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三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
2 小时前
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来源：集微网
三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作，三星将推动12英寸光罩技术发展，2028年前将阿斯麦EUV技术用于DRAM大规模生产，并在日本横滨开设半导体封装研发中心。
三星电子与阿斯麦9月8日宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。
此外，三星电子已在日本横滨开设了一家先进的半导体封装研发中心。 三星之前曾宣布，计划从2024年起的五年内投资约400亿日元，用于扩建该实验室的研究基础设施并加强先进封装技术。
