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三星发布下一代AI存储路线图，展示zHBM和400层以上V10 NAND技术
1 天前
当地时间8月4日，三星电子在2026年未来存储与内存大会（FMS）上，公布了面向AI基础设施的下一代存储技术路线。会上，三星首次展示了zHBM、zNAND-O概念产品，并推出了采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。三星介绍，zHBM通过将HBM垂直堆叠在AI加速器上方，缩短了处理器与内存间的数据传输距离，从而提升AI训练和推理性能。搭载下一代接口系统的zHBM，预计性能可达HBM5的8倍，内存密度超过HBM5的10倍，且能效更高。
