1.曝：南京具身智能公司欠薪800万，深陷停工风波

2.总投资3亿美元！湖南晶圆代工厂进入破产审查

3.美光将推下一代超400层3D NAND

4.三星泰勒厂拟扩产2nm产能，2027下半年将达每月2万片晶圆

5.博世将分拆汽车零部件业务

6.英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择

1.曝：南京具身智能公司欠薪800万，深陷停工风波

从融资1.1亿元到账、订单储备近10亿元，到传闻员工讨薪、公司停摆，南京无境未来动力科技有限公司（下称“无境动力”）只用了不到半年。

据《每日经济新闻》报道，近日，一位自称该公司员工的爆料人透露，无境动力公司自今年8月起再未发放工资，9月起公积金断缴，10月社保停缴。据其统计，被欠薪员工有三四十人，涉及金额接近800万元。目前公司运营已陷入停滞，研发部门负责人也加入了劳动仲裁队伍，与员工一同追讨薪资。

更让员工焦虑的是公司实际控制人崔小飞“消失”，其已不再到公司办公，无境动力CEO兼总经理袁海辉已就欠薪向员工致歉，并表示愿意协助寻找崔小飞、推动解决问题。袁海辉表示，目前联系不上实际控制人，不方便回应相关情况。

公开资料显示，无境动力成立于2026年2月、注册资本1000万元，成立仅4个月便与多家央企签订近5亿元框架订单并进入交付阶段，地方市场储备订单接近5亿元，融资到位1.1亿元。

报道中，公司创始团队被形容为“学霸天团”，核心成员中不乏清华、浙大的本硕博学历者，约20人具备顶尖高校背景。公司主攻工业级四足机器人，瞄准电力巡检、石油化工、能源工矿等场景，其中一款自主研发的变电站巡检四足机器人预计10月交付。

2.总投资3亿美元！湖南晶圆代工厂进入破产审查

近日，长沙创芯集成电路有限公司（简称：“长沙创芯”）新增一起破产审查案件，案号为（2026）湘01破申242号，申请人是长沙经济技术开发集团有限公司。这家一度承载湖南半导体雄心的本土6英寸晶圆代工厂，正式步入破产审查程序。

公开资料显示，长沙创芯于2010年成立，是湖南首个开放式集成电路生产工厂，项目总投资达3亿美元（约合20.05亿元人民币）。按当时规划，它将是国内规模最大的6英寸晶圆产线，并于2011年5月奠基动工。

该项目占地约22万平方米，设计年产能超过140万片6英寸晶圆，聚焦0.35μm及以上制程的功率与模拟芯片工艺，规划月产能6万片，阶段性达产目标为每月3.5万片。产品线涵盖电源管理、驱动芯片、射频器件、分立器件及IGBT，应用端延伸至家电、消费电子、电网、光伏、高铁和新能源车等领域。据测算，满产后年营收可突破20亿元。公司甚至已着手筹备8英寸产线，并将上市纳入议程。

不过，在宏伟的产业图景之下，资金难题很快浮出水面。该项目投产不久，公司便陷入资金紧张、拖欠工资的泥潭。

2013年，长沙创芯累计取得银行及信托贷款近3.3亿元，由长沙经开集团提供担保。此后企业无力按期偿债，担保方履行代偿义务后依法向其追偿——这正是此番破产申请的直接导火索。

经营层面的失序也在持续累积。工商资料显示，长沙创芯多年来因未按期公示年报，被长沙市市场监管部门列入经营异常名录；2023年，公司又卷入仓储合同纠纷诉讼，债务与经营矛盾层层叠加。

事实上，资产处置早在几年前就已启动。2020年2月，长沙县人民法院对长沙创芯名下的土地使用权、厂房及生产设备进行整体拍卖，比亚迪半导体以3.96亿元竞得该标的，这条6英寸晶圆产线的核心资产自此换了主人。

