搜索
SK海力士中国无锡工厂DRAM工艺顺利升级，月产能达18万片
3 小时前
/ 阅读约2分钟
来源：集微网
SK海力士已将其中国无锡工厂的DRAM制程从1z升级至1a，月产能约18万至19万片，约90%已采用1a制程。升级消除了美国对华半导体设备出口限制带来的不确定性，公司采取分阶段生产策略应对限制。
据ETnews报道，SK海力士已对其中国无锡工厂（晶圆厂）进行了升级，该工厂是其DRAM生产的核心基地。
业界消息称，SK海力士已将无锡晶圆厂的DRAM制程从原有的1z升级至1a。无锡工厂的DRAM产能以12英寸晶圆投片量计算，月产能约18万至19万片，其中约90%已采用1a制程。SK海力士曾在2024年1月的业绩说明会上披露无锡工厂的制程升级计划，如今历时约两年宣告完成。
对此，SK海力士不予置评。
据悉，DRAM通常随着制程微缩划分代际。1z属于10纳米级DRAM的第三代，而1a为第四代，制程代际越高，产品性能越优。随着此次升级，SK海力士已能够在无锡工厂生产性能更为先进的DRAM产品。
无锡晶圆厂的制程升级之所以备受关注，在于其是SK海力士的关键生产基地，承担了公司整体DRAM产量的30%至40%。
在美国对华半导体设备出口限制之下，若制程转换受阻，SK海力士的生产乃至整体业务都可能受到影响。此次顺利完成升级，被认为消除了相关不确定性。
报道称，美国出口管制禁止向中国出口极紫外（EUV）光刻设备，这使得过渡过程变得复杂。1a DRAM工艺的某些关键层需要使用EUV光刻技术，但现行法规禁止在无锡工厂安装此类设备。为了应对这些限制，该公司采取了分阶段生产策略。其中，用于制造精细电路图案的EUV光刻工艺在韩国的工厂完成，而其余工序则在无锡的工厂完成。
这种方法虽然增加了物流复杂性和运输成本，但使得1a阶段的过渡得以顺利进行。
（校对/赵月）
