玻璃封装,真的要来了
1 小时前 / 阅读约21分钟
来源:36kr
玻璃芯基板被视为高端封装潜在方案,但大规模应用面临挑战。AI芯片封装尺寸接近极限,玻璃因高刚度、平坦度等优势受关注。玻璃封装有五种形态,各大厂商积极布局。

早在几年前,玻璃芯基板就已被视为高端封装的一种潜在解决方案。但为什么玻璃封装被讨论了这么多年,至今仍未真正迎来大规模应用?

原因在于,“玻璃封装”从来不是一项可以被单独攻克和整体替换的技术。玻璃既可以作为临时载板,也可以成为封装基板的永久核心层、中介层、无源器件平台乃至光互连结构。不同应用对应着不同的材料体系、制造工艺和产业链分工,也分别面临玻璃通孔、金属化、翘曲控制、良率以及量产成本等问题。因此,玻璃并不是在某个时间点突然进入封装,而是以不同身份、沿着不同技术路径,逐步渗透芯片封装体系。

如今,这一进程正在明显加快。从英特尔、台积电、三星、SK、LG,到联电、日月光、康宁、AGC和群创,越来越多来自芯片制造、封装测试、材料和面板产业的产业链厂商,开始将玻璃纳入先进封装路线图。过去相对分散的材料探索、工艺开发与应用验证,也开始逐渐形成更清晰的产业链条。

玻璃真正带来的,恐怕不仅仅是一次材料上的替换,而是一场先进封装产业边界与供应链格局的深度重塑。

物理瓶颈逼着走向“玻璃时代”

过去几十年,半导体产业衡量技术进步,主要看晶体管能否继续缩小。但在AI芯片时代,越来越多的性能提升并不是在一颗芯片内部完成,而是来自GPU、CPU、HBM、网络芯片、I/O Die以及各种Chiplet在同一封装中的协同。先进封装已经从芯片制造完成之后的“后段工序”,变成直接决定算力密度、内存带宽、功耗和系统成本的关键环节。

而玻璃受到关注,首先不是因为它是一种新材料,而是因为AI芯片的封装尺寸正在迅速接近传统材料和制造体系的极限。

台积电已经将CoWoS从早期约一个光罩尺寸不断扩大。2026年,台积电开始生产5.5倍光罩尺寸的CoWoS,并计划在2028年推出14倍光罩尺寸版本,理论上可集成约十颗大型计算芯片和20组HBM,2029年还将继续向更大尺寸推进。

当封装面积只有数十毫米见方时,有机载板的收缩、膨胀和翘曲尚可以通过材料配方、层叠结构与制程参数进行补偿。但当封装逐渐扩展至100毫米甚至更大的尺度,问题会呈非线性增加:不同材料之间的热膨胀系数不一致,温度循环会使载板发生形变;封装面积越大,多层线路之间的对位误差越容易累积;铜线路、树脂介质和核心层之间的应力,也会影响微凸块、RDL和芯片贴装良率。

英特尔将传统有机材料的主要限制概括为收缩、翘曲、供电和互连密度。其公布的玻璃基板技术目标,是将封装设计规则提升一个数量级,支持更高密度的互连和更大规模的Chiplet组合。英特尔认为,玻璃更高的刚度、平坦度和尺寸稳定性,可以使封装继续向更大面积、更细线路和更高I/O密度演进。

这里需要澄清一个常见误区:玻璃的优势并不等同于“导热比硅或金属更好”。三星电机、AGC等厂商所强调的热性能,主要是指玻璃具有较低或可调的热膨胀系数,在温度变化过程中尺寸更稳定,从而减少载板翘曲和层间错位;它解决的是热机械稳定性问题,而不是直接替代散热器、冷板或热界面材料。

除此之外,玻璃本身是绝缘材料,具有较好的高频特性和较低介质损耗。在高速SerDes、交换芯片、HBM以及未来光电共封装中,信号经过的线路越来越多、频率越来越高,封装材料的介电特性开始直接影响插入损耗、串扰和功耗。

因此,玻璃的核心价值不是某一个单项参数,而是同时满足了先进封装的四个新需求:更大的面积、更稳定的尺寸、更高密度的互连,以及更好的高频电气性能。

玻璃进入芯片,

至少有五种不同的形态

但玻璃封装并不是一条统一的技术路线。相反,它至少包含五种不同的产业形态:临时玻璃载板(Glass Carrier)、玻璃芯载板(Glass Core)、玻璃中介层(Glass Interposer)、TGV和玻璃桥(GlassBridge)。只有先把这些概念区分开,才能看清各家厂商真正争夺的是什么。

