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铠侠开始出货第九代NAND闪存样品，性能提升超30%
6 小时前
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来源：集微网
日本芯片制造商铠侠宣布开始出货下一代NAND闪存芯片样品，性能提升超30%，适用于智能手机等。公司计划明年量产。另开发出使用第十代芯片的服务器SSD，读取速度大幅提升，预计用于AI领域。
日本芯片制造商铠侠周四宣布，已开始出货下一代NAND闪存芯片样品，预计将用于智能手机和个人电脑。
NAND闪存用于长期数据存储。铠侠表示，第九代芯片性能较上一代提升超过30%。
铠侠通过采用层数较少的单元阵列来降低成本，使该闪存适用于智能手机和其他消费电子产品。公司计划明年在位于日本三重县四日市的工厂开始量产。
铠侠同时开发大层数大容量存储芯片和低成本高性能型号。本月早些时候，铠侠宣布已开始出货大层数第十代芯片样品。
铠侠周四另宣布，已开发出一款使用第十代芯片的服务器固态硬盘（SSD），读取速度达到早期版本的8倍以上，预计将用于人工智能领域。
