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南亚科将投资3466亿元新台币建5A新厂，引入EUV设备冲刺先进DRAM制程
3 小时前
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来源：集微网
南亚科宣布扩大资本投入，加速5A新厂建设，资本支出上调至697亿元新台币，计划四年内投入上限3466亿元新台币，用于新厂建设、先进制程开发等，预计2027年下半年投片。
南亚科近日宣布，将扩大资本投入，加速5A新厂（第五座12英寸晶圆厂）建设。公司董事会决议，将2026年资本支出由原计划520亿元新台币上调至697亿元新台币，增幅约34%。同时，计划于2026年至2029年的四年内投入上限3466亿元新台币，用于5A新厂建设、先进制程开发及相关设备采购。
据了解，此次投资规模为南亚科成立以来最大单一投资案，也是中国台湾DRAM产业近20年来较大规模的扩产计划之一。南亚科表示，相关资金将主要投入10nm级DRAM制程技术、5A新厂建设、研发以及一般资本支出。
南亚科规划，5A新厂未来将导入极紫外光（EUV）光刻设备，作为下一代DRAM制程的重要生产基地。该厂整体投资金额预计约160亿美元，未来将逐步导入1B、1C、1D及1E等先进10nm级DRAM制程。
产能方面，5A新厂第一阶段目标月投片产能达到3.59万片晶圆，整体规划最大产能约每月4.5万片晶圆。按照规划，新厂预计2027年下半年开始投片，2028年月产能提升至3万片，2029年进一步提升至3.59万片。
南亚科表示，5A新厂建设资金将通过自有资金、银行借款或其他融资方式筹措。
业内认为，随着AI服务器、数据中心等领域对存储器需求持续增长，全球DRAM产业正在进入新一轮扩产周期。南亚科此次启动大规模投资，显示其正加快先进制程布局，并参与新一轮DRAM市场竞争。
