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三星的韩国各工厂将NAND闪存生产转向DRAM
6 小时前
由于全球AI基础设施快速发展，DRAM需求激增，三星计划对存储芯片生产战略进行重大调整。据韩国业界消息，三星将把位于平泽和华城的部分NAND闪存生产线转为DRAM制造，同时即将投产的平泽Fab 4工厂将作为专用DRAM生产线，采用三星最新的1c制程工艺。平泽Fab 1和华城混合生产线将进一步向DRAM转型，相关NAND生产设备将被拆除。平泽Fab 4工厂预计明年作为专用1c DRAM生产线投入运营，并可能将另一原计划用于代工生产的区域也转为DRAM产品线。调整完成后，明年上半年三星来自华城Fab 1和平泽Fab 4的DRAM产量将显著提升。韩国地区NAND产能的减少预计将通过三星位于中国西安的工厂来补足。
