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本期的主角是：3D NAND，我们用专业AI投研工具 AlphaEngine（AlphaClaw） 来解读。

我想尝试一种短平快的风格，正文控制在10分钟内能读完，确保干货。

（1）3D NAND：用层数换密度

NAND指的是NAND Flash（闪存），因为其存储单元串联结构在电路上等效于一个"与非门"（Not AND），所以得名。

3D NAND 是一种将存储单元在垂直方向堆叠的闪存技术，区别于传统 2D NAND 在单层平面上排列存储单元的方式。

其本质是当平面微缩逼近物理极限，转而向"高空"发展，用层数换密度。

目前3D NAND堆叠从200层→375层→480层→604层的路径是确定的，每向上一级，字线变得更细更深，进而产生了“以钼代钨”的需求。

（2）字线金属“以钼代钨”已成确定趋势

字线（Word Line） 是3D NAND闪存芯片内部的一种水平控制线路，连接每一层存储单元的控制栅极，负责选择和操作特定行的存储单元。

打个比方，把3D NAND想象成一栋几百层的高楼，每一层住着大量的"存储房间"（存储单元）。

字线就是每一层楼的"电线开关"，当你想读写某一层的数据时，就通过字线给那一层通电，选中它。

随着堆叠层数的增加，字线变得越来越长（L增加）、越来越细（A减小）。

图：AlphaClaw总结

钨在这种极端尺寸下电阻急剧上升，导致信号延迟和发热问题，而钼的电阻率更低且无需额外阻挡层，因此成为高层堆叠的必然选择。

SK海力士375层3D NAND生产验证于6月11日完成，计划年底在清州M15正式量产，钼替代钨的产业拐点不是"在路上"，是正在落地的产业拐点。 

图：AlphaClaw总结

（3）半导体级钼不带来总量冲击，关注高纯溢价

3D NAND用到的半导体级钼是超高纯度钼粉（纯度5N以上），与工业用钼完全不同的产品形态，两者基本不互通。

3D NAND的字线制造是"替换栅"工艺，先把牺牲层（SiN）挖掉，留下极窄极深的空腔，再往里面填金属，使用的是气相前驱体，因此核心受益品种是钼前驱体。

半导体级钼前驱体全球市场目前极小，但2027-2028年预计进入快速放量阶段。

2030E半导体新增钼需求约334吨，相对全球钼30万吨供给可以忽略，但相对现有高纯钼粉产能（~5000吨/年量级）是实质性增量。

图：AlphaClaw总结

全球真正通过三星、SK海力士认证的供应商不超过3-5家，定价逻辑将与大宗钼铁脱钩，向溢价模式演进。

因此“以钼代钨”的真正逻辑是高纯溢价+供给认证壁垒，而不是总量冲击。

（4）供给弹性低，钼价有望继续上行

全球钼供给约40%来自南美铜矿伴生（秘鲁、智利），25-30%来自中国独立钼矿，剩余来自北美。

伴生矿的钼产量由铜矿主矿采选计划决定，与钼价无关。这使得钼的供给弹性从结构上显著低于大多数有色金属。

2026年1-4月，秘鲁地区（占全球产量约10%）因能源紧缺，中国从秘鲁进口钼精矿同比下滑16%。同期南美铜矿主矿商2026年铜产量指引下调，直接传导至伴生钼产量。

26-28年没有显著的新增产能，主要依靠2个超大型项目：沙坪沟钼矿、曹四夭钼矿。

沙坪沟钼矿是亚洲最大钼矿，资源量210-246万吨，金钼股份持有34%权益，2025年完成环评，预计2029年投产，满产后权益年产约7,500吨钼金属；曹四夭钼矿同样2028年后才能释放。

从需求侧看，传统钢铁领域稳健+半导体新增量，机构普遍判断钼价有望突破22年高点6500元/吨度。

图：AlphaClaw作图

（5）市场格局与重点标的

图：AlphaClaw作图

雅克科技：

与SK海力士敲定涨价，7月1日起Mo前驱体普涨20%+，以海力士为示范，其余客户（三星、YMTC、CXMT）有望跟进

已为三星、海力士配套研发多年，质量评估和审厂陆续展开；配套固态前驱体用SFS传输设备已完成国内第一台样机

当前Mo前驱体收入规模较小，但若SKH/Samsung验证通过后进入量产采购，配合涨价，Mo前驱体有望在2027-2028年贡献数亿元营收增量，利润弹性高

其他值得关注的标的见下表：

图：AlphaClaw总结

注：本报告仅供大家学习公司及产业链知识使用，不作为任何投资建议

（文毕）

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