1.OPPO“折叠装置及电子设备”专利获授权

2.长电科技“半导体封装结构及其形成方法”专利公布

3.正和微芯“目标检测方法及设备、存储介质”专利获授权

4.我国科学家在强磁场技术领域取得新突破

5.中国科学院在人工智能驱动原子级工艺仿真方向取得重要进展

1.OPPO“折叠装置及电子设备”专利获授权

天眼查显示，OPPO广东移动通信有限公司近日取得一项名为“折叠装置及电子设备”的专利，授权公告号为CN110714977B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2018年7月13日。

本申请公开了一种折叠装置及电子设备，所述折叠装置包括：第一承载组件，用于承载柔性显示屏一部分；第二承载组件，用于承载所述柔性显示屏另一部分；所述基座转动连接所述第一承载件和所述第二承载组件；第一活动组件，可转动地伸缩于所述第一承载件和所述基座；第二活动组件，可转动地伸缩于所述第二承载组件和所述基座；当所述第一承载组件相对所述第二承载组件翻转闭合，带动所述第一活动组件和第二活动组件转动展开，所述第一活动组件和所述第二活动组件相靠拢，所述第一活动组件、第二活动组件和所述基座之间收纳所述柔性显示屏的弯曲部分。实现了对所述柔性显示屏有效折叠，提高了用户体验。

2.长电科技“半导体封装结构及其形成方法”专利公布

天眼查显示，江苏长电科技股份有限公司“半导体封装结构及其形成方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119626913A。

本发明涉及半导体封装领域，提供一种半导体封装结构及其形成方法，该方法包括提供玻璃基板，玻璃基板中具有若干分立的玻璃通孔互连结构；采用半导体前段制程中的BEOL工艺在玻璃基板的上表面形成无机介质层和位于无机介质层中的第一互连结构，形成的第一互连结构的密度大于后续在玻璃基板下表面形成的第二互连结构的密度，第一互连结构的特征尺寸小于后续形成的第二互连结构的特征尺寸；采用半导体后段制程中的RDL工艺在玻璃基板下表面形成有机钝化层和位于有机钝化层中的第二互连结构；在无机介质层的上表面贴装至少一个第一半导体芯片。该方法提高了玻璃基板上表面的第一互连结构的布线密度。

3.正和微芯“目标检测方法及设备、存储介质”专利获授权

天眼查显示，珠海正和微芯科技有限公司近日取得一项名为“目标检测方法及设备、存储介质”的专利，授权公告号为CN119620000B，授权公告日为2025年4月29日，申请日为2025年2月17日。

本申请提出一种目标检测方法及设备、存储介质。该方法包括：获取多个啁啾信号的采样数据；按照时序对各个啁啾信号的采样数据逐一进行快时间维计算以生成对应的距离谱，每完成一啁啾信号的计算，即进行目标检测；若检测到目标，则停止对剩余啁啾信号的计算；若对所有啁啾信号均未检测到目标，则将缓存的各个距离谱划分为具有优先级的多个区段；按照时序对各个距离谱，按照优先级从高至低顺序对各个区段逐一进行慢时间维计算，每完成一区段的计算，即进行目标检测；若检测到目标，则停止对剩余区段进行计算；若对所有区段均未检测到目标，则对下一距离谱的区段进行目标检测。本申请执行目标检测的计算量小，耗时短，功耗开销低。

4.我国科学家在强磁场技术领域取得新突破

华中科技大学22日发布消息称，该校国家脉冲强磁场科学中心李亮教授团队20日成功实现71.36特斯拉平顶脉冲磁场强度，刷新了该中心于2018年创造的64特斯拉平顶脉冲磁场强度世界纪录，进一步巩固了我国在该领域的领先地位。

据专家介绍，强磁场是现代科学实验最重要的极端条件之一。各国学者在强磁场条件下的科学研究一直非常活跃，在物理、化学、材料和生物等领域取得了大批原创性重大成果。而平顶脉冲磁场是强磁场技术的前沿方向，兼具稳态与脉冲两种磁场的优势，能实现高磁场强度且在一段时间保持高稳定度，为核磁共振等研究提供独特的实验条件。

脉冲强磁场实验装置是华中科技大学承建的国家重大科技基础设施。此次测试中，针对强电磁力下磁体结构稳定与大电流精确调控两大难题，团队在材料与调控技术上也实现了新突破，不仅自主研制了国产高强高导铜银合金导线，较原有材料提升抗拉强度近40%，还创新性地将瞬态控制问题转化为逆向电路拓扑设计，实现预构磁场波形精准生成。

据介绍，李亮教授团队此次创造的71.36特斯拉平顶脉冲磁场强度，比国外现有水平高约19%。（来源： 新华网）

5.中国科学院在人工智能驱动原子级工艺仿真方向取得重要进展

在2nm以下技术节点三维集成电路晶体管制造中，内侧墙、沟道释放、介质隔离等关键环节亟需突破高精度刻蚀工艺，以实现尺寸微缩和器件效能提升。当特征尺寸进入纳米尺度时，刻蚀反应截面呈现显著的尺寸效应，反应截面和缺陷等微观物理现象难以通过传统表征手段获取，现有刻蚀模型虽能预测宏观形貌演变，但在纳米尺度存在根本性局限。如何结合前沿人工智能技术，实现从原子级精度模拟刻蚀动力学过程，理解其微观结构演变过程，进而预测并优化宏观工艺参数以实现目标器件性能，是人工智能赋能集成电路先进制造的关键科学问题。

图1：工艺-器件仿真优化回路、特征尺度与原子尺度模拟方法对比。

针对上述问题，中国科学院微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰正高级工程师合作，首次将机器学习势函数（Machine Learning Potential，MLP）分子动力学推演方法引入集成电路刻蚀工艺仿真领域，从原子尺度深入探究刻蚀机理，并利用机器学习势实现宏观刻蚀轮廓的大尺度推演。本研究面向环栅（GAA）器件超晶格结构的横向选择性刻蚀工艺场景，引入工艺物理约束，结合神经网络演化算法，构建了机器学习势函数。该势函数具备与密度泛函理论（DFT）计算结果高度吻合的模拟结果。

图2：机器学习势函数的构建与迭代优化工作流程。

图3：（左）基于DFT方法的刻蚀中间产物及反应表面原子位能信息；

（右）基于MLP方法的反应表面二维势能面与DFT结果对比。

采用该势函数模拟Si/SiO2变厚度多叠层结构的横向选择性刻蚀工艺，成功实现了60万原子级大体系的分子动力学刻蚀轮廓推演。同时，本研究在微电子所8吋先导工艺平台上完成了相应结构的流片实验，并结合透射电子显微镜（TEM）表征，验证了仿真结果的正确性。通过与传统的反应力场分子动力学（ReaxFF MD）仿真方法对比，本方法实现了约45倍的计算效率提升。

图4：（a）、（b）刻蚀轮廓仿真与实验结果；（c）MLP与ReaxFF在CPU、GPU平台的计算耗时对比。

相关成果以“First large-scale (68×25×5 nm3) atomistic modeling for accurate and efficient etching process based on machine learning molecular dynamics (MLMD)”为题在第70届国际电子器件大会（IEDM 2024）上进行了口头报告。中国科学院微电子研究所EDA中心冯泽萌助理工程师、博士研究生呼子义、余童助理工程师为共同第一作者，微电子所EDA中心陈睿研究员、先导中心李俊杰正高级工程师为共同通讯作者。研究工作得到了中国科学院战略性A类先导专项、国家自然科学基金、中国科学院国际伙伴计划等项目支持。（来源： 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心）