1、博世大规模裁员2.2万人，中国市场受波及

2、思锐智能：全球化布局赋能主业 深耕ALD、IMP赛道筑牢壁垒

3、英特尔联手特斯拉 共同推进Terafab先进晶圆厂计划

4、IDC：中国AI芯片格局剧变，国产份额升至 41%，英伟达垄断被打破

5、消息称苹果可折叠iPhone工程测试遇挫，出货或延迟

6、台积电下周法说会焦点前瞻：外资聚焦六大核心议题

7、AI芯片驱动先进封装扩产 封测设备需求高企

1、博世大规模裁员2.2万人，中国市场受波及

博世计划全球裁员2.2万人，不仅冲击德国本土市场，也延烧至中国市场，反映其业务结构正面临深层调整。

随着电动车浪潮加速、传统燃油车需求转弱，加上中国本土品牌与供应链快速崛起，博世过去凭借关键零件专利建立的优势正遭遇挑战。此次裁员不仅是企业自救行动，更被视为西方汽车产业在转型压力与全球竞争重塑下，所付出的沉重代价。

博世德国总部继2024年宣布裁员9000 人后，2025年再次追加 1.3 万人的裁撤计划，预计到2030年底，累计裁员规模将达到2.2 万人。与此同时，博世中国也无法倖免，相关裁员传闻涉及无锡的燃油车与氢燃料电池等项目。此前有员工证实裁员的真实性，但直言公司的补偿方案相对优厚，“目前这几波都是经济性裁员，全部补偿了N+4。今年6月份，还将在中国开启一轮裁员，涉及员工会更多”。

博世中国总裁徐大全曾坦言：“在电机、电桥、电控和辅助驾驶等新兴领域，博世的盈利状况都不乐观”。目前纵观行业，华为、比亚迪等多家中国企业崛起，抢占了市场份额，博士在竞争中逐渐“失宠”。

2、思锐智能：全球化布局赋能主业 深耕ALD、IMP赛道筑牢壁垒

今年全国两会政府工作报告中，集成电路被正式确立为国家六大新兴支柱产业之首，体现了国家对半导体产业的高度重视。在全球半导体产业链加速重构背景下，中国半导体产业正经历从“补短板”到“提性能”的战略转变。青岛思锐智能科技股份有限公司（以下简称“思锐智能”）凭借在原子层沉积设备（ALD）与离子注入机（IMP）领域的双线布局，已成为当前赛道内少数实现关键技术自主突破的装备供应商，在这一产业变革中占据着独特的战略地位。近日，集微网专访思锐智能研发总监，深入探讨思锐智能如何凭借其在ALD和IMP设备领域的技术积累与创新突破，助力中国半导体产业创新发展。

助力产业创新：立足当下布局未来

当前全球半导体市场正在加速扩容。世界半导体贸易统计组织WSTS最新预测，2026年全球半导体市场规模将达9750亿美元，逼近万亿美元大关。这一增长并非传统周期性反弹的简单重复，而是由人工智能技术驱动的结构性变革。叠加中国半导体国产化进程加速，这为我国半导体设备企业带来前所未有的发展机遇。

在此进程中，思锐智能紧抓国产替代机遇，支撑国内晶圆厂工艺研发与产业升级，前瞻布局下一代工艺创新赛道。依托ALD、离子注入核心自主技术突破，公司装备实现标准化量产与规模化交付，成功纳入主流半导体制造供应链。凭借核心自主可控技术、稳定设备效能与优质技术服务，思锐智能为客户提供一体化工艺解决方案，持续强化自研装备在产业链的配套价值与产业化落地能力。思锐智能在中国半导体产业发展进程中所发挥的作用不止于国产替代。针对全球客户新工艺开发的探索需求，思锐智能提供全谱系ALD、离子注入装备的一体化工艺支撑，既能全力支持现有工艺的规模化生产，也能以国际主流前代工艺为基准，助力用户完成下一代工艺的验证工作。作为拥有全球客户拓展能力的半导体装备生产制造商，思锐智能及海外子公司业务范围已覆盖全球40个国家及地区，累计服务超过500个全球客户。

