1.万亿美元市值的“存储三巨头”：涨价、垄断与扩产；

2.高盛上调2027年HBM价格预测：三星年增率预估由14%调升至44%；

3.权威认可！佰维车规级UFS荣获汽车电子科学技术奖·突出创新产品奖；

4.云豹智能与超聚变达成战略合作，共建国产算力网络新生态；

5.消息称英伟达取消四芯粒版Rubin Ultra，改用双GPU设计；

6. 美光CEO发声“甩锅”：内存供应失衡别只怪我们 客户曾压价到三分之一

1.万亿美元市值的“存储三巨头”：涨价、垄断与扩产

放眼全球，市值突破万亿美元的企业仅十余家，而做存储的就有三家。

在过去12个月，SK海力士和美光股价超9倍速狂奔，三星电子暴增超5倍，三家存储巨头，大跨步进入“万亿美元市值俱乐部”。

具体来看，去年6月27日，美光股价约为124.7美元/股，而今年6月28日已达1132美元，市值超1.2万亿美元；SK海力士去年6月29日股价约为180美元，今年6月26日约1700美元，总市值约 1.38万亿美元；三星电子去年6月29日其股价约40美元，而今年6月27日约209美元，市值约1.4万亿美元。

这背后的核心原因是，三星电子、SK海力士、美光几乎包揽了90%以上算力服务器中的存储市场。

伴随着三巨头的狂飙，其所在的存储行业也被贴上三个标签，涨价、垄断与扩产。

三个月狂揽800亿美元

存储涨价的苗头，从2025年上半年开始。

去年4月，闪迪一封涨价函，告知客户产品整体涨幅超过10%，掀开了存储芯片短缺、涨价的大幕。

随后，三星电子、海力士、美光等大厂也开始宣布涨价，甚至在2025年下半年涨幅一度超70%，且供不应求。

这带来了2025年，三家头部存储公司，营收和利润的增长。

在2025年财年，三星电子半导体（DS）业务营收约为308亿美元，营业利润约114亿美元；海力士营收约681亿美元，净利润约300亿美元；美光营收为373.78亿美元，净利润为85.39亿美元。

在2025年，海力士的利润率为48.5%，三星的毛利率为39.4%，美光的毛利率为39.8%。

2026年开年，三家半导体巨头营收几乎翻倍，利润也迎来约4倍增长，且伴随着净利率/毛利率的翻倍。

2026年一季度（1-3月），三星半导体业务（DS）的营业收入为530亿美元，增长225%，营业利润达350亿美元，同比增长480%，海力士营业收入约330亿美元，同比暴涨198%，营业利润约240亿美元，同比增长 405.5%。

从美光最新发布的2026财年第三季度（3-5月）数据来看，增长还在持续，期间营收414.6 亿美元，同比增长345.7%，净利润288.6 亿美元，同比暴涨1398.3%。

三巨头三个月赚了800亿美元，超过2025年全年。

营收和利润高速增长背后，是净利率/毛利率的翻倍。在2026年一季度，三星营业利润率是66%;海力士为72.7%,而美光在2026财年三季度毛利率也达到了84.9%。

在2026年5月下旬，三家存储公司的市值，相继突破万亿美元。

全球市值超万亿的公司仅16家，科技公司有13家，除了三家存储巨头外，还有市值超过四万亿美元的英伟达，谷歌母公司 Alphabet 、苹果 Apple，超过2亿的微软 Microsoft、亚马逊 Amazon、台积电TSMC、SpaceX，以及超过万亿美元的博通 Broadcom、特斯拉 Tesla、Meta Platforms。

三星和SK海力士，也成为唯二，进入万亿美元市值俱乐部的韩国企业。

助力他们狂奔的关键技术有两个：DRAM与NAND Flash。

“吸金王“：DRAM与NAND Flash

存储器分为两大类，一类是易失性存储，存储速度快，但是一断电数据就清空；另一类是非易失性存储，断电后数据依然存在。

DRAM与NAND Flash，一个是易失性存储器，另一个则是非易失性存储器。

DRAM包括HBM（高带宽内存）、DDR5/6、LPDDR5/5X/6、GDDR6/GDDR7等技术路线。其中，DDR5/6是台式机、服务器内的存储技术，LPDDR6/5/5X用在智能手机、平板及车载系统，GDDR6/GDDR7面向图形处理器（GPU）的高速显存。

