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三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
3 小时前
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来源：集微网
三星电子计划将HBM5性能提升至HBM4E的2倍，zHBM达8倍，以3D结构创新争夺存储器市场主导权。同时推进zNAND-O开发，目标比特密度达DRAM10倍，2028年供样。
据媒体1日报道，三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进zNAND-O的开发。
zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍。三星计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。