对长沙创芯而言，生产性资产被处置后，企业实质上已丧失持续运营的基础，悬而未决的只剩各类债务纠纷，直至如今进入破产审查阶段。

3.美光将推下一代超400层3D NAND

美光本周在一场活动上透露，将于2027年下半年进入量产的下一代3D NAND将带来三大显著优势：存储密度翻倍、I/O性能较公司现役NAND提升50%，以及功耗下降。为实现这些激进目标，美光计划采用晶圆对晶圆键合（wafer-on-wafer bonding）技术。与此同时，美光还在开发新材料和更致密的存储单元架构，以将3D NAND的微缩延续到G11之后。

美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德博尔（Scott DeBoer）表示：“我们曾提到，将在成本合算、且该技术能带来对当时产品规格至关重要的能力的恰当时机引入晶圆对晶圆键合技术，而现在正是采用这项技术的合适时机。因此，G11技术是全球最先进的NAND，将于明年下半年爬坡量产，且基于晶圆对晶圆键合技术。”

G11：超过400层与晶圆键合

美光G11 3D NAND相较其现有G9（N160）世代是一次重大跨越。公司预计新闪存的位密度约为G9的两倍（3D TLC由21 Gb/mm²增至42 Gb/mm²？），相比铠侠（Kioxia）的BiCS10或三星的V10将是大幅跃升；I/O速度最高提升50%（由3600 MT/s升至5400 MT/s？）；每比特数据传输能耗降低25%以上。

这些改进应会同时惠及面向客户端和数据中心应用的传统大容量SSD，以及需要更高带宽和能效的新兴AI导向存储设备。

G11引入的关键变化之一是晶圆对晶圆键合，它使美光能够采用不同工艺技术在不同的晶圆上分别制造NAND器件的不同部分——用新的3D NAND节点制造NAND阵列，用逻辑工艺制造外围电路和I/O——随后再将两者键合在一起。美光此前多个世代一直采用CMOS-under-array（外围电路置于阵列下方）架构，而晶圆键合提供了额外的灵活性，可独立优化存储阵列和外围逻辑，这意味着如果一切顺利，将带来更大的容量和更高的性能。

另一项重要创新是转向超过400层的NAND堆叠。美光尚未披露G11实际字线层数或存储堆叠（deck）数量，但表示该技术将具备业界领先的存储单元间距，这意味着其密度提升将同时来自更多层数和更小的单元尺寸。

美光预计将在2027年、即临近明年下半年大规模量产启动时，披露更多关于G11的技术细节。

G11之后：新材料与更致密的存储单元

毫无疑问，美光今后将继续沿三个维度推进3D NAND微缩，而不是单纯增加层数。传统3D NAND微缩最初主要依赖增加存储层数，而未来的世代还需要在X轴和Y轴方向缩小单元尺寸，以便在控制制造复杂度的同时提升位密度。

为此，美光正在开发其所称突破性的高迁移率材料、超致密单元架构，以及更节能的器件和数据通路。这些技术有望改善晶体管特性、进一步缩小存储单元尺寸，并降低NAND器件内部数据搬运所需的能耗。

德博尔表示：“G11之后，我们有一条强劲的路线图，今天不会展开太多细节，但重点是用新材料让单元架构更致密，并继续聚焦X、Y、Z三轴微缩。……当前行业方向和美光的方向，都是同时通过增加层数和缩小单元尺寸来实现微缩。”

该公司尚未披露G11之后各世代的具体架构细节、密度目标或量产时间表，但其路线图表明，未来的NAND微缩将日益依赖材料、单元架构和外围电路方面的创新，而非仅靠层数增加。同时，由于增加实际层数可以说是提升存储密度最简单的途径，预计未来几年向最高层数的竞赛不会明显放缓，尤其是考虑到市场对基于3D NAND的存储器的强劲需求。

