1.诺思闪耀IMFW 2026香港站,收获全球客户高度认可
2.十二载铸“芯”,东方晶源以全链条技术突破定义中国“芯”实力
3.华为内部反腐通报:原终端BG多媒体技术部部长被逮捕
4.证监会对英集芯相关信息披露涉嫌误导性陈述立案调查
5..神州数码“天价离婚”升级:实控人郭为全部股份被冻结,控制权悬念陡增
6. 消息称字节跳动自研芯片团队已超千人,已形成四大产品线
7. 研调:存储价格一年涨600% 影响宽频路由器与机上盒供应
1.诺思闪耀IMFW 2026香港站,收获全球客户高度认可
近日,全球微波滤波器领域目光齐聚中国香港,诺思亮相 IMFW 2026 国际微波滤波器研讨会。凭借硬核技术实力精彩发声,现场发表前沿学术报告,并设立展台展示创新成果,收获全球行业同仁的高度关注与广泛认可。

本次 IMFW 2026 由 IEEE 微波理论与技术学会(MTT-S)主办、香港中文大学协办,是全球微波滤波器领域极具影响力的专业盛会。大会汇聚全球顶尖科研学者与行业精英,中国空间技术研究院、华为、海思、博通(Broadcom)、村田制作所(Murata)等知名机构与企业齐聚一堂,共话前沿技术与产业发展。

诺思在会上发表题为《抑制体声波滤波器三倍频引起的寄生》的学术报告,直击行业共性技术难题,提出创新性解决方案,有效提升滤波器信号质量与系统稳定性,充分展现了诺思在 BAW 滤波器领域的原创技术实力。

诺思携自主研发的高性能 ICBAR 滤波芯片系列产品亮相,集中展示其在 5G/6G 通信、汽车电子、北斗卫通、WiFi 6E/7等前沿场景的多元应用,凭借高频、小型化、高功率等核心优势精准匹配市场需求。展会期间,诺思展台人气高涨,全球行业客户与科研代表纷纷驻足咨询,围绕产品细节、技术优势及合作场景深入交流,高度认可诺思产品的技术创新力与行业价值。

展会落幕,新程再启。值此马年新春佳节来临之际,诺思向全球每一位合作伙伴与客户致以最诚挚的祝福,恭祝大家马年大吉,乘势而上,共赢未来!
2.十二载铸“芯”,东方晶源以全链条技术突破定义中国“芯”实力
在全球半导体产业竞争日趋白热化、技术自主可控上升为国家战略核心的背景下,关键装备与核心软件的国产替代,早已不是选择,而是我国产业升级、科技安全的必经之路。从长期被“卡脖子”到局部突破、从单点追赶向体系化赶超,中国半导体正经历一场从跟跑到并跑、再到部分领跑的关键跨越。
在这一波澜壮阔的自主化进程中,东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司(以下简称“东方晶源”或“公司”)迎来成立十二周年。公司以一场重磅产品发布会,集中亮出新一代电子束量检测装备、电子光学系统、计算光刻EDA与HPO全流程工艺优化解决方案等最新产研成果,不仅展现了一家硬科技企业的十二年深耕,更成为中国集成电路制造追赶国际先进水平的生动缩影,为中国半导体产业注入前所未有的技术自信与产业底气。

作为深耕电子束量检测设备与计算光刻两大“卡脖子”领域的硬核力量,东方晶源以长期技术积累、创新与前瞻战略眼光,持续突破制约产业发展的核心瓶颈,以自主可控的核心产品实现对国际主流方案的追赶与超越,成为中国半导体产业链自主化进程中不可或缺的中坚力量。
硬核突破:从整机对标国际主流设备到核心部件自主
随着摩尔定律持续演进,集成电路设计复杂度与性能要求不断攀升,对芯片设计、制造、量测、检测全链条提出严峻挑战。半导体量检测设备贯穿制造全流程,是保障芯片良率与可靠性的“标尺”与“眼睛”。尤其在先进制程持续微缩、三维芯片快速普及的今天,传统光学检测已逼近物理极限,电子束量检测设备凭借超高分辨率与电性表征能力,成为先进工艺不可或缺的核心装备。
创立伊始,东方晶源就致力于电子束量测检测设备开发,目前产品已经覆盖CD-SEM(关键尺寸量测设备)、DR-SEM(电子束缺陷复检设备)、EBI(电子束缺陷检测设备)和HV-SEM(高能电子束设备)等关键领域,成为国内率先实现电子束量检测四大核心领域布局的企业。

