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源杰科技拟投资42.68亿元建设半导体科技产业园
4 小时前
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来源：C114
源杰科技拟在陕西省西咸新区投资42.68亿元建设半导体科技产业园，旨在突破产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模，提升产品交付能力和市场竞争力。
C114讯 8月12日消息（南山）光芯片龙头源杰科技昨日晚间发布公告，拟在陕西省西咸新区沣西新城投资建设源杰半导体科技产业园项目(暂定名称，以有关部门最终备案名称为准)，项目旨在突破公司现有产能瓶颈，扩大高端激光器芯片生产规模，推动高端产品规模化生产和产业化应用，进一步提升公司产品交付能力和市场竞争力。
本次项目预计投资总额约426,815.67万元 (含土地出让金，最终以实际投资金额为准)，拟购买土地使用权地块位于陕西省西咸新区，土地用地性质为工业用地，使用年限为50年，土地面积约126亩，具体投资方案将根据项目的实际规划批复、项目用地和环境容量等情况进行调整。
源杰科技提到，本投资项目不涉及其他投资方，公司为唯一投资方及项目实施主体，拟以自有资金及自筹资金建设投资项目。
源杰科技表示，项目聚焦高速激光器芯片领域，把握数据中心市场发展的机遇，契合数字经济发展对光通信核心器件的需求。依托公司IDM流程自主可控技术积淀及现有客户基础，旨在通过产能扩充与工艺优化，持续响应市场需求变化，提升公司在全球激光器芯片领域的市场份额与综合竞争力。