HBM（高带宽内存）是用于算力服务器的存储，也是技术壁垒最高的DRAM。HBM采用2.5D堆栈技术，需要将8 层、12 层甚至16 层 DRAM 芯片，通过TSV（硅通孔）技术，垂直堆叠在一起，目前最新技术为HBM3e / HBM4，单颗存储容量已超36GB。

诸如，三星电子、美光目前HBM3E和HBM4均采用12层堆叠，最高可以实现36GB容量，且正在研发16 层堆叠，容量达48GB的HBM4。

NAND Flash，也叫闪存，包括手机内置存储、U 盘、服务器的固态硬盘 SSD。在AI算力场景下，存储已经演进到PCIE 6.0 SSD。

NAND Flash依靠3D 堆栈技术，将200层甚至300-400层的芯片，堆叠到一个芯片上，堆栈层数越多，技术难度越高。比如海力士开始采用321层固态硬盘（cSSD），并计划在今年底开始量产375层3D NAND Flash，三星计划 2029年将实现420层 SSD。

根据CFM闪存市场统计数据，25Q4全球DRAM市场的前三名分别为三星电子、SK海力士、美光，分别占据37.1%、33.1%和20.8%。而在NAND Flash 市场，前五名分别是三星、SK海力士、铠侠、闪迪和美光，占27%、22.1%、15%、12.8%、11.6%。

三家巨头正惹上“垄断官司”。外媒披露，6月29日，三星电子、SK海力士和美光科技遭遇美国联邦反垄断的集体诉讼，称其合谋限制传统DRAM供应、抬高价格，加剧内存短缺。

存储三巨头能站上如今的位置，其实已经走了50年。

内卷、洗牌的五十年

DRAM比NAND Flash早出生20年，但发明这两种芯片的公司，目前都已放弃存储业务。

1970年，英特尔推出世界上首款DRAM存储芯片（Intel 1103），容量仅1KB，并一度拿下存储芯片的80%以上市场。

在八年后，帕金森兄弟（沃德·帕金森与乔·帕金森）在美国爱达荷州，一个牙科诊所的地下车库创立了美光，并在1979年发布64Kb容量DRAM。

1980年，美光创立的两年后，行业开始“内卷“。当时，日本厂商东芝、日立、富士通等公司开始进军存储市场，并以极高的良品率和更低价格，抢占80%以上市场份额。

那时，英特尔因为难以匹敌日本公司，放弃 DRAM业务，转型做微处理器（CPU）。

在三年后，韩国两大巨头才成立。1983年，韩国商人郑周永成立现代电子产业株式会社，这也是SK海力士的前身，同年，三星创始人李秉喆宣布正式进军DRAM市场，并发布了能用于个人电脑的64Kb 容量的DRAM，比美光晚4年，比海力士早两年。

1989年，东芝推出首款 NAND Flash 产品，NAND Flash进入存储舞台中央。1992年底，三星从东芝获得 NAND Flash 设计授权，并推出首款 NAND Flash 器件。

之后十年，存储行业开始重新洗牌。这一年，韩国现代电子并购LG半导体，并在一年后将现代电子彻底剥离，更名为海力士半导体。

同年，日本存储企业也开始并购重组。NEC与日立剥离各自的内存业务，联合成立NEC日立存储器，一年后正式更名为尔必达。

2000年代初期，海力士正式开始研发NAND Flash，2002年，三星在全球闪存市场份额排名第一。

2003年，日本又一家公司，三菱电机的DRAM 制造部门，也被并入尔必达。在之后几年，尔必达进入发展的黄金期，成功在东京证券交易所上市，并一度获得20%市场份额。

但在2012年之后，日本企业渐渐退出存储赛道。一方面，尔必达由于难敌韩国企业的竞争，加上日本经济限制，宣布破产，并由美光收购。另一方面，在2016财年，东芝净亏损高达9657亿日元，不得已将存储部门剥离并出售，在2019年正式更名为铠侠。

当前，DRAM和NAND Flash是三星和海力士的绝对统治区。但他们侧重点略有不同，三星的优势在于智能手机、电脑中的DDR5/6，LPDDR5等消费级市场，而海力士因为更早绑定英伟达，而在HBM市场更具优势。