当前半导体技术正朝着3D堆叠和新材料方向快速演进，这既为整个行业带来严苛的技术挑战，也孕育着广阔的市场机会。在3D堆叠、新材料等新兴领域，国内外装备技术差距处于同步研发、并行探索阶段，部分细分领域已形成差异化技术优势。以ALD装备在碳化硅功率器件中的适配场景为例，伴随深沟槽结构在第三代器件中的普及，ALD技术在沟槽薄膜生长均匀性、致密性上，相较传统CVD、PVD工艺具备显著适配优势。思锐智能较早布局该前沿方向，已完成基础技术储备与工艺验证，逐步构建可落地的核心技术壁垒，为后续全球化市场配套筑牢坚实基础。依托长期技术积淀，思锐智能核心装备在国内半导体产业升级配套进程中，正发挥愈发关键的支撑作用。

思锐智能专家指出，在国内晶圆制造的创新研发环节，本土装备企业具备显著的协同适配与快速响应优势。整体来看，工艺优化需求主要分为两类：一是现有工艺平台内的精细化迭代升级；二是全新架构、全新材料驱动的原创工艺开发。在高频精细化工艺迭代场景下，思锐智能深度联动客户开展软硬件定制化开发，精准适配各类新型工艺落地应用；面向前沿原创工艺前瞻研发，依托完备的定制化技术支撑体系，可提供高适配、全流程的研发与量产配套服务。公司与客户联合研发的协同模式，既能高效加速先进制程技术迭代落地，亦可推动核心装备持续贴合产业市场化需求，稳步构建“研发—应用—优化”闭环技术生态。

ALD设备：适配3D堆叠与新材料演进需求

原子层沉积技术广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件等各类半导体产品的制造，其设备性能与芯片集成度、性能与可靠性密切相关。3D堆叠和新材料应用对ALD设备的适配能力、控制精度都提出了更为严苛的需求与挑战。

在3D堆叠技术领域，逻辑芯片往往要在“不超过10nm空间内堆叠多种不同组分材料”，其中沉积厚度控制精度、材料组分控制精度都是关键痛点。设备精度不足极易出现组分偏差、厚度不均等问题，进而影响芯片的电学性能与稳定性。在新材料应用层面，ALD设备面临的挑战同样严峻。例如IGZO等多元复合材料，未来在先进存储、3D DRAM领域的应用将日益广泛，这类材料的多元复合特性，要求ALD设备必须实现超高精度配比调控能力，保障薄膜参数稳定达标。碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料的产业化提速，也推动ALD装备持续完成工艺兼容、生产效率提升等专项技术升级。

思锐智能深耕ALD领域，构建了完整的技术体系，累计拥有近400项全球专利族群，形成覆盖多工艺节点、主流核心场景的全谱系ALD产品线，可满足客户多元化工艺需求。公司攻克高精度沉积控制、复合材料适配等关键难点，设备指标达到国际先进水平，深度适配前沿制程应用。

ALD Transform

离子注入机：实现高壁垒赛道下的核心技术攻坚

离子注入设备是实现芯片掺杂、材料改性等关键工艺的核心支撑，技术壁垒极高，核心难点集中在三大层面：

其一，整机系统极其复杂，数千种零部件协同配合实现整机功能。离子源作为设备“心脏”，需持续实现高纯度、高束流、长寿命稳态输出，精准管控离子品类、保障束流全域均匀。受束流传输与控制系统架构繁杂、调控参数多元的刚性瓶颈制约，大幅提升了工艺参数全域协同控制难度。同时，高压绝缘、污染防护等特种材料自研与精密成型制造，长期属于行业攻坚难点。

其二，离子束传输与聚焦控制难度突出。设备需在超高真空环境下完成离子束长距离精准传导、定点聚焦，适配多工艺节点、多尺寸晶圆量产需求。受工艺端缺失无损实时直检手段这一核心技术瓶颈制约，隐性工艺风险突出，倒逼束流传输与聚焦控制系统必须实现极致精度与绝对稳定性，同时为机械加工公差、智能控制响应精度确立行业顶尖标准。

其三，量产级可靠性、安全性与一致性管控难度极高。量产端需支撑7×24小时连续稳定运行，实现全批次工艺参数精准复刻。核心部件耐久性、系统兼容性与故障自愈能力需对标国际标准。同时设备自带毒气、高压、电离辐射等危险源，安全防护技术门槛严苛。双重要求之下，唯有依托核心自主研发与量产数据持续迭代优化，方能保障设备稳定交付。

