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可选当前最先进工艺：消息称三星电子正开发 4~2nm 定制 HBM 基础裸片解决方案
8 小时前
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来源：IT之家
三星电子将在HBM4后的定制HBM内存上延续制程优势策略，提供4nm至2nm基础裸片解决方案。HBM基础裸片可承载XPU电路功能，工艺越先进，容纳逻辑电路越多，能效越出色。
IT之家 1 月 21 日消息，韩媒 ZDNET Korea 今日报道称，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。
IT之家注：台积电则计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程。
搭配 HBM 内存的高阶 AI XPU 芯片正面临单体芯片理论最大面积（858mm² 的光罩尺寸）限制算力进一步提升的情况，化解这一问题的方式除了多芯片的物理 / 通信互联外还包括将部分电路卸载到邻近的 HBM 基础裸片上。
由于 HBM 内存进入 HBM4 后，HBM Base Die 也采用逻辑半导体制程，因此可承载原应由 XPU 主体负担的电路功能。而 HBM Base Die 工艺越先进，其就越能容纳逻辑电路、能效越出色。
内部人士表示，三星电子的定制 HBM 基础裸片解决方案由系统 LSI 业务新设立的定制 SoC 团队负责。