东方晶源高级副总裁雒晓军博士表示,“从技术趋势来看,芯片制造技术正朝着三维纵深方向快速发展——从GAA, CFET到3D DRAM, 3D NAND,再到HBM都清晰地印证了这一点。在这一趋势下,我们的电子束量检测设备已跃升为新技术架构中的关键基础设施,其角色已经超越传统配套设备的范畴。如果把一片晶圆看作一个深邃的宇宙,那么我们的电子束量检测设备,就是窥探这个宇宙的‘眼睛’”。
过去一年,东方晶源完成4款产品迭代升级,并全新推出一款重磅新品,技术与产品迭代保持行业前列。其中,东方晶源的12英寸CD-SEM SEpA®-c505在分辨率、量测精度、同型机台匹配精度及生产效率等核心技术参数上实现全面突破,已对标国际主流设备水平。
全新一代6/8吋CD-SEM SEpA®-c325 在产能、分辨率与成像质量等关键指标上显著提升,并增强了对厚光刻胶的量测能力。该设备可广泛适用于传统8吋硅基芯片及三代半导体生产线,有效提升了生产效率和产品良率。
12吋DR-SEM SEpA®-r655 成功解决了“实体清单企业”无法采购DR-SEM“卡脖子”难题,其分辨率、着陆能量、缺陷捕获率等关键性能指标均与业界主流设备(POR)相当。目前该设备已进入客户端小规模量产阶段,平均产能较前代提升100%,机台利用率可达90%以上。
EBI SEpA®-i635 在分辨率、着陆能量、检测电流等核心指标上取得显著进步,并支持超大电流预充技术,能够有效应对高深宽比结构的检测挑战。此外,该设备在产能与数据处理能力方面也大幅提升,目前已通过客户端验证并获得认可。
填补国内空白的12吋HV-SEM SEpA®-h755 具备45kV着陆电压,处于国内领先、国际主流水平,可实现高深宽比结构量测、透视成像及Overlay量测等重要功能。
雒晓军博士表示,“目前,我们的电子束量测与检测设备在国内已处于领先地位,并有望在未来五至十年持续保持这一竞争优势。这一信心源于我们对‘设备性能源于工程迭代’的深刻认知——真正高可靠性的设备只能在客户产线的长期打磨中淬炼而成”。2026年,东方晶源的目标是将这些突破性产品推向规模化量产,并持续提升产线开机率与设备利用率,真正实现从“可用”到“好用、耐用”的跨越。

任何高端设备的自主可控,都离不开底层核心部件的创新突破,东方晶源创新技术研究院自主研发的电子光学系统(EOS)为电子束设备提供了性能基石,从用于CD-SEM、量测精度可对标国际主流水平的EOS GC3,到DR-SEM上将检测速度提升至之前产品的两倍以上的EOS GR3,再到为EBI打造的兼具高灵敏度和高速缺陷检测能力的EOS GI3,以及HV-SEM所适配的具备45kV以上着陆能量、提供高穿透成像能力的EOS GH1,不仅体现了东方晶源在技术创新方面的强大实力,更是国产供应链安全与持续迭代开发能力的根基。
东方晶源副总裁孙伟强博士指出,“东方晶源创新技术研究院不仅研发EOS,也涵盖光学系统及创新型设备产品。我们的技术成果都直接应用于公司的电子束量检测设备业务,为客户产线提供关键技术解决方案。我们的目标是以高一致性、高稳定性和高度自动化的技术和产品,支撑公司硬件设备的量产,并帮助客户解决实际痛点。2026年创新技术研究院将推动所有产品完成至少一轮迭代,进一步提升电子束量测检测设备的现场竞争力与客户问题解决能力。”
软件协同:EDA工具链全面进化,AI破局芯片制造难题
在集成电路产业链中,EDA被誉为“芯片之母”,既是设计环节的核心工具,更是制造环节的关键支撑。高精度计算光刻、掩模数据优化,直接决定芯片性能与良率。
围绕计算光刻环节,东方晶源旗下PanGen®平台已经形成八大产品矩阵,包括精确的制程仿真、DRC、SBAR、OPC、LRC、DPT、SMO、DMC,构建起完整自主的计算光刻EDA工具链。早在2015年东方晶源布局计算光刻领域之初,创始人俞宗强博士便前瞻性地确立了基于GPU加速实现全芯片反向光刻(ILT)的技术路线,为后续先进制程突破埋下伏笔。

