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英特尔携手联电攻坚3nm工艺：向台积电发起挑战
5 小时前
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来源：凤凰网
英特尔与联电达成合作，共同推进3nm和12nm工艺研发，相关生产线将落地英特尔美国工厂。12nm工艺芯片将面向物联网和WiFi领域，首批设计套件预计今年交付，2027年底量产。3nm工艺尚处研发阶段。
快科技6月20日消息，据媒体报道，芯片巨头英特尔与联电已达成合作，将共同推进先进工艺制程的研发。在首席执行官陈立武的带领下，英特尔正积极布局晶圆代工领域，力图与台积电展开正面竞争。
提到晶圆代工，人们首先想到的往往是台积电。但值得注意的是，在半导体行业中，联电是中国台湾第二大芯片制造企业，市场份额仅次于台积电。
不仅如此，联电还是中国台湾第一家晶圆代工公司，在成熟工艺节点方面积累了丰富的制造经验，其产品广泛应用于各类工业领域。
如今，联电似乎对进军先进工艺半导体制造表现出了浓厚兴趣。据报道，该公司已与英特尔携手，双方将联合攻坚3nm和12nm工艺，相关生产线将落地于英特尔位于美国亚利桑那州的工厂。
据悉，两家公司在12nm工艺节点上制造的芯片将主要面向物联网和WiFi领域。首批设计套件预计今年内交付客户，以便在明年年初启动流片，并计划于2027年底实现量产。
至于3nm工艺，目前双方仍处于联合研发阶段，目标是打造出一款与台积电技术水平相当的3nm节点，从而帮助英特尔在全球晶圆代工市场中争取到更大的份额。