第一种,是作为临时玻璃载板

在晶圆级和面板级扇出封装中,芯片、模塑料和RDL结构通常较薄,在薄化、曝光、电镀和键合过程中容易翘曲或破损,因此需要先贴合在一块平坦、稳定的玻璃上。工艺完成后,这块玻璃会通过激光或其他解键合方式移除,不会留在最终芯片内部。这种玻璃本质上是一种制程工具。也就是说,某条面板级封装产线“使用了玻璃”,并不代表最终交付的芯片中一定含有玻璃。它的关键指标包括平坦度、总厚度变化、表面粗糙度、热膨胀系数,以及与暂时键合和解键合材料的兼容性。

AGC已经量产供应晶圆级和面板级封装使用的玻璃载板,产品覆盖300毫米晶圆和约500毫米方形面板。康宁也长期提供面向扇出封装、薄晶圆处理和大尺寸面板的精密玻璃载体。

第二种,是永久留在封装内部的玻璃核心载板

传统FC-BGA封装载板通常由一个较厚的有机核心层,以及两侧多层Build-up介质和铜线路构成。玻璃核心载板并不是把整个封装载板变成一块玻璃,而是用玻璃替换中间的有机核心层,再在其上下制作ABF或其他介质层、铜互连和焊盘。

英特尔、三星电机、SKC旗下Absolics,以及LG Innotek目前主要竞争的,就是这一方向。

玻璃核心层刚度更高、尺寸更稳定,因此能够支撑更大的FC-BGA封装和更细的Build-up线路。但与此同时,玻璃与树脂、铜以及芯片之间仍然存在热膨胀系数差异,层间剥离和热应力不会因为换成玻璃而自动消失。玻璃核心也不会让ABF、低介电树脂和PCB消失,而是改变封装载板中间核心层的材料体系。AGC在其业务说明中表示,即使玻璃核心普及,PCB和相关树脂材料仍然存在,两者不是简单的完全替代关系。

第三种,是玻璃中介层

中介层位于计算芯片、HBM与封装载板之间,主要承担高密度横向互连。当前高端AI芯片大量采用硅中介层,因为硅制造工艺成熟,可以制作高密度TSV和精细RDL。

玻璃中介层则以TGV取代TSV,在玻璃两面制作RDL,将GPU、HBM和Chiplet连接起来。相较于硅中介层,玻璃可以在更大尺寸上进行加工,并具备较好的高频绝缘特性;但它的线路密度、TGV金属化、机械可靠性和制造生态尚不如硅工艺成熟。

LG Innotek公开表示,公司同时开发玻璃基板和玻璃中介层,技术重点包括高深宽比TGV、镀层附着、厚度平坦化和微细线路,目标在2027至2028年推进量产。

第四种,是玻璃无源器件和功能集成平台

玻璃不只是机械支撑材料。通过TGV、薄膜沉积和RDL工艺,还可以在玻璃上制造电感、电容、滤波器、天线、传感器、MEMS和集成无源器件。

由于玻璃绝缘性较好、寄生损耗较低,这一技术在射频前端、毫米波、MEMS和传感器封装中已经有较长的发展历史。AGC目前的TGV产品就同时面向玻璃中介层、3D玻璃IPD、MEMS和传感器。

AI封装对电源完整性的要求越来越高,未来玻璃核心或玻璃中介层上也可能集成去耦电容、电感、光波导和其他功能结构。届时,玻璃的价值将不只是替代有机材料,而是将更多系统功能移入封装内部。

第五种,是面向硅光和CPO的光学玻璃桥

康宁的GlassBridge很容易被误解。从名称看,它似乎类似英特尔EMIB或日月光FOCoS-Bridge中的局部互连桥。但康宁在2026年7月发布的「GlassBridge技术相关声明」中指出:“GlassBridge是一项技术概念,旨在探索如何将康宁在平板玻璃中专有的离子交换(IOX)光波导能力,应用于解决光子学及半导体封装领域中的光纤到芯片耦合难题。”也就是说,GlassBridge主要用于连接光纤和硅光PIC,而不是连接GPU与HBM的铜互连结构。

他们还进一步指出,该技术仍处于早期开发阶段,尚未实现商业化,也尚未达到商业规模生产。在未来实现商业化的前提下,GlassBridge可在特定应用场景中,基于密度要求、组装工艺及其他具体应用因素,作为传统光纤阵列单元(FAU)的备选方案之一。其并非定位为在所有应用场景下替代光纤阵列单元(FAU)的通用解决方案,亦无意取代光纤。光纤仍然是人工智能及数据中心基础设施的基础。