攻克离子注入机核心技术，对保障产业链安全意义重大。思锐智能坚持高强度持续研发投入与专项技术攻坚，选择率先攻克难度最高的高能离子注入机并深耕，先后攻克离子源、束流传输聚焦等核心技术卡点，在束流均匀性、整机运行稳定性、量产可靠性等关键性能指标上实现对标国际先进水平。

公司持续加码重资产科研布局，自主搭建专业实验验证平台与工艺量测实验室，构建全流程自研、自测迭代的技术体系；深度联动终端客户开展联合工艺开发与量产适配，依托真实工况持续打磨优化技术参数，实现核心装备与客户工艺需求的协同升级。产品端，思锐智能已完成硅基及化合物半导体领域全系列离子注入机的研发与验证，搭建完整产品矩阵，覆盖高能、大束流、中束流等全品类机型，可满足从成熟工艺到先进工艺、逻辑芯片到存储芯片、硅基芯片到第三代半导体器件的多元化应用需求。

目前，企业自研高能离子注入机、大束流注入机已实现批量落地交付。依托自研核心架构与极致工艺性能，设备通过严苛量产工况的长期验证，关键指标达到行业标杆水平，持续获得头部客户规模化量产导入，充分印证了公司核心技术壁垒、设备稳定性及量产适配能力，助力思锐智能稳居行业领先梯队。

SRII 高能离子注入机

AI赋能：推动半导体设备的智能化升级

在半导体设备高速迭代的行业格局下，底层软件的自主可控与智能化升级，已成为决定装备精度、运行效率与场景适配能力的核心关键。思锐智能坚持软件自主开发，构建涵盖控制程序、工艺算法、数据分析的完整体系，实现软硬件深度协同、同步迭代，充分释放硬件性能潜力，同时可快速响应客户定制化开发与现场调试需求，具备极强的场景适配与拓展能力。

公司精准把握AI技术向半导体制造深度渗透的行业趋势，积极探索其在高端装备领域的落地价值。AI不仅是突破传统设备效率与精度瓶颈的重要手段，更为客户前沿工艺创新提供全新支撑。目前，思锐智能的AI应用已落地于参数优化、工艺预测、状态监控、辅助调试四大核心场景。

工艺优化层面，基于海量运行数据训练智能模型，快速匹配最优工艺参数组合，有效提升量产效率；针对3D堆叠、新材料制程等复杂工艺，依托AI算法降低调试门槛、减少人工干预，加速先进工艺落地应用。

智能运维层面，依托全量运行数据搭建智能分析模型，实现故障精准预警与定向运维建议，有效降低停机风险，保障装备长期高效稳定运行。

未来，思锐智能将持续加码AI技术研发，深化智能运维算法迭代，进一步提升故障响应时效；同时结合3D架构与第三代半导体研发需求，拓展前沿制程的智能化辅助能力。公司将深度融合物理仿真与数字建模，打造“智能装备+原生软件+定制化服务”一体化解决方案，持续巩固在ALD、IMP及装备智能化领域的技术领先优势。

思锐智能在ALD、IMP以及智能化技术方面的探索与积累，并非单纯的技术突破，而是源于对产业趋势与客户需求的深度洞察。未来，思锐智能将持续加大研发投入，聚焦核心技术迭代升级，优化全谱系装备的场景适配能力，深化产业链协同研发，全方位支撑半导体产业从产能配套向高端技术引领的长效转型。

3、英特尔联手特斯拉 共同推进Terafab先进晶圆厂计划

英特尔（Intel）7日宣布，将协同特斯拉、SpaceX、xAI，共同加入马斯克的巨型晶圆厂Terafab计划，激励该公司股价在当日早盘上扬逾2%。

英特尔在X平台发文说，「我们设计、生产、封装超高效能芯片的能力，将协助Terafab加速达成目标，每年生产1TB算力的芯片，用于AI与机器人的未来进展」。

马斯克上个月宣布，旗下的火箭公司SpaceX与电动车公司特斯拉，将在德州奥斯汀建造两座先进晶圆厂，一座供货给汽车与人型机器人，另一个则用于太空的AI资料中心。 SpaceX已与社群媒体X、AI公司xAI合并。

根据贴文，英特尔上周末邀请马斯克到该公司，并附上英特尔执行长陈立武和马斯克的合照。

路透报导，6日与银行团队开会时，概述该公司的IPO计划，包括将把大量股票分配给散户投资者，并计划在IPO说明会启动后，于6月举办一场接待1500名散户投资者的活动。