算力竞争的下半场依然火拼产能。6月29日，SK海力士宣布将单独向韩国西南地区（湖南／光州）半导体集群投入400万亿韩元，用于建设多座存储晶圆厂及HBM先进产线；三星电子正式公布未来 10 年总额约 1000 万亿韩元的投资；美光也在纽约州和爱达荷州规划了庞大的全新晶圆厂建设。

存储行业是个周期性行业，产能不足时价格增长迅猛，但是需求下降时，价格也将迅速下滑，这也意味着存储行业将没有“永远的牛市”。（文章来源：凤凰网）

2.高盛上调2027年HBM价格预测：三星年增率预估由14%调升至44%

传统DRAM现货价格近期强势上涨，正促使市场重新评估2027年高带宽存储器（HBM）的定价走势。

高盛截至6月26日的最新月度调查显示，DDR5现货价格自5月1日以来已上涨20%，目前较5月合约价溢价约25%；DDR4现货价格同期上涨11%，较5月合约价溢价幅度更达45%。

高盛认为，现货价格大幅领先合约价，通常是后续合约价格跟涨的领先信号。该行调查显示，6月整体DRAM市场情绪指标维持“温和积极”，与4月基本持平。

在此背景下，高盛已将三星2027年HBM价格年增率预测，由此前的14%大幅上修至44%。该行认为，传统DRAM现货价格的强劲表现，可能会被市场纳入明年HBM定价谈判的参考依据。

高盛同时指出，目前这一上修后的预测仍可能未充分反映上行风险，意味着44%的涨幅预估“可能还不是终点”。在HBM供需持续偏紧、传统DRAM与HBM价差继续扩大的情况下，后续价格预测仍存在进一步上调空间。

对于三星2026年第二季DRAM平均售价，高盛预计将环比上涨约46%，但价格涨势的边际动能已有所放缓，后续涨幅可能逐步趋于平稳。

产业数据也显示存储器市场景气度持续升温。韩国5月DRAM出口金额再度刷新历史纪录，环比增长21%，同比增长370%。高盛分析称，这一增长主要受益于存储器价格上涨，以及美国、中国大型科技公司的强劲采购需求。

3.权威认可！佰维车规级UFS荣获汽车电子科学技术奖·突出创新产品奖

近日，在深圳举办的IAEIS 2026第十五届国际汽车电子产业峰会暨2025年度汽车电子科学技术奖颁奖典礼上，佰维存储打造的TAU208车规级UFS 3.1存储产品凭借卓越的技术创新性与市场应用价值，从众多参评项目中脱颖而出，荣获“汽车电子科学技术奖·突出创新产品奖”。

权威奖项背书，彰显技术硬实力

汽车电子科学技术奖由深圳市汽车电子行业协会设立，是面向全国汽车电子领域的权威科技奖项。该奖项评审由独立的汽车电子产业专家委员会进行，从创新性、技术先进性、知识产权及市场效益等多维度进行严格评审，旨在奖励在汽车电子领域科学研究、技术创新及产业化中作出突出贡献的项目。

佰维存储车规级UFS获奖，不仅体现了行业专家对其技术方案的高度认可，也标志着佰维在车规级存储赛道上的领先地位。

产品优势显著，打造车规存储新标杆

作为一款面向智能汽车数据密集型应用的高性能存储产品，佰维TAU208 车规级UFS 3.1的核心优势主要体现在四个方面：

1、业界领先的高带宽性能：TAU208基于UFS 3.1标准，前端接口理论最大带宽高达23.2Gbps，采用MPHY 4.1物理层接口与UniPro 1.8协议，支持HS-G4传输速率及双通道设计，顺序读写速度实测分别达2150MB/s和1650MB/s，随机读写最高300K IOPS，为车载大数据洪流提供坚实的吞吐保障。

2、创新的低功耗管理：针对电车续航痛点，TAU208集成了Deep Sleep深度休眠模式，设备睡眠状态下功耗降低高达95%，显著减少系统待机能耗，有效延长汽车电池续航里程，契合绿色节能的汽车电子发展趋势。