因此,英特尔EMIB、日月光FOCoS-Bridge与康宁GlassBridge虽然名称中都有“Bridge”,但前两者主要解决电互连,后者解决的是光耦合,不能混为一谈。

群雄逐鹿,

厂商押注的是不同产业位置

无论是晶圆代工巨头、韩国半导体财阀,还是 OSAT(封测厂)与材料面板厂商,一场围绕“玻璃”的供应链卡位战已经全面打响。

现在再让我们来看各大厂商的位置,就相对清晰一些。

(一)晶圆代工阵营

英特尔:激进的路线开创者

英特尔是目前最早把玻璃核心载板上升到系统级技术路线的芯片厂商之一。这与英特尔长期推动EMIB、Foveros和多芯粒封装有关。英特尔的目标并不是单独制造一片玻璃,而是让玻璃成为承载EMIB局部硅桥、垂直堆叠、嵌入式无源器件、供电结构和未来光学I/O的基础平台。

英特尔公布的内部测试结果显示,玻璃相较传统有机基板能够将图形畸变降低约50%,并支持高达十倍的互连密度,同时有利于制造更大的封装和集成电感、电容及光学互连。英特尔公布的玻璃基板计划面向“本十年后半段”,并称其可以实现设计规则一个数量级的改善,支持更大的Chiplet系统和更高互连密度。这种路线的特点是架构先行:英特尔首先从未来处理器需要集成多少Chiplet、多少I/O和多少晶体管出发,再倒推载板材料和封装工艺。其玻璃技术将与EMIB、Foveros和CPO结合,而不是孤立存在。

台积电:稳健防守与暗中布局

台积电现阶段的态度比英特尔谨慎。台积电并不急于换掉CoWoS,而是增加一条低成本扩展路线。

2026年第一季度法说会上,魏哲家表示,台积电正在建设CoPoS试验线,预计数年后进入生产,但当前先进封装的主力仍然是大尺寸CoWoS。在2026年第二季度法说会上,分析师进一步询问玻璃核心、玻璃基板和玻璃载板的进展。魏哲家的回答是,目前大部分产品仍然采用CoWoS,台积电正在开发一种降低成本的替代方案,并与载板供应商合作,预计还需要约一年时间成熟,之后才可能与客户共同导入生产。

与此同时,台积电正在持续放大CoWoS,2026年已生产5.5倍光罩尺寸版本,并计划于2028年将其扩大到14倍光罩尺寸,可容纳约十颗大型计算芯片和20组HBM。

DIGITIMES援引供应链及技术资料报道称,台积电正与Ibiden、群创等合作验证下一代CoWoS用玻璃核心载板,包括大尺寸载板的翘曲、CTE、阻抗和可靠性。台积电没有在回答中确认具体采用玻璃核心、玻璃中介层还是仅使用玻璃载板,也没有公开确认供应商。

三星:集团军式的面板级突围

三星正在借助集团内部的晶圆代工、显示面板、封装载板和材料供应链,同时推进玻璃中介层与玻璃核心载板两条路线。

其中,The Elec在2026年7月11日报道称,三星电子和三星显示正在联合开发玻璃中介层,最快可能在2026年制作原型,并面向全球超大规模科技公司展开业务推广。其目的不仅是降低硅中介层成本,而是建立晶圆代工与先进封装一体化的“Fabric”生态,与台积电CoWoS、CoPoS展开竞争。

三星显示也已经成立玻璃中介层专项研发团队,重点预计是利用面板厂现有的金属沉积、光刻、曝光和蚀刻能力,在玻璃上制作重布线层。

三星电机则在推进另一种产品——玻璃核心封装载板。将FC-BGA封装载板中原有的有机核心层换成玻璃,玻璃上下仍然制作Build-up介质层和铜线路。这块玻璃位于封装载板内部,而不是位于芯片和封装载板之间承担超高密度互连的中介层。

三星电机已经在世宗事业场建设玻璃封装载板试验线,2025年开始推动客户送样,原定目标是2027年以后量产。2025年11月,三星电机又与住友化学、Dongwoo Fine-Chem签署谅解备忘录,计划成立玻璃核心合资公司。三星电机将持有过半股权,初期生产基地拟设在Dongwoo Fine-Chem平泽工厂;三星电机世宗试验线则继续承担样品生产和工艺验证。

