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长鑫存储量产12层堆叠HBM：与韩系厂商差距已不到3年
10 小时前
2026年4月9日消息，中国存储芯片制造商长鑫存储已启动12层高带宽内存HBM的大规模生产，正式进入HBM领域仅三年便实现关键技术突破。12层堆叠技术使长鑫存储具备进入高端AI硬件生产领域的能力，与韩国头部企业的技术差距缩短至不到三年。目前，长鑫存储将DRAM总产能的约20%投入HBM制造，月产能可达6万片晶圆，但生产良率仍低于韩国竞争对手。其现阶段核心目标是满足国内AI产品需求，同时为进军国际市场布局。为扩大产能，长鑫存储计划通过IPO募集42亿美元，用于新建HBM生产设施和升级现有DRAM制造中心，核心生产基础设施预计2026年完成建设。
