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维安半导体“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”专利获授权
2025-02-14
上海维安半导体有限公司近期获得一项名为“一种低钳位内嵌降容二极管的新型可控硅器件”的专利，授权公告号为CN111092117B，该专利于2020年2月21日申请，并在2024年12月31日正式授权公告。此专利旨在解决集成二极管的可控硅器件钳位电压高的问题，提供了一种在同等面积和电容下钳位电压更低的器件。