4.三星泰勒厂拟扩产2nm产能，2027下半年将达每月2万片晶圆

半导体制造巨头三星计划为其位于得克萨斯州泰勒市（Taylor）的晶圆厂每月新增6000片2nm晶圆产能。泰勒厂区是三星在美国建立芯片产能这一制造布局的一部分，该厂区的首座工厂泰勒一厂（Taylor 1）预计将于今年年底投入运营。

与台积电不同——台积电的亚利桑那工厂计划在明年年底前量产3nm芯片、并在2030年前量产2nm芯片——三星计划让泰勒一厂在2026年底前投入运营。该晶圆厂将采用先进的极紫外（EUV）芯片制造设备，生产2nm芯片。

2nm芯片是当前业界最前沿的技术。三星、台积电和英特尔均已在采用这一技术生产芯片，其中台积电在市场份额上处于全球领先地位。

三星和台积电的2nm产品都采用了彼此不同、也不同于前代产品的晶体管设计。两者均基于一种名为环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）的技术；三星则将其技术命名为多桥通道场效应晶体管（MBCFET），其通道材料采用纳米片而非纳米线，并由栅极包裹以控制电流流动。

据报道，三星有意扩大泰勒工厂的2nm产能。报道细节显示，该公司已下达一笔设备订单，使其能够在这座厂区采用先进制程技术，每月新增6000片晶圆产能。

该工厂预计将于今年年底投入运营。报道还称，到2027年下半年，泰勒厂区应具备每月20000片晶圆的产能。这笔新增6000片2nm晶圆产能的最新订单，建立在三星此前旨在实现每月10000片产能的采购基础之上。

据报道，消息人士认为，通过这笔最新投资，在将三星的中试（试产）产能也计算在内之后，泰勒厂区应能达到每月20000片晶圆的最大产能。

5.博世将分拆汽车零部件业务

罗伯特·博世（Robert Bosch GmbH）计划将旗下汽车零部件业务进行法律层面的分立。这家全球最大的汽车供应商正在加紧削减成本，以应对来自中国日益激烈的竞争。

该公司表示，博世智能出行业务（Bosch Mobility）将从德国母公司中转出，成为一家独立的有限责任公司，同时仍由博世集团全资持有。

这家非上市集团还计划分拆博世数字（Bosch Digital）、全球商业服务（Global Business Services）和全球房地产（Global Real Estate）等业务，把现有主体主要转变为一家控股公司，中央研究与先进工程团队也将纳入其中。

这次重组对这家公司而言是一次转折。博世从罗伯特·博世1886年在斯图加特创办的车间起家，依靠火花塞、燃油喷射和制动系统成长为汽车业巨头。随着价值重心转向电动汽车电池、软件和人工智能，中国供应商正在不断攻城略地。与此同时，大众汽车（Volkswagen AG）、Stellantis等欧洲大客户正在削减成本、处境艰难。

博世董事会主席克里斯蒂安·菲舍尔（Christian Fischer）在一份声明中表示：“我们在各市场所面对的环境正变得愈发充满挑战。新的竞争对手，尤其是来自亚洲的对手，正在加剧竞争压力。”

他表示，新架构将使汽车零部件业务“未来能够更快地响应市场趋势，并使其运营更加一致地贴合新的客户需求”。

博世发言人表示，博世目前没有上市或出售智能出行业务、也没有将其与其他汽车供应商合并的计划。

此次重组比2024年启动的改革更进一步——当时博世为其庞大的智能出行业务配备了独立的领导团队，并赋予其更大的运营自主权。博世当时表示，向软件定义汽车的转变要求公司更快地服务客户，并围绕软件、半导体和车载计算机等领域进行组织。

汽车零部件业务承受的压力尤为突出。智能出行业务去年实现558亿欧元（合650亿美元，约合人民币4178.11亿元）销售额，占博世总额的60%以上，但其营业利润率从一年前的3.8%骤降至1.8%。博世曾表示，要实现盈利目标，需要弥合每年约25亿欧元（约合187.19亿元人民币）的成本缺口。