报导指出，SpaceX公司财务长约翰森在这场会议中表示，散户投资人将是SpaceX IPO的「核心部分」，其比重将超过历史上任何IPO。他表示，这一安排是刻意设计，回馈长期支持SpaceX和马斯克的散户投资者。

对于在AI竞赛中落后于竞争对手的英特尔而言，随着其转型计划逐步展现成效，这项合作关系将进一步提振投资者信心。随着处理器需求增加，该公司的财务状况已有所改善。英特尔积极发展先进芯片封装事业，据传正与至少两家大公司洽谈，希望赢得这些企业的先进封装订单。美国媒体Wired报导，这两家公司是Google和亚马逊，他们都生产自家客制化芯片，但会外包部分制造工作。 Google发言人拒绝置评，强调Google不公开讨论供应商关系，亚马逊也拒绝置评。英特尔则表示，不评论特定客户。

现任执行长陈立武上任已一年多，目前正透过裁员与资产出售等激进的组织重整手段，致力于修复这家芯片大厂的财务体质。此外，英特尔已获得来自英伟达以及美国政府数十亿美元投资，而美国政府目前已成为其最大股东。（经济日报）

4、IDC：中国AI芯片格局剧变，国产份额升至 41%，英伟达垄断被打破

市场研究机构 IDC 最新报告显示，2025 年中国本土 GPU 及 AI 芯片厂商，已占据中国 AI 加速器服务器市场近 41% 份额，英伟达在这一核心海外市场的绝对主导地位被快速削弱。

数据显示，2025 年中国 AI 加速卡总出货量约400 万张。英伟达仍以约220 万张、55% 份额位居第一，但相较此前近乎 95% 的统治级占比，已出现大幅下滑。

IDC 指出，这一转折核心源于美国出口管制切断中国获取英伟达高端芯片渠道，叠加国内对供应链自主可控的迫切需求，共同推动国产芯片快速上量。

国产阵营呈现清晰梯队：华为以 81.2 万颗出货量领跑，占国产总量近半；阿里平头哥紧随其后，出货约26.5 万颗；百度昆仑芯、寒武纪并列第三，各出货11.6 万张，共同构成国产第一梯队。此外，海光信息、沐曦、天数智芯等厂商稳步放量，国产供应链生态逐步成型。

报告认为，国内 AI 新基建与智算中心集中落地，采购倾向国产化，成为本土芯片增长的核心动力。

面对份额持续被挤压，英伟达并未退出中国市场，近期推出专供中国市场的 AI 芯片并获得订单。但其 CFO 在财报会上坦言，中国本土竞品进步显著，长期可能重塑全球 AI 产业格局。

5、消息称苹果可折叠iPhone工程测试遇挫，出货或延迟

据报道，苹果在其首款折叠屏iPhone的工程测试阶段正遭遇挫折，这可能导致其量产和产品出货进度延迟。

多位知情人士表示，围绕折叠屏iPhone工程开发的问题比苹果预期更加复杂，解决所需时间更长。在最坏情况下，首批出货可能被推迟数月。

据报道，部分（但并非全部）零部件供应商已被告知，折叠屏iPhone的组件生产计划可能会被推后。

苹果及其供应商正努力解决这些问题，因为一旦出货时间延误，将影响这家美国科技巨头对这款备受期待的折叠手机的营销策略。

一位知情人士称：“在早期试产阶段出现的问题确实多于预期，需要更多时间来解决并进行必要调整……当前情况可能对量产时间表构成风险。”

该人士还补充道：“4月将成为工程验证测试的关键阶段，从本月到5月初都极为重要。”

此前报道称，苹果已调整其2026年的iPhone发布策略，将标准机型的生产推迟至2027年初，以优先保障高端机型（包括折叠屏iPhone），并更好地分配有限的内存芯片及其他关键资源。

另一位知情人士表示，潜在的时间延误与零部件或材料短缺无关，更多源于这家美国科技巨头在首款折叠屏iPhone上面临的工程挑战。

“苹果及其供应链正承受紧迫的时间压力，而现有解决方案尚不足以彻底解决工程难题……仍需要更多时间。”该人士称。

每一款新iPhone机型都必须经过一系列精密规划的阶段，这些阶段包括：新产品导入（NPI）、工程验证测试（EVT）、开发验证测试（DVT）、生产验证测试（PVT）、试产以及大规模量产。

