存储芯片行业正在经历一场前所未有的 “权力反转”。这个曾被产能过剩和价格崩盘反复折磨的行业，如今成为了 AI 狂潮中的强势定价者。

从被市场需求裹挟的被动扩张与收缩，到主动调整产品结构，将产能从传统存储芯片转移给 AI 数据中心所需的高带宽内存（HBM），存储巨头通过供给管理，完成了一次对市场周期的 “复仇”。

消费电子和汽车行业沦为了这场盛宴的牺牲者。AI 数据中心虹吸走了大部分产能，留给前者一场影响深远的供应链危机。就连一向强势的苹果，在与三星、SK 海力士的价格谈判中也束手无策。Counterpoint 预计，2026 年全球智能手机平均售价将上涨约 6.9%。

不同以往，这场存储芯片供应危机，在巨头们精打细算的谋划下，可能不会轻易落幕。

黄金时代的幻灭

2022 年 10 月，存储芯片三巨头之一的美光（Micron）宣布了一项野心勃勃的计划：未来 20 年，投资最高 1000 亿美元，在纽约建造美国历史上最大的半导体制造基地。

按照规划，这将为当地带来约 5 万个工作岗位。仅生产存储芯片所需的洁净室，面积就达 22.3 万平方米，相当于 9 个罗马斗兽场。按每平米 7 万元的建设成本，仅这一项投入就高达 156 亿人民币。全部投产后，每月可以生产超过 10 万片晶圆。

尽管 2022 年美光的大手笔令人瞩目，但在三巨头中，它的扩产步伐已经算是慢的了。

存储行业上一个令人怀念的上行周期，始于疫情暴发的 2020 年。当时，三星规划了超过 70 万平方米的生产线（P3 工厂）；SK 海力士斥资 90 亿美元收购英特尔 NAND（闪存）业务，并在中国大连等地新建和扩建工厂。未来资产证券的研报显示，其中部分扩产计划还是提前执行的。

疫情使全球数十亿人转向远程办公和线上学习，全球 PC（Personal Computer，个人计算机）出货量激增 13.1%；与此同时，5G 的普及刺激了换机需求；元宇宙概念兴起，也带动了号称 “元宇宙基石” 的分布式存储需求。

多重利好作用下，2021 年上半年，DRAM（内存）和 NAND（闪存）两种核心存储芯片的价格连续上涨。TrendForce 数据显示，DRAM 供应商的平均库存仅能维持 3 至 4 周，NAND 也只有 4 至 5 周，双双处在历史低位。

存储芯片涨价的影响甚至传导到币圈。2021 年 5 月，加密货币 “奇亚币（Chia）” 突然爆火。与比特币依靠算力挖矿不同，奇亚币依赖于硬盘空间。硬盘容量越大，获得奖励的概率越高。无论是机械硬盘还是固态硬盘，都在矿工们的洗劫下价格飙升。一块 1TB 的西部数据 SN750 从不到 800 元被炒至约 1300 元。

需求持续高涨让存储行业相信，扩产是在为繁荣铺路。美光 CEO Sanjay Mehrotra 甚至乐观地宣告：存储行业的黄金时代正在来临。

不幸的是，黄金时代并未持续太久，存储行业就进入了下行周期。

2022 年下半年，全球智能手机和电脑出货量开始下跌。三巨头起初并不相信这预示着周期的结束。三星在三季度财报中表示，尽管需求放缓导致库存上升，但并不会大幅减产——它仍在等待需求反弹。因为一旦减产，市场就可能被 SK 海力士和美光夺走。后者也做出了同样的选择。

库存积压下，上涨的叙事结束在 2023 年。

DRAM 内存平均售价持续暴跌，从笔记本电脑到移动终端产品，各类型号的 DRAM 芯片出货量单季度跌幅一度达到 13% 至 18%。NAND 闪存的价格更跌至成本线以下，不少厂商卖一颗亏一颗（TrendForce 数据）。