可以说,三星形成了较为清晰的集团分工:三星电子负责架构、Foundry整合和客户,三星显示负责大尺寸玻璃上的RDL工艺,三星电机负责玻璃核心封装载板,外部材料和设备厂商则负责TGV、铜填孔及玻璃加工。

联电:避开前段、重兵中后段的“奇兵”

联电是这一轮玻璃封装布局中非常值得关注的角色。

从正式披露看,联电已经拥有2.5D硅中介层、深沟槽电容、晶圆对晶圆混合键合和主动中介层等技术,并与封测厂合作建立2.5D/3D IC生态。这些能力与玻璃封装高度相邻,因为无论是硅中介层还是玻璃中介层,都需要RDL、铜互连、键合、薄化、CMP和后续封装整合。

根据台湾《经济日报》2026年7月20日的报道,联电目前聚焦完成TGV之后的Front-side RDL、Temporary Bond、研磨、CMP和玻璃载板处理。

这一布局符合联电的能力边界。TGV并不是“在玻璃上打一个孔”这么简单。较完整的工艺可能包括玻璃改质或钻孔、湿法蚀刻、孔壁清洗、阻挡层和种子层沉积、铜填孔、正面RDL、暂时贴合、背面研磨和CMP露铜、背面RDL,以及后续切割和组装。

其中,前端玻璃成孔可以由玻璃厂、设备厂或专业加工厂完成;而RDL、CMP、薄化和键合更接近晶圆制造和先进封装工艺。联电选择后半段切入,实际上是在利用现有晶圆厂的设备、制程控制和量产经验,将硅中介层能力迁移到玻璃平台。这也意味着,联电不需要成为另一家康宁、AGC或Absolics。它更可能扮演玻璃中介层与特殊封装制程代工厂,为芯片设计公司、载板厂和OSAT提供关键制造模块。

(二)韩国财阀阵营:SK与LG的供应链野心

SK:真正下注的是SKC旗下Absolics

韩国SK体系中的玻璃基板公司是SKC旗下Absolics。

在韩国几条路线中,Absolics的资本投入和工厂建设最激进。Absolics从成立之初就围绕玻璃核心载板建立独立制造体系,并在美国佐治亚州建设工厂。SKC最初披露的第一阶段投资为2.4亿美元,规划年产能1.2万平方米;第二阶段拟追加3.6亿美元,将年产能扩大至7.2万平方米。美国商务部还向Absolics项目提供最高7500万美元直接资助。

与传统FC-BGA厂商不同,Absolics希望从一开始就建立玻璃基板专用设备、工艺和供应链,并强调缩短互连路径、减少系统复杂度以及美国本土制造。

SKC声称,其玻璃基板可减少或取消部分中介层结构,使封装厚度降低约25%、功耗降低30%以上。2026年,SKC披露Absolics已向一家美国通信芯片厂商提供新一代玻璃基板样品,正在进行可靠性评估,若认证通过,最快可能在年底开始量产准备。

LG Innotek:同时切入玻璃核心和玻璃中介层

LG Innotek的路线比三星电机更宽。

公司不仅开发玻璃核心载板,还布局了玻璃中介层,工艺覆盖TGV形状控制、金属镀层、附着力、厚度平坦化和微细线路。LG Innotek表示,玻璃本身不导电,因此可靠金属化是决定性能和封装可靠性的关键,目标在2027至2028年推进量产。

韩国由此形成三种不同打法:三星电机依托既有FC-BGA客户和集团生态逐步导入;Absolics建立玻璃专用制造体系,试图提前定义标准;LG Innotek则以更完整的工艺组合,同时押注玻璃核心和中介层。

(三)封测:日月光发力面板级先进封装

日月光在2026年推出310×310毫米自动化面板级封装产线,兼容FOCoS和FOCoS-Bridge,前者线路能力达到2/2微米,后者达到8/8微米,计划在2027年上半年进入生产。

面板级封装的逻辑,是将传统圆形晶圆上的封装工艺转移到方形面板。310×310毫米面板可提供96100平方毫米可用面积,在处理矩形芯片和超大封装时,可以减少圆形晶圆边缘的浪费,并有机会提高单位批次产出。

群创则从另一个方向加入竞争。群创认为,显示面板与IC面板级封装在等离子、曝光和蚀刻等环节具有较高相似性,其超过20年的大尺寸玻璃处理经验可以迁移至FOPLP。公司已经展示700×700毫米面板能力,并称截至2024年累计申请超过300项FOPLP相关专利。群创给出的路线分为三步:首先发展面向PMIC、射频和车载雷达的Chip-first封装;随后发展面向消费处理器和Chiplet的RDL-first;最终以TGV玻璃方案进入大型xPU、FPGA、AI和HPC。