东方晶源EDA软件研发中心总监丁明博士表示,“在过去的一年中,我们的EDA团队共提交了11072次代码,涉及代码改动量达56万余行,在新增、优化、重构中实现平台级跃升。”
东方晶源的计算光刻PanGen®平台完全基于CPU+GPU的混合超算架构和CUDA开发,在经过五轮迭代后,成功完成了6.0版本升级,在5.0版本已实现14nm产线全支持的基础上,重点攻克7nm乃至5nm先进制程核心技术,为半导体制造向更先进节点迈进提供了关键的技术支撑与产业化保障。
最具突破性的是,东方晶源EDA团队将人工智能(AI)技术与物理模型深度融合,成功攻克了困扰产业界长达20年之久的Etch Model精度难题,并正式发布了全球首款可商用的Etch Model产品。该产品不仅全面支持传统单次曝光工艺,也能高效适配先进的多重图形技术,目前已在国内多家重点客户产线实现落地应用,为先进制程的精度提升提供了可靠的技术保障。
与此同时,东方晶源将AI技术与PanGen®平台深度融合,开发了一系列用于芯片设计制造协同优化的工具,旨在提前发现并解决潜在制造难点,降低流片成本,提升良率。其中,DMC绕开传统OPC的复杂耗时流程,基于输入的设计版图根据产线制程信息直接快速、准确地预测光刻轮廓,将反馈效率提升100倍以上;PHD利用深度学习技术与大量量测数据结合,构建出比传统OPC模型更精确的检测模型,能对掩模优化结果进行全面扫描,发现任何潜在的制造风险;vPWQ能够准确预测芯片版图刻蚀后在硅片上的轮廓,进而仿真检测刻蚀后潜在的工艺坏点。丁明博士透露,“这三款产品已在多家国内头部芯片制造企业开展验证,并获得了积极反馈。实测数据显示,可将客户流片迭代次数从4~6次降至2~3次,显著提升了生产效率、降低成本并提升良率。”
PanGen Sim®严格仿真工具同步完成深度重构与升级,发布2.0版本。该产品与PanGen®平台深度融合,复用成熟技术实现研发效率提升,重构后平均提速58%,硬盘使用率降低99%。2025年团队完成wafer前层图形影像、随机效应等功能开发,产品通过客户六大核心指标对标测试,仿真结果与国际竞品高度一致,准确性满足客户需求,稳居国内同类产品前列,可全面支撑客户工艺开发初期的参数确定与仿真验证。
丁明博士总结说道,“过去一年我们EDA产品实现了三方面突破。一是根基更牢,核心平台实现重大升级,稳定性和先进性跨越式发展;二是看得更准,仿真工具精度达到国际水平,成为可靠的工艺‘显微镜’;三是导向更智能,推出系列AI驱动的协同优化工具,构建起面向未来的制造‘智能导航系统’。”
HPO理念引领:直面良率终极挑战,定义“中国方案”
深入解析东方晶源实现软硬件协同突破、夯实国产化领先地位的背后,其成功源于自成立之初便提出的HPO(Holistic Process Optimization,全流程工艺优化)理念,其核心在于将设计端相关信息引入制造过程,特别是量测和检测环节。通过对设计信息、量检测结果及良率信息的更有效的跨域融合分析及反馈,从而实现芯片设计的可制造性优化和制造良率的高效系统性提升。
从产业发展趋势来看,集成电路制造技术持续向更先进制程节点演进。当前,2nm工艺已进入量产阶段,并深度应用于AI、数据中心等对算力要求极高的前沿领域。然而,随着集成电路制程节点不断向更先进领域推进,生产工艺日益复杂,良率控制已成为行业面临的关键挑战。据统计,在尖端逻辑芯片制造中,良率每提升1个百分点,即可带来约1.5亿美元的净利润增长。反之,若良率长期处于低位,不仅反映出制造工艺存在效率不足或管控缺陷,也会直接影响客户信心与市场竞争力,使企业在激烈的行业角逐中处于不利地位。
在晶圆制造中,良率不仅是技术指标,更是直接的商业基石,其重要性丝毫不亚于对先进制程的追求。因此,提升良率成为贯穿芯片制造全周期的核心课题,也是芯片厂商必须面临的终极挑战。
围绕良率提升,业界持续探索多种技术路径。其中,DTCO(设计与制造协同优化)已成为行业主流方向之一。尤其在大算力、大数据、大模型广泛应用的推动下,从芯片设计到制造环节的全局系统化优化正逐步成为现实。