3、车规级高可靠性：产品严格遵循AEC-Q100车规标准，支持-40℃至105℃宽温工作范围。佰维通过IATF16949汽车质量管理体系认证，拥有专业车规级可靠性试验中心，建立覆盖产品全生命周期的严苛车规测试体系，涵盖高低温循环、冷热冲击、高压蒸煮、盐雾腐蚀、机械冲击、EMC电磁兼容等多项国际标准测试流程，产品经历超1000小时可靠性验证，确保品质。

4、系统级智能守护：TAU208内置集成LDPC-based ECC+NAND级冗余双重数据保护技术，从底层确保数据完整性，保障产品即使在长期高频读写下，也能确保行车数据与用户隐私的绝对完整。独有的Performance Throttling Notification（性能节流通知）功能可根据温度的表现而智能主动调节性能，避免高温导致闪存写入数据时的错误率而导致磨损加剧，保障产品更安全可靠地读取和写入数据的同时，也降低了使用寿命的折损，而Error History（错误历史记录功能）则为故障诊断与预防性维护提供了关键数据支持，实现了从数据存储到系统健康的全方位守护。

车规存储布局深化，加速车载场景落地

佰维车规级UFS凭借出色的抗干扰性能与长期稳定表现，在高清地图实时加载、自动驾驶多源数据流处理及车载信息娱乐系统的大容量并发读写等场景中，为用户提供流畅、可靠的使用体验。该产品已广泛应用于智能座舱、车载信息娱乐系统、中控导航及自动驾驶等智能出行核心场景。

在车规级存储领域，佰维已构建起覆盖eMMC、UFS、BGA SSD及存储卡等全品类产品矩阵，广泛适配智能座舱、自动驾驶、车联网、域控制器、导航及车载监控等关键系统。公司自研主控SP1800车规级eMMC方案于2025年量产，入选国家市场监督管理总局首批认证审查芯片产品白名单，是存储领域唯二入围厂商。目前，佰维车规级存储产品已成功进入20余家国内主流主机厂及核心Tier 1供应商供应链体系，出货量稳居国产厂商前列。

此次荣获创新产品奖，是行业对佰维“研发封测一体化”战略及技术积累的肯定。未来，佰维存储将继续深化在芯片设计、固件算法及先进封测领域的自主可控能力，进一步拓宽车规产品矩阵，致力于为全球智能汽车产业提供安全、可靠、高性能的存储解决方案。

4.云豹智能与超聚变达成战略合作，共建国产算力网络新生态

近日，深圳云豹智能股份有限公司（以下简称“云豹智能”）与超聚变数字技术股份有限公司（以下简称“超聚变”）签署战略合作协议。双方将围绕服务器网络组件国产化及系统效能提升展开深度合作，共同推动云豹智能DPU产品在超聚变通算和智算服务器中规模化应用，并合力实现双方产品在各类应用场景的广泛部署，共建国产算力网络新生态。

云豹智能与超聚变战略合作协议签约仪式

合作重点

联合打造算力基础设施解决方案

双方将共同推进面向互联网、运营商等重点行业，覆盖国产化、非国产化全品类的算力基础设施解决方案。

DPU规模化应用

超聚变将在其通用服务器和智算服务器中优先搭载云豹智能的DPU网卡。

DPU：算力基础设施的关键网络底座

服务器是算力基础设施的核心载体，DPU则是决定服务器数据吞吐效率、异构算力协同能力的关键组件，可以显著提升算力网络高效运载能力、降低集群综合成本。

云豹智能DPU灵活支持25Gbps至400Gbps的多规格网络带宽，覆盖通算、智算服务器前后端网络需求。在通算场景下，DPU可以卸载CPU原本负担的弹性网络、云存储、虚拟化、安全以及数据管控等复杂任务，充分释放CPU计算资源、减少“数据中心税”。

在AI智算场景下，DPU通过GDR、IBGDA等技术和多路径拥塞控制算法，显著降低GPU集群通信时延，提升集群综合算力效率。

从单点突破到系统级落地

超聚变定位企业在AI和数据时代的水平全栈解决方案提供者，服务器出货量稳居行业前列。双方此次战略合作，标志着云豹智能自研的高端网络芯片深度嵌入国产主流服务器供应链，商业落地迈入多元化、全面提速阶段。