(四)康宁和AGC,抢夺材料入口

在芯片厂、晶圆厂、载板厂和封测厂之外,康宁与AGC的角色更加基础。

康宁可以同时提供精密玻璃载板、不同热膨胀系数的玻璃材料、玻璃晶圆、激光加工以及TGV相关能力。其GlassBridge又把业务延伸至光纤到硅光芯片的连接。康宁并不需要押注某一种唯一架构。无论客户采用临时玻璃载板、永久玻璃核心、玻璃中介层,还是光学玻璃波导,康宁都可能从材料和加工环节获得机会。

AGC的路线更具“全层覆盖”特征。AGC已经量产载板玻璃,同时开发玻璃中介层、玻璃核心、Build-up Film、低介电材料、玻璃波导和微透镜阵列。公司认为,玻璃核心可能成为其封装材料中规模最大的潜在市场,因为大尺寸封装和Chiplet对翘曲、尺寸稳定性和功耗提出了更高要求。

AGC的玻璃材料一览(来源:公司官网)

但AGC对产业节奏的判断也相对保守。公司在2026年6月表示,玻璃核心最初预期在2028年前后开始导入,但考虑到全行业仍有技术问题需要解决,其判断是2028年可能出现少量应用,较明显的放量时间更可能在2029年前后。

这种判断比资本市场常见的“2026年玻璃基板量产元年”更加现实。玻璃材料只是起点。材料厂需要与TGV设备、金属化、RDL、ABF、载板设计和封装组装共同完成认证。任何一个环节未能成熟,都可能推迟整条供应链的商业化。

玻璃封装,还有多久?

从目前进展看,2026年至2027年更像是玻璃封装的验证期,而不是全面量产期。

三星电机仍在试验线和送样阶段,LG Innotek以2027至2028年为量产目标,Absolics正在推进客户可靠性评估,台积电的替代方案还需要时间成熟,联电TGV布局也尚未得到完整的正式披露。

SEMI在2026年5月给出的判断是,玻璃核心载板可能从2028年前后首先在少量高性能应用中进入生产,此后才逐步扩展。这说明2026—2028年仍主要是样品验证、客户认证、试产线建设和生态卡位阶段,而非全面替代有机基板。报告还预测,2028年至2040年,玻璃芯基板市场将以67.2%的复合年增长率增长,人工智能和高性能计算将加速对先进封装技术的需求。

因此,在玻璃核心真正进入AI GPU大规模量产之前,更早形成收入的可能是几类相邻市场:

临时玻璃载板已经用于晶圆级和面板级封装;TGV在射频、MEMS和传感器领域已有基础;激光加工、电镀、CMP、暂时键合、解键合和检测设备可以随试验线建设提前获得订单;低介电材料、Build-up树脂和载板处理材料,也会在客户认证阶段产生需求。

光互连同样可能比大规模玻璃核心更早形成部分机会。随着CPO和硅光进入交换机和AI集群,玻璃波导、微透镜、光纤耦合和光学中介层拥有相对独立的商业化路径,不必等待玻璃核心FC-BGA完全成熟。

真正的玻璃核心载板,则很可能首先进入少量、价格昂贵且对封装面积高度敏感的产品,例如超大型AI加速器、服务器CPU、网络交换ASIC、多HBM系统和CPO模块。只有在这些产品建立可靠性数据库和制造经验后,玻璃才有机会向更大市场扩散。

结语

综上,英特尔从处理器架构出发,向下延伸至玻璃基板和封装制造;三星电机和LG Innotek从FC-BGA进入TGV和中介层;Absolics试图以新工厂重新建立玻璃载板标准;联电从晶圆制造延伸到RDL、CMP和键合;日月光从封测进入面板级RDL制造;群创从显示面板进入半导体封装;康宁和AGC则从材料向TGV、波导和功能结构扩展。

可以看出,玻璃所带来的不只是材料的变化,而是需要晶圆厂、载板厂、封测厂、面板厂和特种玻璃厂的共同发力。在玻璃封装时代,原本分工清晰的封装产业链(玻璃或树脂厂提供材料,载板厂制造FC-BGA,晶圆厂制造芯片和中介层,OSAT完成封装测试)的边界正在变得模糊。

随着Intel、Absolics及联电等厂商的相关技术陆续进入量产部署期,玻璃材质将正式开启半导体先进封装的下一个黄金十年。