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消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产
22 小时前
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来源：IT之家
三星电子西安NAND晶圆厂完成236层堆叠的V8 NAND量产，旨在提升性能与效率，满足AI时代需求。下一步将瞄准286层堆叠的V9 NAND，计划2026年量产。
IT之家 3 月 30 日消息，韩媒 ETNEWS 当地时间 29 日报道称，三星电子位于中国西安的 NAND 晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了 236 层堆叠的第八代 V-NAND (V8 NAND) 的量产。
西安晶圆厂是三星在韩国本土外重要的半导体生产基地。本次制程升级始于 2024 年，旨在改造原有的 V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足 AI 时代对高性能存储设备的需求。
在量产 V8 NAND 后，三星西安晶圆厂的下一步瞄准了 286 层堆叠的 V9 NAND，相关生产线将位于 X2 工厂，计划在 2026 年内完成过渡并实现量产。
