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SK海力士猛攻1c DRAM：良率已升至80% 超半数产能年内转换
11 小时前
SK海力士正加速提升10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，为此用于该工艺的EUV设备投资增至原计划约三倍。公司集中推进1c DRAM技术，该技术将用于HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。鉴于英伟达计划在明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器，SK海力士需加快研发进程。目前，其通用DRAM的1c DRAM良率已提升至80%，公司计划今年将超半数DRAM产能转换为1c工艺产品，预计年底产能将达约19万片。
