致三星流失大量客户。

目前三星2nm制程目标良率为70%，其移动体验（MX）部门计划推动该芯片应用于25%的Galaxy机型。

值得关注的是，中国加密货币挖矿设备厂商比特微电子（MicroBT）与嘉楠科技（Canaan）已向三星下达SF2制程订单，彰显其12个月内的技术突破成效。不过业界普遍认为，第二代2nm制程（SF2P）才是三星前沿代工业务反弹的关键。相较于SF2，SF2P性能提升12%、功耗优化25%、面积缩减8%，三星已于2025年年中完成其基础工艺设计套件（PDK），并向合作伙伴推广，计划优先投入资源支持该工艺。

SF2P预计将搭载于2027年推出的Exynos 2700处理器，后者将支持LPDDR6内存、UFS 5.0存储等新接口标准。此外，特斯拉AI6芯片也有望采用SF2P制程量产，双方此前已签署165亿美元合作协议，三星计划先通过本土工厂生产AI6样品，再于泰勒市新晶圆厂启动大规模量产。

尽管进展显著，但三星要成为台积电的有力竞争者仍需时日，Exynos 2700与特斯拉AI6的量产成败将成为重要验证。三星目标在2027年前实现晶圆代工业务盈利，业内人士指出，SF2P作为其首个获外部客户大规模量产确认的2nm工艺，若量产成功，将吸引更多客户合作。

4.美光纽约州1000亿美元晶圆厂动工奠基，美商务部长：不在美国投资或面临100%关税；

当地时间1月16日，美光科技在美国纽约州奥农达加县总投资1000亿美元的巨型晶圆厂正式破土动工。

据报道，美光的纽约州晶圆厂计划涉及四个晶圆厂阶段，洁净室面积约为 600,000 平方英尺（约 55,700 平方米），总投资将达1000亿美元。该项目是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，并有助于满足现代经济核心——人工智能系统日益增长的需求。

美光科技董事长、总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra)表示： “如今，美国本土生产的内存占比为零，但未来十年，40%的尖端内存将在美国本土生产。好比大脑需要更多更快的记忆一样，人工智能也需要数据，需要更快更大的内存。美光将在美国本土生产这些内存。”

此外，在美光纽约州巨型晶圆厂奠基仪式上，美国商务部长霍华德·卢特尼克警告称，包括存储芯片制造商如果不在美国投资，可能面临“100%半导体关税”。任何想制造存储芯片的厂商（想要进入美国市场）都有两个选择：要么支付 100% 的关税，要么在美国建厂制造。与中国台湾的贸易协议中的半导体关税也可能影响韩国芯片制造商。

美国政府正式宣布将中国台湾对美出口税率降至15%，相比之前的约20%税率进一步降低。但是，中国台湾半导体与科技企业需要至少对美国新增直接投资2,500亿美元，中国台湾省还要提供2500亿美元信用保证支持，以扩大美半导体、能源及人工智能的生产与创新能力。

如果总部位于中国台湾但不在美国建厂的芯片公司可能面临100%的关税。而对于已经或计划在美国投资的半导体厂商，美国政府也披露了“半导体关税豁免”的条件：中国台湾半导体厂商承诺在美国设厂，在建厂期间，就可以免关税进口相当于建厂产能2.5倍的半导体。举例来说，如果中国台湾半导体厂商在美国建设100万片晶圆的产能，在施工期间就可以免关税进口250万片晶圆。

当日，对于媒体提问“与中国台湾达成的半导体关税豁免标准是否也适用于韩国？”，一位特朗普政府官员表示，“将为不同的国家和地区单独达成协议。”