相较于通用的DTCO理念,东方晶源的HPO理念更进一步,专注于将设计信息深度应用于芯片制造的核心环节——尤其是量测与检测场景。该理念以设计版图为基础,为芯片制造厂商提供目标清晰、方法高效、效果可验证的整体量检测解决方案。同时,借助东方晶源在计算光刻领域的技术积累,HPO能够将制造环节的良率问题反向追溯至设计端,重构传统DTCO的数据闭环,形成“量检测-分析-优化-反馈”的全链路协同架构。
经过十二年的技术攻关,东方晶源已成功实现高精度检测/量测设备与EDA软件工具的深度联动,有效弥合了芯片设计与制造环节间的信息鸿沟,推动芯片制造从依赖经验的“艺术”、走向可量化复现的“科学”,并进一步迈向数据驱动的“智能”。这一突破为降低芯片制造门槛、实现制造自主可控,探索出一条中国特色、生态协同的全新技术路径。
结语:十二载再出发,以自主创新定义中国“芯”未来
从电子束量检测装备到计算光刻EDA,从自研电子光学系统到HPO全流程工艺优化,东方晶源以多维度、全链条技术布局,逐步构建起半导体制造关键环节自主可控能力体系。本次十二周年产品发布会发布的一系列最新产研成果,不仅是一家企业的技术答卷,更是中国集成电路制造从追赶走向自信、从单点突破迈向体系化突围的缩影。可以预见的是,东方晶源站在成立十二周年的新起点上,持续通过技术研发与生态协作,必将在全球半导体创新浪潮中再进一步。
3.华为内部反腐通报:原终端BG多媒体技术部部长被逮捕

据界面新闻报道,华为内部反腐快报2026(001)号文件披露,原终端BG多媒体技术部部长邓某因涉嫌非国家工作人员受贿罪,已于2026年1月15日被深圳市龙岗区人民检察院依法批准逮捕。
资料显示,邓某于2007年7月加入华为,此后十余年间历任多个关键技术与管理岗位,包括终端总体技术硬件平台部工程师、终端器件与归一化部高级工程师、终端多媒体技术部高级工程师、架构师、Camera部经理,并最终升任多媒体技术部部长,直至2020年12月离开该体系。
司法机关查明,邓某在任职期间,涉嫌利用其职务影响力,为相关供应商谋取不正当利益,并收受巨额好处费。2025年12月9日,其因涉嫌非国家工作人员受贿罪被刑事拘留;一个月后,即2026年1月15日,正式被检察机关批准逮捕。
值得注意的是,在离开华为体系后,邓某并未淡出科技行业。公开信息显示,自2023年5月起,他出任上海荣耀智慧科技开发有限公司法定代表人及董事长,该公司由荣耀终端有限公司全资控股。同时,他还担任荣耀终端有限公司研发管理部总裁,全面主导产品研发工作。
然而,邓某在荣耀的职业生涯也未能善终。2024年5月16日,荣耀终端发布内部通报,宣布因邓某严重违反公司《商业行为准则》(BCG),决定解除其研发管理部总裁职务并予以除名处理。尽管通报未详述具体违规内容,但“除名”措辞已表明事态严重性。
更令人关注的是,有知情人士透露,邓某在被荣耀除名后,曾以化名身份悄然加入吉利控股集团旗下的星际魅族公司,试图重新进入智能终端领域。这一动向若属实,或将引发对其职业操守与合规风险的进一步审视。
此次事件再次凸显华为对内部腐败“零容忍”的高压态势。近年来,华为持续强化合规体系建设,不仅在员工层面加大审计与问责力度,亦通过法律手段追究涉事人员的刑事责任。邓某一案,正是这一治理逻辑下的又一典型案例。
随着案件进入司法程序,其背后可能牵涉的供应链利益输送链条、跨企业任职合规问题,以及高科技企业高管权力监督机制等议题,或将引发行业更深层次的反思。
4.证监会对英集芯相关信息披露涉嫌误导性陈述立案调查
2月13日晚,证监会发布公告称,1月6日,深圳英集芯科技股份有限公司(简称英集芯)在上证E互动平台人为策划“自问自答”,信息披露构成误导性陈述。近日,已对英集芯立案调查。下一步,将在全面调查的基础上依法处理,切实维护市场健康发展。
此前,投资者在上证E互动上向英集芯提问:“当前脑机接口市场关注度显著提升,看公司官网有应用于人体生物电信号领域的产品,希望公司能把握这一机遇。能介绍一下公司在脑电信号采集等核心芯片方面的产品进展与后续规划吗?”
