1.国微电子“一种芯片数字版图的生成方法、装置、设备及可读存储介质”专利公布；

2.东方晶源“电子束扫描成像中的干扰信号补偿方法、装置及电子设备”专利获授权；

3.中欣晶圆“改善硅片边缘金属的方法”专利公布；

4.宁德时代“电池单体及其制造方法、电池和用电装置”专利公布；

1.国微电子“一种芯片数字版图的生成方法、装置、设备及可读存储介质”专利公布；

天眼查显示，深圳市国微电子有限公司“一种芯片数字版图的生成方法、装置、设备及可读存储介质”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119623365A。

本申请提供了一种芯片数字版图的生成方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：从芯片的物理版图中提取芯片的层结构和层间连接结构的轮廓特征；基于轮廓特征生成芯片的电路网表；其中，电路网表的内容包括芯片内电子元器件的位置信息、尺寸信息以及关联的电子元器件之间的连接关系；基于上述电路网表，可以实现各电子元器件的PDK器件的自动摆放，进一步结合从所述物理版图提取到的金属层图层和通孔层图层，生成芯片的数字版图。通过本申请方案的实施，可以高效地完成轮廓特征的提取、图层运算以及器件摆放，从而获得所需的数字版图；无需人工进行过多的干预，且识别出错率低。

2.东方晶源“电子束扫描成像中的干扰信号补偿方法、装置及电子设备”专利获授权；

天眼查显示，东方晶源微电子科技（北京）股份有限公司近日取得一项名为“电子束扫描成像中的干扰信号补偿方法、装置及电子设备”的专利，授权公告号为CN117011405B，授权公告日为2025年3月14日，申请日为2023年6月28日。

本申请提供一种电子束扫描成像中的干扰信号补偿方法、装置及电子设备，包括：获取基准方向上的扫描图像；根据所述扫描图像，确定所述扫描图像中的干扰信号的基准信号模型；基于所述干扰信号的基准信号模型，确定目标补偿模型；基于所述目标补偿模型，对扫描方向上的干扰信号进行补偿。本申请的一种电子束扫描成像中的干扰信号补偿方法、装置及电子设备解决了电子束扫描成像过程中由于振动或噪声等信号干扰导致图像质量下降的问题，提升了图像分辨率，降低了图像定位偏差。

3.中欣晶圆“改善硅片边缘金属的方法”专利公布；

天眼查显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司“改善硅片边缘金属的方法”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119608644A。

本发明涉及一种改善硅片边缘金属的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对二手片盒进行纯水喷淋5min，纯水流量为25Lpm。第二步：在纯水浸泡槽内盐酸，二手片盒浸泡时间为30min。第三步：对二手片盒进行纯水喷淋10min，纯水流量为40Lpm。第四步：二手片盒进行旋转甩干，旋转的转速为300Rpm，甩干时间为10min。第五步：二手片盒放入至密闭烘箱烘干，干燥温度为62～65℃，烘干时间为30min。第六步：在清洗烘干后的二手片盒内，放入干净硅片，检测硅片边缘金属水平。解决了片盒清洗机无法对二手片盒进行洗净的问题。通过在片盒洗净机清洗槽内加入稀释浓度0.4%的盐酸后，有效降低了Al、Fe元素金属污染，提升了二手片盒金属水平，从而改善了硅片边缘金属水平。

4.宁德时代“电池单体及其制造方法、电池和用电装置”专利公布；

天眼查显示，宁德时代新能源科技股份有限公司“电池单体及其制造方法、电池和用电装置”专利公布，申请公布日为2025年3月14日，申请公布号为CN119631240A。

本申请提供了一种电池单体及其制造方法、电池和用电装置，该电池单体包括电极极片以及转接部件。电极极片包括集流体以及极耳部件，极耳部件包括多个极耳以及多个连接件，多个极耳沿第一方向层叠设置并与集流体连接，极耳具有沿第一方向的通孔，连接件设置在极耳的一侧，且连接件的拉伸强度小于集流体的拉伸强度。转接部件经通孔与多个连接件连接。连接件的拉伸强度小于集流体的拉伸强度，因而转接部件经极耳的通孔与多个连接件连接，可以提高转接部件和连接件之间连接的可靠性以及降低极耳部件出现开裂的概率，从而提高电池的制造良率。