根据调研，苹果计划初期生产约700万至800万部折叠屏iPhone。这家总部位于加州库比蒂诺的科技巨头对今年的iPhone发布寄予厚望，并预计其首款折叠产品也将带动整个产品线的需求增长。

折叠屏iPhone在苹果今年新机初始计划产量中的占比不足10%。尽管如此，供应链仍希望其在销售表现上取得成功，因为推出这一全新形态设计需要对设备、材料和零部件进行全面升级，从而为供应商带来更高利润空间。

6、台积电下周法说会焦点前瞻：外资聚焦六大核心议题

全球晶圆代工龙头台积电16日召开法说会，外资大型研究机构在枪林弹雨中提问上膛，聚焦台积电2奈米、长线扩产计划等六大核心议题，同时，外资亦把握回档机会调升台积电目标价，为本次逢拉回季线、加码台积电策略锦上添花。

摩根士丹利、花旗环球、摩根大通证券分别将台积电股价预期升至2,288元、2,800元与2,400元。汇整近期各大外资研究机构观点，台积电法说会本次有六大必考焦点。

首先，市场最关注AI需求是否持续升温，以及对台积电营收贡献是否进一步扩大；第二，随先进制程与先进封装需求强劲，台积电是否上修2027、2028年资本支出展望；第三，外界也期待台积电针对消费性电子需求偏弱疑虑提出更明确说法。第四，在地缘政治风险升高、美国扩厂进度；第五，面对特斯拉TeraFab计画及三星、英特尔持续加码晶圆代工布局，台积电如何看待中长期产业竞争版图，也是法人追问重点；第六，2奈米制程推进进度、客户导入情况及其对获利与接单动能的挹注，亦是本次法说会的重要观察指标。

摩根大通证券台湾区研究部主管哈戈谷（Gokul Hariharan）指出，考量过去二至三个月需求指标明显转强，研判台积电本次法说会基调将延续正向，对AI加速器需求将展现更为乐观态度，预期台积电对于2027～2028年的产能扩增将更为积极。

摩根士丹利证券半导体产业分析师詹家鸿认为，台积电2027、2028年资本支出上看650与700亿美元，产能扩张将确保台积电维持领导地位，并掌握AI与HPC的中期成长契机。

花旗环球证券台湾区研究部主管陈佳仪则断言，随辉达公布产品蓝图，预期将成台积电A16晶背供电（back-side power）制程首批导入客户，并应用于2028年推出的Feynman GPU。（工商时报）

7、AI芯片驱动先进封装扩产 封测设备需求高企

AI芯片、高速运算与客制化ASIC需求持续爆发，先进封装已从过去的后段制程，升级为左右AI服务器出货与高阶芯片量产进度的关键环节。随台积电、日月光等大厂持续扩充CoWoS、WMCM、SoIC等产能，设备端也同步迎来新一波密集交机潮。法人认为，封装产能缺口短期内仍难完全填补，今年设备需求将延续高档，弘塑、万润、均华及辛耘可望续吃扩产红利。

弘塑表示，今年上半年产能利用率已达满载，且因CoWoS产能吃紧，客户大量释出急单，部分甚至超出既有产能规画，下半年需求暂未见下修迹象，全年维持满载态势相当明确。法人看好在先进封装与先进制程设备需求续强下，弘塑今年营收有机会再增2至3成。

万润目前订单已看到2026年第二季底，且客户扩产时程逐步明朗，下半年营运有望优于上半年。除了既有CoWoS设备商机外，万润近一步布局CPO、矽光子检测与面板级封装，相关样机已交付客户验证，并整合自制六轴耦合手臂、影像辨识与自动上下料模组，朝一站式设备方案发展。

均华方面，法人指出，均华已成功切入台积电CoWoS与SoIC供应链，产品以Sorter与Die Bonder为主，其中Die Bonder单价较高，今年下半年出机量可望明显提升。

至于辛耘，法人指出，辛耘在自制湿制程设备、暂时性贴合与相关制程设备仍握有一定订单份额，同时在封测与记忆体客户也有新斩获，自制设备出货动能有望延续到今年，带动营运再攻高。（工商时报）