1月6日,英集芯回复称:公司通过早期投资布局,已涉足脑机接口芯片领域。公司推出的IPA1299是一款8通道、低噪声24位ADC芯片,专用于人体生物电信号的高精度测量,可适用于脑电信号采集等脑机接口相关场景。IPA1299芯片已量产出货,性能参数可媲美海外头部芯片产品。公司对脑机接口的广泛应用前景充满信心,将持续投入资源,不断深耕脑机接口相关技术,力争取得更多突破性进展,为客户带来更多优质产品。
1月7日盘前,英集芯做出进一步说明称,IPA1299产品适用于各种可穿戴式设备应用场景,技术路线与当前国际上的侵入式脑机接口存在显著技术路径差异。截至公告披露日,该产品在非侵入式脑机接口领域尚处于市场培育期,尚未实现规模化销售,暂未对公司业绩产生重大影响,未来销售情况存在不确定性。
1月7日开盘后,英集芯股价走高,截至当日收盘仍上涨4.51%。当日,监管公布处理结果,上交所对英集芯及时任董事会秘书吴任超予以监管警示。
5.神州数码“天价离婚”升级:实控人郭为全部股份被冻结,控制权悬念陡增
神州数码(38.250, 0.02, 0.05%)(000034.SZ)的“天价离婚案”迎来新进展。
2月12日晚间,神州数码公告,公司控股股东郭为近日所持的7738.89万股公司股份遭法院司法冻结,占其持股比例的50%,冻结期限为3年。本次冻结法院系郭为婚姻家庭纠纷案件受理法院。
此前,郭为因为离婚诉讼案件,其所持的50%股权已于2025年1月22日被司法冻结。因此本次股权冻结后,郭为所持的全部1.55亿股公司股份均处于被冻结状态。神州数码表示,若冻结股份后续被处置,存在公司控股股东发生变更的风险。
值得注意的是,由于研发投入加大、政府补助减少等因素,神州数码近年来业绩呈现“增收不增利”的状态。
实控人另一半股份也被冻结,存在控股股东变更风险
据神州数码2月12日公告,公司实控人郭为所持公司一半股份被司法冻结,占公司总股本的10.68%,冻结期限为3年。
早在2025年1月27日,神州数码便公告,郭为因婚姻家庭纠纷,其所持的7738.89万股自2025年1月22日被法院冻结,冻结期限为3年。因此,截至目前,郭为所持的全部1.55亿股公司股份均被法院司法冻结,占公司总股本的21.36%。
神州数码表示,目前郭为仍是公司控股股东,若冻结股份后续被处置,存在公司控股股东发生变更的风险。相关各方正在积极进行协商沟通解决措施,将妥善处理本次股份被冻结事宜。
2025年10月10日,神州数码公告,郭为于近日收到法院的《民事判决书》,就郭为与郭郑俐婚姻家庭纠纷案件作出一审判决。2025 年 9 月 30 日,北京市海淀区人民法院作出判决,判决郭为与郭郑俐离婚。
神州数码表示,对于财产分割事宜,北京市海淀区人民法院将继续审理,再行裁判。截至目前,公司尚未获悉新的判决信息。
按照2025年10月10日神州数码收盘价计算,郭为被冻结的7738.89万股,对应市值约为33.94亿元。这也是近年来上市公司高管离婚案中涉及金额较高、影响较大的案例之一。
郭为于1963年出生,毕业于中国科学技术大学,获工学硕士学位。曾任泰康人寿保险股份有限公司独立董事、鼎捷软件股份有限公司董事、上海浦东发展银行股份有限公司独立董事、神州数码集团股份有限公司首席执行官、总裁等职务。
