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美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 vHBM 与边缘推理 vEIM
2 小时前
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来源：IT之家
美光预计2028年推出vHBM和vEIM两种新型3DS内存。vHBM为3D集成HBM，缩短通信路径，提升带宽并降低能耗，可与2.5D HBM共存。vEIM瞄准端侧AI推理场景，目标实现2TB/s带宽和<1pj/bit能效。美光将应用混合键合技术。
IT之家 10 月 22 日消息，Micron（美光）当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇聚焦于堆叠集成的泛 HBM 内存产品。
美光预计在标准 HBM5 面世的 2028 年还有两种新型 3DS 内存也将到来，分别是 vHBM 和 vEIM。
vHBM 可理解为 3D 集成版本的 HBM，垂直堆叠 DRAM Die、Base Die 和 XPU 逻辑主芯片，这能进一步缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM 也能与标准 2.5D HBM 共存。
而 vEIM 在结构上与 vHBM 类似，但其设计瞄准的是端侧 AI 推理场景，初代产品目标实现 2TB/s 带宽和＜1pj / bit 的能效。
为实现 vHBM 和 vEIM，美光计划应用无凸块的混合键合技术，导入集成散热解决方案。