2023 年，三星营业利润同比减少超过八成，创下 2009 年以来最低记录。美光 2023 财年营收腰斩。SK 海力士经营利润率为-24%。

美光 CEO Sanjay Mehrotra 坦言，存储行业正在经历过去 13 年来最严重的衰退，仅次于 2008 年金融危机带来的崩盘。赌输了的存储巨头们，在那一年只有一件事能做——把前几年扩充的产能再减掉。

莎士比亚说，那些残暴的欢愉，终将以残暴结局。

AI 引爆的 “复仇”

如果说上一个周期，存储巨头是被市场需求裹挟着从黄金时代坠入深渊。那么 2024 年以来，当 AI 数据中心需求拉动行业复苏、重回上行周期时，拿回定价权的存储巨头为了避免历史重演，精心导演了一场 “复仇”。

目前存储芯片市场主要由 DRAM 内存和 NAND 闪存构成。其中 DRAM 又分为服务于 AI 数据中心的高带宽内存（HBM）和用于消费电子产品的 DDR4/DDR5。当 AI 数据中心需求暴增、HBM 产能严重不足时，三大巨头的策略是：主动减产 DDR4/DDR5，将产能让渡给利润更高的 HBM。其新建产能也主要用于 HBM。

这直接导致了手机、电脑及汽车行业的存储芯片供货危机，但也让三巨头成功规避了盲目扩产后需求回落的风险，用这些行业充当了其产能调控的蓄水池。

2024 年 10 月，SK 海力士表示将大幅削减 DDR4 的产量占比。TrendForce 预计，到 2027 年，SK 海力士近 40% 的 DRAM 产能会用于 HBM。三星和美光也相继宣布，将 DDR4 等传统产能转向 HBM 和高端 DRAM。此时内存价格虽已止跌，但市场整体还在复苏前夜。

真正的杀招出现在一年后。2025 年 10 月，OpenAI 宣布与 SK 海力士、三星签订庞大的采购协议，锁定了每月 90 万片的晶圆产能，为其 “星际之门” 项目确保核心存储芯片供应。

尽管此前市场已暗流涌动，但发现 OpenAI 锁定的产能约占全球 DRAM 总产能 40%（TechInsights 数据）时，市场的恐慌情绪被彻底引爆——这意味着剩余产能要被苹果、联想、戴尔、亚马逊等所有其他客户争抢。

协议官宣后，DDR5 价格飙升。股票研究机构 Citrini Research 研究员 Jukan 统计，DDR5 平均售价在几周内上涨两到三倍。三星去年 11 月将部分存储芯片价格上调，较 9 月涨幅最高达 60%，到今年更将 NAND 闪存供货价直接翻倍。

哪怕咬牙接受涨价，也未必能拿到货。SK 海力士去年 10 月宣布，2026 年全年包括 HBM 在内的 DRAM 产能和 NAND 产能全部售罄。美光也确认其 2026 年的 HBM 产能售空。美光 CEO Sanjay Mehrotra 透露，即使是关键客户，产能最多也只能满足三分之二的需求。言外之意：大客户也得乖乖排队。

行业重回扬眉吐气的上行周期，但各家分到的蛋糕不一样大。动手更早、转向 AI 厂商更激进的 SK 海力士成功摘掉 “千年老二” 的帽子。2025 年全年，SK 海力士获得 47.2 万亿韩元营业利润，超过老大哥三星电子（43.6 万亿韩元）登顶行业第一。

SK 海力士的翻身，印证了 HBM 就是存储行业当下的印钞机。

TrendForce 数据显示，HBM3e 的价格是同容量 DDR5 服务器内存的 4-5 倍，利润是 DDR4 的 10 倍。美光预计，全球 HBM 潜在市场将在 2028 年达到 1000 亿美元——2023 年还只有 40 亿美元。正是因为 HBM 的超高利润，让三巨头不惜得罪老客户而转产。