公开资料显示,郭郑俐毕业于美国布朗大学,获电气工程学士学位、硕士学位及“国际商务和市场营销”MBA学位, 曾任英特尔、微软亚太区高管,并在微软时期担任大中华区总经理;2017年底出任神州控股首席运营官,主导长春新区城市数智供应链服务平台建设项目,2024年9月被解除职务。(新浪)
6.消息称字节跳动自研芯片团队已超千人,已形成四大产品线
据36氪“智能涌现”报道称,字节跳动正持续推进自研芯片战略,其芯片团队整体规模近期已经扩充至千人以上。
知情人士称,字节的AI芯片团队和CPU团队人数较多,其中,AI芯片方向人数过半,达500人以上,CPU团队在200人左右。
此外,消息称字节跳动近期也进行了一轮团队调整:原芯片业务负责人王剑不再分管该板块,AI芯片与DPU团队负责人施云峰、CPU团队负责人余红斌将直接向公司副总裁杨震原汇报。
公开报道显示,字节跳动芯片业务始于2020年,目前已形成四大产品线,包括:AI芯片主要用于豆包大模型推理;服务器CPU面向数据中心通用计算;VPU(视频处理单元)服务于视频解码与内容审核;DPU(数据处理单元)专注于数据中心网络优化。
此前消息称,字节跳动正在研发一款人工智能(AI)芯片,该芯片项目代号为SeedChip,并正与三星电子洽谈代工事宜。该公司此举旨在确保先进芯片的供应。消息表示,字节跳动计划在3月底前收到芯片样品。知情人士称,该公司计划今年至少生产10万颗用于AI推理任务的芯片。字节跳动正寻求逐步提高产量,最终达到35万颗。
据“智能涌现”称,截至2025年年底,字节至少已经储备了近12万张英伟达卡(A100、A800、H800),另还有近百万片英伟达H20、L20、L40芯片。
7. 研调:存储价格一年涨600% 影响宽频路由器与机上盒供应
研调机构Counterpoint Research 发布《存储价格追踨报告》指出,受AI 伺服器市场需求增加带动,DRAM 与NAND 记忆体价格明显上涨。过去一年间,从PC、入门级智能手机到路由器与机上盒等消费性产品所使用的存储价格,涨幅已超过600%。
在此背景下,消费性市场面临传统DRAM 与NAND 供应紧张与价格上升的情况。报告指出,存储价格上涨趋势预计至少将持续至2026 年6 月。虽然价格可能于2026 年上半年达到高点,但供应问题仍可能持续。
PC 与入门级智能手机产业在移动存储方面的影响已受到关注。不过,根据自2025 年以来的每月价格趋势,路由器、闸道器与机上盒等产品所受影响亦较为显著。
过去九个月内,智能手机存储价格上升约3 倍;采用消费型记忆体的宽频产品价格则接近7 倍成长。其中,路由器所受影响较为明显,尤其是供应尚未锁定或议价能力相对有限的OEM 厂商。
根据Counterpoint《Teardown 与BOM 分析服务》资料显示,低至中阶路由器中,记忆体在整体BOM(物料清单)成本中的占比已超过20%,相较一年前约3% 的水准明显提升。
Counterpoint Research 研究总监MS Hwang 表示,此波价格与供应变化,可能对电信商于2026 年规划的宽频部署(包括光纤或FWA)产生影响。在供应相对紧张的情况下,路由器、CPE 与机上盒的采购成本可能面临上升压力。
此外,部分电信商亦规划推动AI CPE(固定或无线宽频设备),该类产品通常需要较高的运算效能与记忆体配置。在目前的价格环境下,其整体成本结构可能出现调整。因此,电信商可能需要持续关注存储价格走势、供应情况,以及OEM 厂商的供应保障程度,同时追踪BOM 成本与产品价格变化。
