【赔偿】苹果败诉！被判赔偿45亿！ - 数码

Just Quick Just Quality

热门话题

白天

搜索

资讯

【赔偿】苹果败诉！被判赔偿45亿！

22 小时前 / 阅读约9分钟

来源：集微网

苹果因智能手表专利侵权需赔偿Masimo超6亿美元；京东方、芯驰科技、臻驱科技获专利授权；顺络电子推出MWPH、MWPU系列小尺寸电感，助力可穿戴设备市场。

1.苹果败诉！需赔偿Masimo超6亿美元智能手表专利侵权费

2.京东方“图像处理方法及装置”专利获授权

3.芯驰科技“芯片的硬件域升级方法、装置、芯片及车辆”专利获授权

4.臻驱科技“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”专利获授权

5.顺络电子新品速递｜助力可穿戴设备市场 MWPH、MWPU系列小尺寸电感上线

1.苹果败诉！需赔偿Masimo超6亿美元智能手表专利侵权费

美国加州一个联邦陪审团上周裁定，苹果公司因侵犯血氧读取技术专利，需向医疗监测技术公司Masimo支付6.34亿美元（约合人民币45亿元）赔偿金。

Masimo发言人证实，陪审团同意Masimo的观点，即Apple Watch的锻炼模式和心率通知功能侵犯了Masimo的专利权。

苹果公司发言人表示，该公司不同意该裁决，并将提起上诉。该发言人表示：“过去六年里，Masimo在多个法院起诉苹果公司，并主张了超过25项专利，其中大部分已被认定无效。本案涉及的唯一一项专利已于2022年到期，且该专利涉及的是几十年前的传统患者监测技术。”

Masimo在一份声明中称，该裁决是“我们在持续保护创新和知识产权方面取得的重大胜利”。

加州诉讼是苹果公司与总部位于加州尔湾的Masimo公司之间旷日持久的专利纠纷的一部分。Masimo指控苹果挖走其员工，并窃取其脉搏血氧饱和度监测技术用于Apple Watch。

这场纠纷导致美国贸易法庭裁定苹果的Series 9和Ultra 2智能手表侵犯了Masimo的专利，并于2023年禁止进口。

为了规避禁令，苹果从其手表中移除了血氧饱和度监测技术，并在8月份获得美国海关和边境保护局的批准后，重新推出了该技术的升级版本。

Masimo已就此决定对海关提起诉讼。苹果也已向联邦上诉法院提起上诉，挑战该进口禁令。

2023年，加州一名法官宣布Masimo诉苹果公司商业秘密案审判无效，原因是陪审团未能达成一致裁决。去年，苹果公司在特拉华州对Masimo提起诉讼，指控其智能手表侵犯了两项苹果公司的设计专利，最终仅获得250美元的赔偿。

2.京东方“图像处理方法及装置”专利获授权

天眼查显示，京东方科技集团股份有限公司近日取得一项名为“图像处理方法及装置”的专利，授权公告号为CN115836319B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2021年7月15日。

一种图像处理方法。所述图像处理方法包括：获取包含目标对象的第一图像；将所述第一图像输入图像处理模型，得到第二图像，所述第二图像为所述第一图像中的目标对象的掩码图像，所述第二图像的每个像素的取值范围为[0,1]；根据所述第二图像，将所述第一图像与背景图像融合，得到融合图像；提供第一界面，在所述第一界面显示所述融合图像。

3.芯驰科技“芯片的硬件域升级方法、装置、芯片及车辆”专利获授权

天眼查显示，北京芯驰半导体科技股份有限公司近日取得一项名为“芯片的硬件域升级方法、装置、芯片及车辆”的专利，授权公告号为CN119473357B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2024年11月11日。

本申请公开了一种芯片的硬件域升级方法、装置、芯片及车辆，该方法应用于芯片，包括：如果第一安全域确定芯片进入第一升级模式，将第一安全域的第一存储区域的控制权释放给第一应用域，第一存储区域中存储有第一升级资源；生成和存储用于表征第一升级资源已被释放的第一标识信息；在第一升级模式下，第二安全域将其第二存储区域的控制权释放给第一应用域，第二存储区域中存储有第二升级资源；如果第一应用域基于核间通信获取到第一升级资源和第二升级资源，基于第一升级资源、第二升级资源以及第一应用域自身存储的第三升级资源，对第一应用域的非活动分区进行升级操作。该方法实现了部分硬件域的升级。

4.臻驱科技“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”专利获授权

天眼查显示，臻驱科技（上海）股份有限公司近日取得一项名为“一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块”的专利，授权公告号为CN115547954B，授权公告日为2025年10月17日，申请日为2022年10月20日。

本发明提供了一种带镂空结构的双面散热的功率半导体模块，包括上衬底和下衬底，下衬底上设有直流正极端子，上衬底上设有直流负极端子，直流正极端子与直流负极端子叠合设置；下衬底上设有若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片，若干个上桥臂芯片和若干个下桥臂芯片之间设有第一垫块，第一垫块同时连接上衬底和下衬底；上衬底包括上表面金属层、绝缘介质层和下表面金属层，上衬底与下桥臂芯片相对应的位置为镂空区域，镂空区域仅包括下表面金属层；镂空区域贯穿上衬底一端的边缘。

5.顺络电子新品速递｜助力可穿戴设备市场 MWPH、MWPU系列小尺寸电感上线

图片来源于顺络内部

概要

顺络绕线片式功率电感MWPH/MWPU系列采用精密绕线与磁屏蔽涂覆工艺，与常规的绕线电感相比，由开磁路设计优化为磁屏蔽结构，减少漏磁，降低对周边器件的影响，减少TWS耳机底噪问题；同时优化磁芯材料，有效提高产品通流能力。MWPH/MWPU系列产品尺寸从1.0x0.5(mm) 到1.6x0.8(mm)，且拥有较宽的感量范围，0.33μH ~22μH。可广泛应用于TWS耳机、智能手表、Pad等消费类电子及便携式医疗设备领域。

背景

伴随蓝牙、芯片、传感器等技术的成熟，终端产品设计逐渐趋向小型化、轻薄化，对应用在其内部的电感器件性能与尺寸的要求也进一步提升。传统绕线电感为开磁路结构设计，产品尺寸、损耗较大，而新一代的穿戴类产品设计对产品尺寸与性能都有更高的要求。基于以上背景，顺络电子依托片式电感小型化的成熟工艺平台，开发半磁屏蔽MWPH系列功率电感，采用低损耗材料，高精度的涂覆工艺，减小尺寸的同时实现产品性能的提升，满足应用端需求。另外，由于空间限制和强磁场的影响，TWS耳机、手表等智能穿戴设备越来越关注磁场干扰问题。为了增加电感的抗EMI能力及降低对周边器件的磁场干扰，顺络采用二次点胶涂覆工艺，开发了一款全磁屏蔽绕线片式电感MWPU系列，进一步提升产品的EMC特性。

产品特点