这也预示着算力基础设施的国产化正从计算模块“单点突破”向包括网络、存储在内的算力生态“系统级落地”加速推进。

随着双方合作的深入，云豹智能的高性能DPU将与超聚变的算力基础设施解决方案深度耦合，实现网络与数据管控卸载向系统级算力重构演进，为AI与数字经济时代下的新型数据中心提供从计算到网络的完整国产化解决方案，共同拓展更广阔的算力基础设施市场。

云豹智能团队到访超聚变参观交流

双方声音

超聚变算力事业部总裁唐启明表示：“超聚变致力于打造领先的算力基础设施与服务能力。在核心网络组件的选型上，技术成熟度高、规模化交付能力稳定与供应保障稳固是我们重点考量的维度。云豹智能在这三个维度上表现突出，双方此次达成的战略合作，是国产高端网络芯片进入主流服务器供应链的重要里程碑。我们期待通过双方协作，为客户提供性价比更优、供应链更可靠的算力基础设施解决方案。”

云豹智能创始人&CEO萧启阳博士表示：“超聚变是国内头部算力基础设施提供商，服务器年出货量位居行业前列，其供应链准入对技术成熟度、量产一致性有极高要求。云豹智能DPU能通过验证并进入其核心供应链，反映我们产品在处理器性能、网络带宽、内存性能、通用可编程能力等多项技术指标已达到行业领先水平，同时品质稳定性已在过往大规模部署、多场景商用中得到充分验证。接下来，我们会持续深化与超聚变的协同创新，从网络优化到系统级算力卸载，全面赋能服务器实现高性能网络升级，共建国产算力网络新生态。”

关于云豹智能

深圳云豹智能股份有限公司成立于2020年8月，是国内领先的数据处理器（DPU）芯片设计企业。作为国内率先实现400Gbps高性能全功能DPU芯片技术突破与规模化商用的国产芯片厂商，云豹智能具备对标国际巨头的技术实力。

公司DPU创新地实现了通用可编程能力，能够提供包括弹性网络与存储、虚拟化、安全及低时延RDMA等功能在内的一站式解决方案。云豹智能DPU作为支持人工智能与数字经济产业发展的关键网络基座，在算力集群中承担低时延传输、存储、数据管控、AI加速及安全等核心职责，广泛应用于AI智算、云计算、存储、通信、网络安全及边缘计算等关键战略领域。

云豹智能已推出云霄系列全功能DPU和风驰系列AI DPU，全面覆盖通算/智算服务器前后端网络领域。云豹智能已与国内头部云服务商、电信运营商、AI大模型公司以及金融、电力等领域头部企业建立深入合作，DPU产品已实现大规模部署和多场景商用。

关于超聚变

超聚变数字技术股份有限公司成立于2021年。公司定位于企业在AI和数据时代的水平全栈解决方案提供者，提供行业领先的AI服务器、通用计算服务器等算力产品，并在城企数智业务、能源智慧解决方案等新兴业务领域进行探索。

基于长期的系统工程与产品化能力积累，超聚变构建起覆盖通用计算、智能计算等多元算力需求，包括机架服务器、液冷整机柜服务器、超节点、AI解决方案及操作系统、边缘计算及部件产品在内的完整算力产品矩阵，形成面向全行业的云、边、智融合的全栈算力解决方案产品与服务。此外，城企数智业务系基于公司自主研发“超聚变®智企ERP”等核心商业软件，赋能客户实现智能体时代的数智化转型，已同步预研AI原生的新一代企业级软件；能源智慧解决方案主要为充电网络解决方案，并已立项研发面向AI DC、兆瓦充电站等高压直流场景的产品及解决方案，包括数字储能系统、固态变压器、能量管理系统等。

5.消息称英伟达取消四芯粒版Rubin Ultra，改用双GPU设计

据报道，英伟达原计划在2027年推出的Rubin Ultra AI加速器中采用四个GPU计算芯粒，以追求更高性能。但由于该方案在制造可行性方面存在挑战，英伟达据称已取消四计算芯粒版本，转而采用更易量产的双GPU设计。

Rubin Ultra原本是英伟达近年来较为激进的数据中心GPU项目之一。相比采用两个计算芯粒的Rubin，四芯粒版Rubin Ultra理论上可将性能提升一倍，但也会显著增加芯片设计、先进封装和散热难度。

