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长鑫存储，正在被全球赌徒用美元疯狂抢购。
外国人疯抢长鑫存储，已炒高到5倍市值！
2026年7月16日，长鑫科技正式开启科创板申购。发行价定在了8.66元人民币，对应总市值约5792亿人民币。
这个数字本身已经足够夸张，PB 5.06倍，绿鞋机制拉满，募资金额最高666亿。
但真正的疯狂不发生在上交所，发生在国外Hyperliquid。
国内发行价8.6元，国外喊到50元
A股申购开启的同一时刻，在国外Hyperliquid，上线了一份名为"CXMT"的Pre-IPO永续合约。
开盘参考价5美元，几小时内被拉到了7.48美元，按668.8亿总股本计算，长鑫科技隐含市值直接飙到3.4万亿人民币。
3.4万亿是什么概念？
工商银行，中国当前市值第一股，总市值约2.66万亿。长鑫科技还没敲钟，国外已经把它拱到了工行头顶上。
SK海力士，全球DRAM二哥，市值约1万亿美元。国外给长鑫的定价，是它的一半，而长鑫的实际市场份额只有SK海力士的三分之一不到。
谁在抢
国外买长鑫的，很多是一群连中文都不会写的中国半导体专家。
一位匿名大佬，在过去一周内分批将资金注入Hyperliquid，随即以5倍杠杆开立了20000枚长鑫科技的多单。
入场价约6美元。按当时价格，这单名义价值约120万美元，浮盈很快达到4.4万美元。
公开信息，有越南的交易员、韩国的投资者、美国的DeFi degens在x上分享了，他们正在给一个自己从未实地考察过的合肥芯片厂下注。
他们知道长鑫的HBM产线为零吗？大概率不知道，或者不在乎。
他们知道长鑫目前的量产主力仍是DDR4，DDR5刚刚起步吗？也许知道，但这不妨碍他们在X上打出"China's SK Hynix"的标签。
长鑫值这个价
长鑫存储确实是中国DRAM领域唯一的规模化选手。成立于2016年，总部位于合肥，2024年产能和出货量全球第四。它承载着"存储芯片自主可控"的国家战略使命。
IPO募资579亿至666亿人民币，用途明确：HBM研发、DRAM产能扩张、国内供应链保障。
另外有信息称，
蔚来汽车作为基石投资者，承诺认购1.58亿元人民币，锁仓18个月。官方定位是"基石战略合作伙伴"，双方将在汽车级LPDDR4X和LPDDR5X上展开合作。
AI大模型+智能电动汽车+自主DRAM，这条产业链在IPO前夕完成了会师。
科创板的准入门槛是50万人民币。中国大部分散户被挡在门外，海外投资者更是无从参与。
Hyperliquid绕了一下，把A股标的代币化，以永续合约形式向全球开放7×24小时交易。
长鑫不是第一个，之前已有"科创50 ETF"。但长鑫是第一个纯正A股Pre-IPO标的。
它不需要长鑫同意，不需要监管批准，不需要任何实物股票交割。它只是一个"追踪标的股票人民币价格、按汇率折算为美元"的合约。
狂欢
长鑫科技在IPO招股书中写了一句话，被很多外国人特意忽略了。他们没有HBM产线。
HBM（高带宽内存）是什么？是AI训练芯片的氧气。英伟达H100、H200、B200，每一颗都堆满了HBM。没有HBM，你的DRAM再便宜、容量再大，也只能用在个人电脑和低端服务器上。
SemiAnalysis的内存分析师Ray Wang在CNBC上明确表态：长鑫科技目前在HBM技术上落后三星和SK海力士3到4年。
3到4年。在半导体行业，这意味着一代半到两代的代差。
长鑫科技 2025年DRAM市场份额约7.7%-8%，虽然远低于三星和SK海力士，但增速惊人。
Citrini Research估计，如果扩产计划完成，CXMT到2026年底的晶圆月产量将达35万片，接近美光的37.5万片。
全球DRAM市场正在从"三巨头"（三星、SK海力士、美光）向"四巨头"演变。
好消息是，内存市场供不应求的局面将延续至2027年，甚至2028年。因为HBM会不断从商品DRAM产能中"抽血”。
换句话说，长鑫科技吃到的市场红利，是成熟制程DRAM的短缺溢价，而不是技术领先的护城河。
微星在支持
一条技术新闻，在X上被反复传播：MSI（微星）成为首批在Intel LGA 1851和AMD AM5平台上官方支持长鑫科技 DDR5内存的主板厂商，通过BIOS优化实现DDR5-8000+（Intel）和DDR5-8200（AMD双通道）的速度。
这意味着，长鑫科技的内存颗粒，在消费级PC硬件上已经通过了国际一线厂商的验证。这是一个重要的里程碑，它证明长鑫科技的DRAM不是"实验室产品"，而是可以量产的，走向全球的商业级芯片。
还要努力的消息是，Tom's Hardware的测试显示，在极端超频场景下，长鑫内存的稳定性仍略逊于SK海力士。
能用和好用之间，还缺了 高端市场认可度。
这就好比，一个车企宣布自己的家用车被米其林轮胎认证了，然后市场就开始炒作它即将挑战击败比亚迪。
小结
长鑫科技的IPO，是中国半导体产业十年来最重要的一战。
它值得被认真对待，值得被理性分析，值得被给予合理的估值溢价。
7月15日，朱一明表示，长鑫科技坚定走自主创新之路。自2019年成功推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片，实现中国大陆DRAM产业“从0到1”的历史性突破以来，公司坚持高强度研发投入，采取跳代研发策略，快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代。
他表示，此次登陆资本市场，对长鑫科技而言既是新的起点，更意味着新的责任。
“面向未来，我们将始终坚持自主创新的发展道路。我们将继续保持对技术的敬畏、对创新的投入和对产业的热爱，持续提升核心竞争力，努力建设具有全球影响力的半导体存储企业。我们也期待与广大投资者携手同行，共同分享中国集成电路产业发展的时代机遇，以长期稳健的发展回报社会各界的信任与支持。”