消费电子和汽车行业成了这场产品结构调整中的牺牲品。手机内存成本占比通常在 10%-20% 左右，如今这一占比正在攀升。就连雷军都发微博直呼：存储涨价 “有点离谱”。手机厂商面临两难选择：砍配置，或是面向消费者涨价。

即使最有议价权的苹果，在存储巨头面前也无计可施。以往苹果凭借订单规模能签下更有利的长期合同，但如今攻守易势。据韩国媒体 ZDNet 报道，在今年一季度 iPhone 低功耗 DRAM（LPDDR）价格谈判中，三星给苹果的报价较前一季度上涨超过 80%，SK 海力士的报价更是直接翻倍。

尽管最终成交价不得而知，但可以肯定的是，苹果要承担更高的存储成本，而这也很可能会体现在下半年发布的 iPhone 18 系列的定价上。Counterpoint 预计，2026 年全球智能手机平均售价将上涨约 6.9%。

周期魔咒

三大存储巨头部分撤出传统存储产品、转向 HBM，给行业内的其他玩家流量下了填补市场空白的机会。

过去一年，西部数据（Western Digital）股价上涨超过 300%，希捷（Seagate）上涨超过 200%，主要得益于 AI 数据中心建设带来的 HDD（机械硬盘）需求激增。

中国厂商也是这轮产能转换的获益方。长鑫存储、江波龙、南亚科、华邦电等厂商，有望在性能要求相对不高但成本敏感的细分市场——如中低端智能手机、IoT 设备、车载芯片等——获得更大的市场空间。

这并未引起存储三巨头的戒备。TrendForce 预测，三家公司今年的资本支出将温和增长。美光在 2025 财年四季度电话会上表示，要保持供给纪律，不会激进投产；三星高管也表示会视需求快速跟进。

虽然利好消息不断，但存储巨头并未完全走出上一轮需求暴涨暴跌的阴影。如今的每一步扩张，都伴随着对市场需求回落的担忧。

这种担忧首先就来自难以掌控的供需平衡。尽管摩根大通的分析师预测，2026-2027 年仍然是存储行业的上行周期，但随着 HBM 的供给逐步提升，良率逐渐稳定——如三星 HBM4 产能预计在 2027 年大规模释放——HBM 仍面临供过于求。对于存储巨头而言，延迟扩产反而有望拉长上行周期，降低亏损风险。

其次，HBM 的钱也没那么好挣，需要跨过三重门。

首先是良品率。HBM 的本质是在极小的硅片上像盖高楼一样堆叠多个 DRAM 芯片。只要一层失效，整个堆栈就会报废。层数越高，复合良品率越低。传统 DRAM 的良品率能达到 80% 以上，成熟产品甚至超过 90% ，但是 HBM4（12 层和 14 层）目前仅有六七成。

同时，HBM 的晶圆消耗量也比传统 DRAM 更高。美光曾披露，生产同样容量的 HBM3e 所需晶圆量约为 DDR5 的 3 倍。HBM 的生产周期也更长，TrendForce 测算，HBM 的生产周期比 DDR5 长约 1.5–2 个月，总周期通常超过半年。这不仅挤压了传统 DRAM 的产量，也显著推高了成本。

最后，HBM 的专用性可能会加剧供过于求的风险。传统 DRAM 具有一定通用性，即使手机、电脑市场需求下滑，也可以通过改变封装形式、做车规验证等方式把产品分流到智能硬件及汽车行业消化库存。但 HBM 主要搭载于 AI 数据中心，用于支持 AI 的训练和推理等任务，缺乏多元化的应用场景。因此一旦出现类似 2023 年的需求骤减，更容易砸在手里。

显然，存储巨头们厌恶周期，但只要市场在变，存储就仍然是周期生意。正如黑格尔所说，人类唯一能从历史中吸取的教训就是，人类从来不会从历史中吸取教训。