截至2025年底，博世集团雇用41.3万名员工，其中智能出行业务占一半以上。

为弥合成本缺口，博世已在大幅削减。由于订单走弱、电动汽车需求低于预期加剧了该业务的压力，公司去年宣布裁减约1.3万个岗位，其中主要来自智能出行业务。

这些问题在今年仍在延续。智能出行业务上半年销售额小幅下滑至278亿欧元（约合2081.57亿元人民币），博世并警告称，在其努力提升这一最大业务竞争力之际，严峻的汽车市场可能会持续。

6.英特尔高管：采用High NA EUV光刻机是正确选择

英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机。他解释说，由于英特尔的产品采用背面供电，可以直接用High NA EUV光刻电路。

英特尔首席技术官（CTO）普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）解释说，追赶台积电是规模问题，而非技术问题。

High NA EUV光刻机提高了光线在晶圆上的分辨率，可实现16nm至8nm之间的间距（pitch），使芯片制造商能够通过单次曝光节省成本。在光刻技术中，间距指两个特征结构之间的空间，台积电等制造商通常分阶段印制特征结构，因为单个阶段所遵循的间距，不必像将整个设计一次性打印时那样紧密。

奥思表示，由于英特尔的间距要求不像台积电那样苛刻，公司将能够依赖High NA。这带来了更宽松的容错空间，因为较宽松的间距降低了对电路印制精度的要求。

他称：“我们采用背面供电，这实际上减轻了正面的一些间距要求，从而让我们可以直接用High NA光刻。台积电必须应对非常紧密的间距，因为他们没有背面供电，无法用High NA做到这一点，所以他们必须使用EUV双重曝光（double patterning）。”

奥思补充说，Intel 14A（1.4nm）“如今已是PDK（工艺设计套件）的可选方案，我们正与客户逐一洽谈”。

通过背面供电，英特尔将芯片上的供电电路转移到硅晶圆的背面，从而为晶圆“正面”的电路腾出空间——计算晶体管以及负责在晶体管之间传输数据的电路都位于正面。奥思的表态证实，该公司现在将把这项技术用于Intel 14A工艺，而此前一些报道讨论的是在Intel 18A（1.8nm）节点上使用。

回到与台积电的比较，英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德也谈到了公司在全球晶圆代工行业与这家企业竞争的努力。拉纳德承认，台积电“如今是比我们大得多的晶圆制造商”，并补充说“在规模上追赶将是一个缓慢的过程，一个渐进的过程”。

但他补充说，在技术追赶方面，英特尔“已经到位”。英特尔“在性能、功耗或面积密度上也许只差几个百分点”，这种“某家代工厂略微领先或落后”的对比方式，只有在一家公司落后“整整一个世代”时才说得通。

拉纳德强调，执行力才是英特尔与台积电之间的关键差别，他表示：“所以，你可以差几个百分点，但你必须准时交付。你的执行力必须能让良率非常高，以支撑非常大、非常快的产能爬坡。所以这实际上比在性能或面积上追赶几个百分点更重要。”

尽管英特尔已多次表达对其14A制造工艺技术的乐观态度，但据供应链方面的报道，台积电正在加快其量产时间表，这为拉纳德的说法提供了佐证。

半导体行业近来的一大进展是n型与p型晶体管的堆叠。这两种晶体管是当今芯片制造的支柱，IBM最近宣布将采用堆叠方案，作为其0.7nm工艺节点计划的一部分。

英特尔元件研究副总裁兼公司院士杰克·卡瓦列罗斯（Jack Kavalieros）讨论了这种做法存在的问题。他表示：“过去位于顶部甚至底部的连接，现在必须垂直地布设在晶体管之间。这是一个新的挑战，因为刻蚀沟槽并填充沟槽的深宽比要求变得越来越困难。所以堆叠晶体管并非那么简单，因为你还得考虑如何将它们互连。”他补充说，填充问题可能留下气隙和孔洞。