报道称，将四个接近光罩尺寸上限的大尺寸芯片，通过现有先进封装技术连接在一起，是一项极具挑战的工程任务。同时，为四个复杂计算芯粒和16组HBM4E高带宽存储器模块提供散热，也会带来较高成本和复杂度。因此，出于“制造执行方面的担忧”，英伟达据称决定取消四计算芯粒形态的Rubin Ultra，改为两个计算芯粒设计。不过，该消息目前尚未获得英伟达官方确认。

如果这一调整属实，新的Rubin Ultra理论性能可能约为原计划版本的一半，这或将削弱其相较于AMD Instinct MI500系列等竞争产品的性能优势。不过，英伟达仍可能通过架构和系统层面的优化，提高新版Rubin Ultra的实际表现，以支撑产品升级。

值得注意的是，Rubin Ultra预计将采用HBM4E存储器，而初代Rubin使用的是HBM4。此外，从Rubin系列开始，英伟达计划推出液冷Kyber机架级系统，将单个扩展域内的GPU数量提升至至少144个封装，从而在系统层面提高可交付给客户的算力规模。

报道指出，四芯粒版Rubin Ultra取消后，也可能影响HBM市场需求。原方案预计配备16组HBM4E模块，而新版Rubin Ultra预计仅使用8组HBM4E模块。

此外，双计算芯粒版本Rubin Ultra的单颗GPU成本预计也将低于原四芯粒方案。不过，由于英伟达当前更侧重销售机架级解决方案，而非单独GPU产品，这一调整对客户实际采购支出的影响仍有待观察。如果客户需要购买更多系统来获得同等规模的GPU数量和算力，整体支出未必会随单颗GPU成本下降而降低。

6. 美光CEO发声“甩锅”：内存供应失衡别只怪我们 客户曾压价到三分之一

美光CEO梅赫罗特拉

北京时间7月1日，据CNBC报道，美光科技CEO桑杰·梅赫罗特拉(Sanjay Mehrotra)周二表示，当前内存芯片供需失衡不应完全归咎于芯片制造商。这种失衡近期已导致智能手机、电脑及其他消费电子产品价格上涨。

梅赫罗特拉指出，近年来在价格谈判中“强势压价”的客户同样加剧了这种紧张局面，这也使得整个行业在人工智能需求爆发前投资不足。

“某些客户把我们的行业价格压得非常低。2023年，我们的价格跌到了原来的三分之一。”梅赫罗特拉周二在接受CNBC《疯狂金钱》节目主持人吉姆·克莱默(Jim Cramer)采访时表示。

他表示，价格暴跌导致美光及其他内存芯片供应商陷入负毛利率困境，使得整个行业在人工智能驱动的需求开始加速增长之际，大多缺乏投资新制造产能的财务灵活性。据FactSet数据显示，美光在2023财年(截至当年8月)的毛利率降至-7.3%。

“各家公司当时都在亏损，无力承担新投资。这严重影响了整个行业的投资能力。”梅赫罗特拉表示。

梅赫罗特拉称，美光当时在行业低迷期间仍持续进行投资，“当然，这些投资较前一年已大幅削减”。美光2023财年的资本支出从上一年的121亿美元降至77亿美元。

自2023年价格低迷以来，人工智能驱动的内存芯片需求稳步增长。去年，这种加速趋势更加明显，提振了美光的财务表现。而到了2026年，这一势头更上一层楼，推动美光成为股市最大的赢家之一。该股股价在第二季度飙升逾240%，市值增加超过9200亿美元，使美光总市值达到约1.3万亿美元。

梅赫罗特拉表示，供应紧缺很可能持续到2027年之后，因为新建半导体晶圆厂需要数年时间，且新一代内存芯片的制造复杂度大幅提升。梅赫罗特拉称，为弥补供需缺口，美光正在投资约2000亿美元用于制造和研发，包括在爱达荷州博伊西和纽约州锡拉丘兹新建内存芯片晶圆厂。他表示，博伊西项目进展最快，首批芯片预计“明年年中”下线，此后产量将逐步提升。博伊西厂区最终规划建设两座晶圆厂。

芯片短缺的影响已经蔓延到半导体行业之外。上周，苹果上调了多款Mac和iPad的售价，该公司CEO蒂姆·库克(Tim Cook)此前称内存和存储成本暴涨已“无法回避”。这再次表明，AI驱动的需求正推高元器件成本，最终转嫁到了消费者身上。（文章来源：凤凰网）